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金屬電極聚合物太陽能電池的研究

來源:論文學術(shù)網(wǎng)
時間:2024-08-18 22:11:33
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金屬電極聚合物太陽能電池的研究【摘要】:太陽能電池產(chǎn)生至今,其所產(chǎn)生的影響一次又一次的超出了人們的預(yù)料,太陽能電池的研究早已經(jīng)不再局限于學術(shù)界的范疇了,在未來的發(fā)展中,高效太陽能電

【摘要】:太陽能電池產(chǎn)生至今,其所產(chǎn)生的影響一次又一次的超出了人們的預(yù)料,太陽能電池的研究早已經(jīng)不再局限于學術(shù)界的范疇了,在未來的發(fā)展中,高效太陽能電池一定可以發(fā)展成為一種舉足輕重的產(chǎn)業(yè),大幅度地改善人類生存的質(zhì)量,深刻地影響人類的未來。目前進入到人類生活中的太陽能電池所用的加工材料主要是硅,但是由于硅本身的造價比較高,所以大幅度降低硅太陽能電池的成本非常困難,與硅太陽能電池相比有機太陽能電池具有制造面積大、廉價、簡易、柔性等優(yōu)點,因此是頗有希望的電池,雖然有機太陽能電池本身存在很多優(yōu)點,但是有機太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率還比較低,影響其轉(zhuǎn)化效率的因素主要包括光生激子的幾率,激子分離幾率,載流子收集能力等因素。 在有機太陽能電池中,主要采用ITO作為陽極,因為其透光率高的特點得到了普遍應(yīng)用,但是在電池結(jié)構(gòu)中一般采用PEDOT作為空穴傳輸層,PEDOT本身具有一定酸性,會腐蝕ITO,對于器件性能方面有一定副影響。因此我們的工作思路是采用金屬電極替代原有的ITO電極作為陽極,通過對銀薄膜厚度等參數(shù)的優(yōu)化,基于金屬陽極的有機太陽電池的效率可以和以ITO為陽極的器件相比擬。 我們采用金屬鍍膜機制備五種不同厚度的Ag薄膜,分別為12nm、14nm、16nm、18nm、30nm。對五種不同厚度的Ag薄膜進行透射、導(dǎo)電性能、以及原子力掃描等測試,結(jié)果發(fā)現(xiàn)透射性隨著厚度增加而降低,導(dǎo)電性隨著厚度增加而更佳,薄膜表面的粗糙度隨著薄膜厚度增加而增大,同時制備了完整的電池器件:Ag/PEDOT:PSS(35nm)/P3HT:PCBM(120nm)/Ca(3nm)/Ag(80nm),結(jié)果顯示當金屬Ag的厚度為16nm的時候器件的效率最佳,達到3.6%。 我們對表面等離子增強太陽電池的吸收進行了初步研究。我們采用納秒激光器產(chǎn)生的紫外激光作為光源,搭建了雙光束干涉光路,在有源層燒蝕出不同周期的光柵結(jié)構(gòu)。制作四種不同結(jié)構(gòu)器件進行吸收測試Glass/Ag(50nm)、Glass/P3HT:PCBM(90nm)、Glass/P3HT:PCBM(90nm)/Ag(50nm)、Glass/P3HT:PCBM/Grating/Ag(50nm),對有無光柵結(jié)構(gòu)的器件進行對比,發(fā)現(xiàn)含有光柵結(jié)構(gòu)的器件吸收得到增強并觀察到表面等離子體共振吸收峰。對含有不同周期光柵結(jié)構(gòu)的器件進行對比,表明隨著光柵周期的減小,等離子體共振吸收峰峰位發(fā)生藍移。以上結(jié)果顯示,在器件結(jié)構(gòu)中引入適當周期的光柵,通過表面等離子增強吸收效應(yīng),可能顯著提高太陽電池器件的效率。 【關(guān)鍵詞】:有機聚合物太陽能電池 平板器件 光柵 表面等離子體
【學位授予單位】:吉林大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2012
【分類號】:TM914.4
【目錄】:
  • 摘要4-6
  • Abstract6-10
  • 第1章 綜述10-20
  • 1.1 太陽能電池簡介10-14
  • 1.2 太陽能電池發(fā)展現(xiàn)狀14-18
  • 1.3 本論文工作18-20
  • 第2章 太陽能電池的物理基礎(chǔ)和基本原理20-39
  • 2.1 光與半導(dǎo)體的相互作用20-26
  • 2.1.1 半導(dǎo)體中的光吸收21-23
  • 2.1.2 半導(dǎo)體中的復(fù)合過程23-25
  • 2.1.3 半導(dǎo)體中的電流傳輸25-26
  • 2.2 太陽的常數(shù)26-28
  • 2.3 太陽能電池的基本原理28-36
  • 2.4 太陽電池特性測量的基本方法36
  • 2.5 四種典型的太陽能電池結(jié)構(gòu)36-39
  • 第3章 Ag電極平板器件探究39-58
  • 3.1 溶液的制備以及ITO刻蝕、銀電極制備39-40
  • 3.2 P3HT:PCBM的濃度優(yōu)化40-42
  • 3.3 對于平板器件性能的摸索42-52
  • 3.3.1 采用Ag薄膜作為陽極的平板器件的性能探索42-44
  • 3.3.2 采用ITO作為陽極的平板器件的性能探索44-52
  • 3.4 光柵結(jié)構(gòu)器件探究52-57
  • 3.4.1 干涉光路的搭建52-53
  • 3.4.2 一維光柵的制備53-55
  • 3.4.3 表面等離子體共振吸收測試55-57
  • 3.5 小結(jié)57-58
  • 第4章 結(jié)論58-59
  • 參考文獻59-63
  • 作者簡介及在學期間所取得的科研成果63-64
  • 致謝64


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