ZnSe納米線的制備、表征和性質研究及其在聚合物/無機復合太陽能電池中的應用
ZnSe納米線的制備、表征和性質研究及其在聚合物/無機復合太陽能電池中的應用【摘要】:具有寬禁帶的直接帶隙II-VI族半導體材料,在短波長光電器件中具有重要的應用。其一維納米材料由
【學位授予單位】:復旦大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2011
【分類號】:TB383.1
【目錄】:
- 摘要5-7
- Abstract7-9
- 第一章 緒論9-15
- 1.1 研究背景9-10
- 1.2 脈沖激光沉積方法10-11
- 1.3 ZnSe納米材料11-13
- 1.3.1 納米材料11-12
- 1.3.2 ZnSe納米材料的結構及性質12
- 1.3.3 一維ZnSe納米材料的制備12
- 1.3.4 一維ZnSe納米材料的應用12-13
- 1.4 基于ZnSe納米線的有機聚合物/無機復合太陽能電池13-15
- 1.4.1 有機聚合物太陽能電池13-14
- 1.4.2 基于一維無機納米線的有機聚合物/無機復合太陽能電池14-15
- 第二章 脈沖激光沉積方法制備ZnSe納米線及其表征15-28
- 2.1 引言15
- 2.2 實驗方法15-18
- 2.2.1 脈沖激光沉積方法原理15-16
- 2.2.2 實驗設備16-18
- 2.3 ZnSe納米線的制備18-19
- 2.4 ZnSe納米線的表征19-26
- 2.4.1 ZnSe納米線樣品的形貌(SEM)19-20
- 2.4.2 ZnSe納米線樣品的晶體結構(XRD)20-22
- 2.4.3 單根ZnSe納米線的形貌及晶體結構(TEM、HRTEM、SAED)22-23
- 2.4.4 單根ZnSe納米線的成份(EDS)23-24
- 2.4.5 紫外-可見光吸收24-26
- 2.4.6 光致發(fā)光26
- 2.5 本章小結26-28
- 第三章 實驗條件對ZnSe納米薄膜生長的影響及生長機理研究28-40
- 3.1 引言28
- 3.2 襯底對ZnSe納米薄膜生長的影響28-30
- 3.3 襯底溫度和催化劑對ZnSe納米薄膜生長的影響30-33
- 3.3.1 Au作為催化劑時,襯底溫度對ZnSe納米薄膜生長的影響30-32
- 3.3.2 Ni作為催化劑時,襯底溫度對ZnSe納米薄膜生長的影響32-33
- 3.4 生長時間對ZnSe納米薄膜生長的影響33-36
- 3.5 PLD方法合成的ZnSe納米線的生長機理研究36-38
- 3.5.1 納米線的VLS生長模式36
- 3.5.2 needle-like ZnSe納米線生長機理36-37
- 3.5.3 sphere-leading ZnSe納米線生長機理37-38
- 3.6 本章小結38-40
- 第四章 基于ZnSe納米線的聚合物/無機復合太陽能電池的制備研究40-51
- 4.1 引言40
- 4.2 聚合物/ZnSe納米線復合太陽能電池的結構40-41
- 4.3 聚合物/ZnSe納米線復合太陽能電池的制備41-42
- 4.3.1 實驗設備41
- 4.3.2 太陽能電池的制備過程41-42
- 4.4 聚合物/ZnSe納米線復合太陽能電池的性質42-50
- 4.4.1 聚合物/ZnSe納米線復合太陽能電池的形貌42-44
- 4.4.2 聚合物/ZnSe納米線復合太陽能電池的光吸收性質44-48
- 4.4.3 聚合物/ZnSe納米線復合太陽能電池的I-V特性曲線48-50
- 4.5 本章小結50-51
- 第五章 總結與展望51-54
- 參考文獻54-60
- 致謝60-61
- 研究生期間的研究成果61-62
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