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CdTe/CdS太陽能電池中CdS薄膜的制備與性能研究

來源:論文學術網(wǎng)
時間:2024-08-18 22:01:24
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CdTe/CdS太陽能電池中CdS薄膜的制備與性能研究【摘要】:CdTe/CdS太陽能電池作為一種新型的薄膜電池受到了各個國家研究者們的關注。CdTe材料是Ⅱ-Ⅵ半導體化合物,它是

【摘要】:CdTe/CdS太陽能電池作為一種新型的薄膜電池受到了各個國家研究者們的關注。CdTe材料是Ⅱ-Ⅵ半導體化合物,它是直接帶隙材料,禁帶寬度為1.45eV,其能隙寬度與太陽光譜有很好的匹配,CdS材料則作為極好的窗口層,其禁帶寬度為2.42eV,能夠與CdTe形成良好的異質(zhì)結,從而構成異質(zhì)結太陽能電池。因此,CdS薄膜的質(zhì)量直接影響到在其表面生長的CdTe的質(zhì)量,并對最終電池的性能有著極大的影響。 本文主要研究了化學水浴沉積法、高真空薄膜蒸發(fā)法以及溶膠凝膠法制備CdS的基本原理與實驗方法,通過實驗條件的改變完成對制備方法的優(yōu)化與改善。并分別用三種方法制備CdS薄膜,從結構、形貌、光學特性等方面對其進行分析,探討不同的生長工藝對CdS薄膜性能的影響。最終我們發(fā)現(xiàn),在化學水浴法中溶液的pH值的增加,S2-/Cd2+值的減小都會促使化學反應速率降低。降低反應速率可以制備出表面更均勻,透光性可達到80%以上的CdS薄膜;在真空蒸發(fā)法中真空腔的真空度越好,制備的CdS擇優(yōu)取向性越好;在溶膠凝膠法中使用溶膠的粘滯系數(shù)越大,揮發(fā)性越好,所制備的CdS薄膜越均勻,薄膜厚度滿足關系式h=kη~β/ω~ρ,其中η為粘滯系數(shù),ω為轉(zhuǎn)速。同時我們利用XRD分析證實,薄膜表面的顆粒尺寸越小,薄膜的能隙越大,其關系滿足公式Eg∝(1/L)x,其中L為納米晶粒的尺寸。針對這三種制備方法,我們分別制備了100nm厚度的CdS薄膜,結果我們得出,化學水浴沉積法可以制備出表面均勻的CdS,真空蒸發(fā)法制備的CdS結晶程度最好,溶膠凝膠法由于制備出的CdS薄膜晶粒尺寸較小,因此能隙可達到2.52eV,并且利用其自組裝性可適用于需要臺階覆蓋的表面復雜的襯底,我們運用溶膠凝膠法在光刻后的具有周期性結構的CdTe表面沉積CdS薄膜。 【關鍵詞】:CdS薄膜 化學水浴沉積法 真空蒸發(fā)法 溶膠凝膠法
【學位授予單位】:南京大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2013
【分類號】:TM914.4;TB383.2
【目錄】:
  • 中文摘要4-6
  • 英文摘要6-10
  • 第一章 緒論10-22
  • 1.1 太陽能電池簡介11-14
  • 1.1.1 太陽能電池發(fā)展歷史11
  • 1.1.2 太陽能電池工作原理11-12
  • 1.1.3 太陽能電池主要參數(shù)12-13
  • 1.1.4 太陽能電池的分類13-14
  • 1.2 薄膜太陽能電池的研究14-18
  • 1.2.1 非晶硅薄膜電池15-16
  • 1.2.2 CIGS薄膜電池16-17
  • 1.2.3 CdTe薄膜電池17-18
  • 1.3 CdS薄膜制備方法簡介18-21
  • 1.3.1 化學氣相沉積法19-20
  • 1.3.2 磁控濺射法20
  • 1.3.3 高真空蒸發(fā)法20
  • 1.3.4 溶膠凝膠法20-21
  • 1.3.5 化學水浴沉積法21
  • 1.4 本文主要工作內(nèi)容21-22
  • 第二章 測試儀器及原理介紹22-24
  • 2.1 橢圓偏振光譜儀22-23
  • 2.2 X射線衍射儀23-24
  • 第三章 CdS薄膜的制備與性質(zhì)的研究24-47
  • 3.1 化學水浴沉積法制備CdS24-34
  • 3.1.1 化學水浴法原理概述24-25
  • 3.1.2 化學水浴法實驗裝置與方案25-26
  • 3.1.3 實驗步驟與注意事項26-27
  • 3.1.4 CdS性質(zhì)研究與分析27-34
  • 3.1.5 小結34
  • 3.2 高真空薄膜蒸發(fā)法制備CdS34-40
  • 3.2.1 真空蒸發(fā)法原理概述34-35
  • 3.2.2 真空蒸發(fā)法實驗裝置與方案35
  • 3.2.3 實驗步驟與注意事項35-36
  • 3.2.4 CdS性質(zhì)研究與分析36-39
  • 3.2.5 小結39-40
  • 3.3 溶膠凝膠-旋涂法制備CdS40-47
  • 3.3.1 溶膠凝膠-旋涂法實驗原理概述40-41
  • 3.3.2 溶膠凝膠法實驗裝置與方案41-42
  • 3.3.3 實驗步驟與注意事項42
  • 3.3.4 CdS性質(zhì)研究與分析42-46
  • 3.3.5 小結46-47
  • 第四章 CdS薄膜制備方法比較47-55
  • 4.1 厚度分析47-48
  • 4.2 表面形貌分析48-49
  • 4.3 X射線衍射譜分析49-52
  • 4.4 透射光譜分析52-54
  • 4.5 小結54-55
  • 第五章 論文總結55-56
  • 補充工作56-62
  • 參考文獻62-66
  • 發(fā)表文章66-67
  • 致謝67-68


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