首頁 > 學術(shù)論文

Cu_2O/ZnO三維結(jié)構(gòu)太陽能電池的組裝與性能

來源:論文學術(shù)網(wǎng)
時間:2024-08-18 22:05:43
熱度:

Cu_2O/ZnO三維結(jié)構(gòu)太陽能電池的組裝與性能【摘要】:能源與環(huán)境問題日益嚴峻,太陽能電池面臨提高轉(zhuǎn)化效率和降低成本兩大難題。尋找廉價、環(huán)境穩(wěn)定性高、具有良好光伏效應的新型太陽能

【摘要】:能源與環(huán)境問題日益嚴峻,太陽能電池面臨提高轉(zhuǎn)化效率和降低成本兩大難題。尋找廉價、環(huán)境穩(wěn)定性高、具有良好光伏效應的新型太陽能電池材料成為開發(fā)低成本太陽能電池的有效途徑。氧化亞銅(Cu_2O)作為一種古老的半導體材料,重新受到人們的重視,它是一種p型直接帶隙半導體材料,禁帶寬度為2.0-2.2eV,無毒、制備成本低,吸收系數(shù)102-106cm-1,理論效率20%。在電極材料,催化領域,電子器件和氣敏元件等方面具有重要的應用。本論文通過電化學沉積方法制備Cu_2O薄膜及組裝Cu_2O/ZnO三維異質(zhì)結(jié),分析各沉積參數(shù)對薄膜及異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及性能的影響,找出制約Cu_2O/ZnO三維異質(zhì)結(jié)電池性能的主要原因。 本論文采用電化學沉積法在溶液pH為9.0、11.5、12.0條件下分別制備出了(100)、(110)、(111)擇優(yōu)取向的Cu_2O致密膜,研究了pH、溫度、電壓對薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。采用XRD、SEM和Uv-Vis表征了薄膜的相組成、表面形貌,以及透過率和禁帶寬度,通過測試電容-電壓,表征了Cu_2O薄膜的平帶電位和載流子濃度等半導體性能。由于Cu_2O各晶面的原子排列不同且CH3(OH)COO-根在不同pH下對各晶面的穩(wěn)定作用不同,Cu_2O薄膜的晶粒取向隨溶液pH的增加向著Cu原子多的晶面生長;Cu_2O薄膜的生長屬于熱活化過程,溫度升高有利于晶粒長大;當沉積溫度為60℃,pH為11.50時,薄膜具有較高的吸光度,載流子濃度高達7.7×1018cm-3。 在pH=11.50的沉積溶液中組裝了ZnO納米棒高度為4μm的Cu_2O/ZnO三維異質(zhì)結(jié),研究了沉積溫度及電壓對異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及性能的影響。低溫高電位下沉積的種子層可以避免ZnO納米棒的腐蝕,保證高溫低沉積電壓下Cu_2O從下而上致密化填充ZnO納米棒陣列。高的沉積電位堵塞ZnO納米棒陣列頂部開口無法致密化填充。致密化填充的Cu_2O/ZnO三維異質(zhì)結(jié)具有較好的電接觸和較大的正向電流密度,但由于增大了異質(zhì)結(jié)的界面面積和晶界,產(chǎn)生大量的界面態(tài),導致電池效率僅為0.08%。未來可以通過熱處理提高Cu_2O種子層的結(jié)晶質(zhì)量,改變Cu_2O沉積溶液參數(shù)來控制其生長行為,增加晶粒尺寸,減少晶界來提高異質(zhì)結(jié)效率。 【關鍵詞】:Cu_2O 電化學沉積 ZnO 三維異質(zhì)結(jié)
【學位授予單位】:濟南大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2012
【分類號】:TM914.4
【目錄】:
  • 摘要7-8
  • Abstract8-10
  • 第一章 緒論10-23
  • 1.1 研究背景10-12
  • 1.2 Cu_2O 結(jié)構(gòu)及制備工藝12-15
  • 1.2.1 Cu_2O 的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)12-13
  • 1.2.2 Cu_2O 的制備方法13-15
  • 1.3 Cu_2O 基電池15-21
  • 1.3.1 Cu_2O 肖特基結(jié)電池15-16
  • 1.3.2 Cu_2O/ZnO 基異質(zhì)結(jié)電池16-21
  • 1.4 課題的提出及研究內(nèi)容21-23
  • 第二章 實驗方案設計與研究方法23-29
  • 2.1 試驗所用原料與設備23-25
  • 2.1.1 試驗原料23
  • 2.1.2 試驗設備23-25
  • 2.2 方案設計及實驗過程25-27
  • 2.2.1 方案設計25
  • 2.2.2 實驗過程25-27
  • 2.3 測試與表征27-29
  • 第三章 Cu_2O 薄膜的制備及性能表征29-51
  • 3.1 Cu_2O 沉積溶液的配制29-30
  • 3.1.1 絡合劑的選擇29
  • 3.1.2 沉積溶液的 pH 范圍29-30
  • 3.2 半導體/電解質(zhì)溶液的界面能級結(jié)構(gòu)30-31
  • 3.3 Cu_2O 薄膜的沉積過程31
  • 3.4 pH 對 Cu_2O 薄膜的影響31-45
  • 3.4.1 pH 對 Cu_2O 薄膜取向的影響31-34
  • 3.4.2 pH 對薄膜沉積速率的影響34-37
  • 3.4.3 不同取向的 Cu_2O 薄膜的光學性能37-39
  • 3.4.4 不同取向 Cu_2O 薄膜的電學性質(zhì)39-45
  • 3.5 沉積溫度和電壓對 Cu_2O 薄膜的影響45-49
  • 3.5.1 沉積溫度對 Cu_2O 薄膜的影響45-47
  • 3.5.2 沉積電位對 Cu_2O 薄膜的影響47-49
  • 3.6 本章小結(jié)49-51
  • 第四章 Cu_2O/ZnO 三維結(jié)構(gòu)太陽能電池的組裝與性能51-67
  • 4.1 Cu_2O/ZnO 三維異質(zhì)結(jié)的組裝51-54
  • 4.1.1 Cu_2O/ZnO 三維異質(zhì)結(jié)的組裝原理分析51-52
  • 4.1.2 Cu_2O/ZnO 三維異質(zhì)結(jié)的組裝工藝52-54
  • 4.2 溫度及電壓對 Cu_2O/ZnO 三維異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及性能的影響54-66
  • 4.2.1.溫度對 Cu_2O/ZnO 三維異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及性能的影響54-56
  • 4.2.2. 電壓對 Cu_2O/ZnO 三維異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及性能的影響56-66
  • 4.3 本章小結(jié)66-67
  • 第五章 結(jié)論與展望67-69
  • 參考文獻69-76
  • 致謝76-77
  • 附錄77


您可以在本站搜索以下學術(shù)論文文獻來了解更多相關內(nèi)容

電化學法制備納米材料的研究現(xiàn)狀    劉慶,陸文雄,印仁和

溶液溫度對電化學沉積氧化亞銅薄膜相成分和顯微結(jié)構(gòu)的影響    周延春

溶液pH對電沉積氧化亞銅薄膜的影響    胡飛;胡澄清;劉建成;羅凌虹;吳堅強;

用電化學沉積法制備ZnO/Cu_2O異質(zhì)p-n結(jié)    劉英麟,劉益春,楊樺,張丁可,張吉英,呂有明,申德振,范希武

ZnO薄膜的最新研究進展    呂建國,葉志鎮(zhèn)

溶液pH值對Cu_2O光電薄膜結(jié)構(gòu)及性能影響的研究    張艷輝;郝金鈴;劉曉峰;楊鑫;劉尚軍;王瑞林;

SnO_2氣體傳感器的復阻抗譜研究    田敬民

硅襯底上Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學性質(zhì)    鄒璐,汪雷,黃靖云,趙炳輝,葉志鎮(zhèn)

電化學法制備p型Cu_2O半導體薄膜及其性能的表征    燕子鵬;蔡舒;武衛(wèi)兵;

微米級氧化亞銅晶體的形貌控制及其表征    賈紅;俞曉晶;張亞萍;金達萊;姚奎鴻;王龍成;

氧化亞銅微納米結(jié)構(gòu)的制備及表征    董海亮

(摻Al)ZnO納米線陣列的生長機理及光致發(fā)光特性研究    唐斌

部分重疊雙柵MOSFET特性的研究    韓名君;趙陽;柯導明;

Cs_3(HSO_4)_2(H_2PO_4)的制備及其導電性研究    趙國燕;郭金福;盧印;

NaCl介質(zhì)中AZ31鎂合金的動態(tài)電化學腐蝕行為研究    李凌杰;于生海;雷驚雷;何建新;王敬豐;潘復生;

溶膠-凝膠工藝MgO薄膜制備及表征    張繼德;車立新;

CCD輸出二極管反向漏電機理的研究    易萍

晶界對AlGaN薄膜紫外探測器時間響應特性的影響    王蘭喜;陳學康;王瑞;曹生珠;

6H-SiC熱氧化層高溫漏電及紅外光譜表征研究    曹群;牟維兵;楊翰飛;楊治美;龔敏;

鏈式氧化制備SiO_2膜的研究    張松;席曦;王振交;唐寧;季靜佳;李果華;

VB-GaAs晶體生長技術(shù)中摻Si濃度的控制    牛沈軍;王建利;蘭天平;

電化學C-V法對載流子濃度縱向分布的精確測量    李若凡;武一賓;楊瑞霞;馬永強;商耀輝;牛晨亮;

陰極保護電位對Q235鋼氫脆敏感性和力學性能的影響    高志明;文麗娟;

陰極保護對Q235鋼空泡腐蝕行為影響的研究    劉洋洋;高志明;王震;

聚二乙烯基乙炔的氫氯化改性    陶長元;薛紅濤;劉作華;杜軍;范興;劉仁龍;

基于電學方法的再制造零部件缺陷檢測與壽命預測應用基礎研究    康嘉杰;徐濱士;王海斗;王成彪;

連續(xù)離子層吸附反應(SILAR)法制備納米Cu_2O薄膜    胡飛;陳遠相;熊瑋;

模擬深海環(huán)境中環(huán)氧粉末涂層失效行為研究    唐俊文;邵亞薇;張濤;孟國哲;王福會;

氧化鋁合金在空化作用下的腐蝕電化學行為    雍興躍;侯純揚;武杰;張正;李棟梁;汪磊;李斌;

潮汐發(fā)電貫流電機用鋼陰極保護時的電化學阻抗譜和表面力學特征    高志明;林峰;宋詩哲;

NASICON固體電解質(zhì)的制備及其導電性能研究    胡艷琴;王運福;宋玉哲;韓根亮;李工農(nóng);劉國漢;

Gd摻雜CeO_2固體電解質(zhì)的電化學特性研究    吳翔;周貞;簡家文;

海洋優(yōu)勢菌種附著腐蝕Fe_3Al及其復合材料界面與機理研究    常雪婷

涉??咕臀g性TiO_2復合薄膜的制備及其性能研究    王洪芬

改性納米二氧化鈦薄膜制備及其在模擬海水中光生陰極保護性能研究    王愛萍

SOA非線性應用關鍵參數(shù)的測量    程乘

硅基應變引入方法與MOS器件相關基礎研究    楊洪東

鍺在鋅電積中的行為及添加劑作用的研究    劉春俠

咪唑基離子液體在鋅電沉積中的作用機理研究    張啟波

用于有機磷農(nóng)藥殘留檢測的免疫生物傳感器的研究    蔣雪松

用于農(nóng)藥殘留檢測的壓電免疫生物傳感器的研究    黃君冉

溶膠—凝膠技術(shù)在紡織品多功能整理中的應用    汪青

高功率GaAs光電導開關設計技術(shù)研究    李寅鑫

納米TiO_2的表面改性及其對聚氨酯涂層耐蝕性能的影響    龐宇

奧氏體不銹鋼點蝕行為的研究    徐珊

紅壤土壤腐蝕直接、連續(xù)監(jiān)測技術(shù)的研究    李新義

鈦合金精密腐蝕加工工藝及機理研究    梁靜

ZnO薄膜的制備和紫外探測器的研究    張興來

氧化物半導體的濕化學法制備    賈紅

硅、鍺切割片的損傷層研究    張秀芳

折射率調(diào)制光纖氣體傳感系統(tǒng)設計與研究    賈林濤

電子證據(jù)可靠性問題分析    崔震宇

ZnO薄膜的研究進展    王新強,杜國同,姜秀英,王金忠,楊樹人

納米材料在光電探測器中的應用    江永清;黃紹春;肖燦;

納米線、納米管的制備、表征及其應用    韓紅梅,王太宏

納米多孔鋁的制備技術(shù)及應用    黃瑞青,黨建印,黃靖云

直流磁控濺射ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和室溫PL譜    葉志鎮(zhèn),陳漢鴻,劉榕,張昊翔,趙炳輝

ZnO納米線的氣相沉積制備及場發(fā)射特性    張琦鋒;戎懿;陳賢祥;張耿民;張兆祥;薛增泉;陳長琦;吳錦雷;

藍寶石襯底上水平生長ZnO納米線及紫外敏感性能研究    鄧宏;唐斌;程和;韋敏;陳金菊;

納米金屬多層膜的電化學制備與性能研究的現(xiàn)狀    喻敬賢,陳永言,黃清安

還原法制備八面體結(jié)構(gòu)的氧化亞銅微晶及其催化性能    劉軍剛;杜芳林;

SnO_2空心球的水熱制備與表征    張海礁;葉楓;徐慧芳;孫銀弟;孫超;孟慶昌;周玉;

氧化亞銅的制備及其光催化性能的研究    張大磊

銦化合物的制備及性能表征    王玉

透明導電氧化物薄膜的研究進展    王敏,蒙繼龍

沉積ZnO膜的MOCVD裝置的研制    易貴華,尹洪禹

透明導電GZO/Cu/GZO多層薄膜的室溫生長及性能研究    別勛;王鈺萍;呂建國;葉志鎮(zhèn);

摻雜ZnO臭氧敏感特性研究    楊留方,趙景暢,吳興惠

摻雜對納米ZnO粉末晶粒度和結(jié)構(gòu)的影響    舒小林,胡望宇,王玲玲,張邦維,黃楊程,宋應東,肖漢寧

ZnO∶Tb透明導電薄膜的制備及其特性研究    方澤波,朋興平,譚永勝,何志巍,王印月

柔性透明導電薄膜的制備及其發(fā)展前景    何維鳳;趙玉濤;李素敏;李長生;

GaN藍光材料新型ZnO/Si外延襯底的濺射沉積    賀洪波,范正修,姚振鈺,湯兆勝

ZnO超微粒子的量子尺寸效應和光催化性能    井立強,孫曉君,鄭大方,徐躍,李萬程,蔡偉民

CO對ZnO脫硫行為的影響    劉文靜 ,樊惠玲 ,李春虎 ,郭漢賢

ZnO透明導電薄膜室溫生長及其在太陽能電池中的應用    呂建國;王鈺萍;黃繼杰;

水含量對溶劑熱合成ZnO微結(jié)構(gòu)的影響    江浩;顧鋒;李春忠;

先進無機材料表面的金屬化—ZnO薄膜技術(shù)    沈偉;彭德全;沈曉丹;

先進無機材料表面的金屬化——ZnO薄膜技術(shù)    沈偉;彭德全;沈曉丹;

納米ZnO-共軛聚合物PFH雜化異質(zhì)結(jié)紫外探測器的制備和研究    李海國;吳剛;陳紅征;汪茫;

稀土摻雜ZnO材料的發(fā)光特性研究進展    王齊;周大成;邱建備;

ZnO納米晶的拉曼光譜    吳嘗;朱克榮;周廣東;

基于ZnO納米陣列的應力傳感器構(gòu)建及性能測試    張錚;黃運華;李萍;廖慶亮;張躍;

準單晶ZnO薄膜的制備及其光學特性研究    周小芳;

原位觀察單根ZnO納米線同質(zhì)外延生長    朱瑞;許宏鈞;孫楊慧;張敬民;陳莉;徐軍;俞大鵬;

太陽能廠跨洋吸金 幾家歡樂幾家愁    黃女瑛 DigiTimes

太陽能電池級多晶硅光伏項目落戶益陽    記者  郭云飛 通訊員  張世平

涉足太陽能光伏產(chǎn)業(yè)公司一覽    詹鈴

依靠太陽能的家庭    楊先碧

G風帆 太陽能電池新貴    天同證券 張銳

PE“新銳”王剛:太陽能行業(yè)的堅定支持派    本報記者 翁海華

行者集團利用太陽能獲新突破    記者 張國偉

太陽能電池面臨出口為主的尷尬    無暇

邱第明:中國最早太陽能企業(yè)的跌宕起伏    本報記者王穎春 采寫

青海首條太陽能電池生產(chǎn)線投產(chǎn)    梁麗英

ZnO中的雜質(zhì)行為與p型摻雜    湯琨

ZnO基寬禁帶稀磁半導體材料的制備及性能研究    張曉

過渡元素摻雜ZnO稀磁半導體的制備及性質(zhì)研究    劉洋

共摻雜p型ZnO和富氮Zr-N薄膜的制備、性能及表征    隋瑛銳

ZnO薄膜的制備及其晶體管性能研究    陳韜

氧氬比和氫離子注入對ZnO薄膜微結(jié)構(gòu)及光學性能的影響    胡懿

ZnO薄膜及其光電子器件中的晶格失配與應力問題研究    李永峰

P型ZnO薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)、光學和電學性質(zhì)的研究    楊通

ZnO薄膜和納米結(jié)構(gòu)的制備及其特性研究    高世勇

ZnO稀磁半導體低維結(jié)構(gòu)的制備和性能研究    劉偉景

聚合物/ZnO雜化太陽能電池的制備    張路寧

Na-Mg共摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)及光學性質(zhì)研究    鎖雅芹

磁控濺射法制備ZnO薄膜及光電導探測器的研制    范曉玲

ZnO與TiO_2的光催化及其光電轉(zhuǎn)換耦合性能的比較    謝煒

Al~(3+)摻雜抗靜電改性ZnO顏料制備及其質(zhì)子輻照效應    呂金鵬

ZnO超長微米線的制備及光學性質(zhì)的研究    馬金雪

ZnO超長微米線制備及其在壓電應力傳感器方面的應用    孫開通

水熱法制備六方柱狀ZnO微晶的形貌、結(jié)構(gòu)與光催化性能    劉淑潔

ZnO薄膜和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光電性能研究    陳慧

ZnO薄膜和納米晶須的制備及性能研究    尉靜