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硅太陽能電池中深能級的研究

來源:論文學術網(wǎng)
時間:2024-08-18 22:00:18
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硅太陽能電池中深能級的研究【摘要】:硅太陽能電池發(fā)展至今,其制造成本相對比較低廉,制備工藝也已經(jīng)趨于完善和成熟。并且,硅太陽能電池不僅具有晶體硅材料長壽命和高轉換效率的特性,還具備

【摘要】:硅太陽能電池發(fā)展至今,其制造成本相對比較低廉,制備工藝也已經(jīng)趨于完善和成熟。并且,硅太陽能電池不僅具有晶體硅材料長壽命和高轉換效率的特性,還具備非晶硅薄膜材料那樣簡化的制備工藝等優(yōu)點。因此,硅太陽能電池已經(jīng)成為了新一代太陽能電池發(fā)展的主流方向之一。但是,硅太陽能電池的性能卻是嚴重受到半導體材料中深能級缺陷中心行為的影響。 由于有害的雜質或晶體缺陷能級會在半導體材料的禁帶中產(chǎn)生深能級缺陷中心,進而會影響半導體材料的特性。因此,我們研究深能級缺陷能級中心的本質特性和掌握其在半導體材料中的生長、加工以及控制其在電池制造過程中的摻雜濃度,是對提高太陽能電池的成品率具有非常重要的意義。而本文中我們利用的深能級瞬態(tài)(DLTS)測試技術,是現(xiàn)在研究半導體材料中深能級最為傳統(tǒng)、簡便和有效的測試手段之一。 本文利用Booton7200快速電容計、溫度控制“冷井”裝置和Tektronix DPO7104C數(shù)字熒光示波器等儀器設計搭建出基本DLTS測試系統(tǒng)。并利用該系統(tǒng),測量出多晶硅太陽能電池的C-T曲線。經(jīng)過多次計算與處理,我們得到,當樣品電池兩端施加反向偏壓為-400mV,并且溫度T大約在130K、164K、226K和271K時出現(xiàn)了4個明顯峰值的DLTS譜,而且在測試過程中樣品兩端施加的反向偏壓大小不同,得出的DLTS譜強度也是不同的,我們得到樣品的臨界填充脈沖電壓為-200mV。通過程序“率窗”選擇器的不斷地改變選定的“率窗”t1、t2并分析計算處理得到的DLTS譜線,我們給出了多晶硅太陽能電池中相關深能級缺陷的Arrehnius直線圖(也可稱為阿氏關系圖),進而檢測出多晶硅太陽能電池的深能級中雜質能級的能級位置和俘獲截面等相關信息。 【關鍵詞】:硅太陽能電池 深能級瞬態(tài)譜 深能級陷阱中心 瞬態(tài)電容
【學位授予單位】:大連理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2013
【分類號】:TM914.41
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-8
  • 引言8-9
  • 1 硅太陽能電池的發(fā)展9-15
  • 1.1 早期硅太陽能電池9-11
  • 1.2 空間太陽能電池11
  • 1.3 紫電池11-12
  • 1.4 黑電池12-13
  • 1.5 頂層表面鈍化太陽能電池13-15
  • 2 硅太陽能電池基礎理論15-25
  • 2.1 硅太陽能電池的工作原理15-17
  • 2.1.1 太陽光譜的特性與硅太陽能電池中載流子的產(chǎn)生與復合15-16
  • 2.1.2 硅太陽能電池的性能描述16-17
  • 2.2 硅太陽能電池的制造方法17-19
  • 2.2.1 硅片的制造17-18
  • 2.2.2 硅太陽能電池的制造方法18-19
  • 2.3 硅太陽能電池的基礎特性19-21
  • 2.3.1 光靈敏度與量子效率19-20
  • 2.3.2 太陽能電池的等效電路20-21
  • 2.3.3 溫度特性21
  • 2.4 硅太陽能電池的應用21-25
  • 2.4.1 住宅用光伏發(fā)電系統(tǒng)的硅太陽能電池組件21-22
  • 2.4.2 大型光伏發(fā)電系統(tǒng)設置組件22-23
  • 2.4.3 聚光型太陽能電池23-24
  • 2.4.4 航天太陽能電池24-25
  • 3 深能級瞬態(tài)譜(DLTS)測試技術25-41
  • 3.1 深能級瞬態(tài)譜測試的理論基礎25-33
  • 3.1.1 陷阱中心25-26
  • 3.1.2 陷阱中心對自由載流子的影響26-28
  • 3.1.3 瞬態(tài)電容28-32
  • 3.1.4 實際與討論32-33
  • 3.2 Boxcar技術33-36
  • 3.3 電荷型深能級瞬態(tài)譜技術(QDLTS)36-39
  • 3.4 DLTS測試樣品的制備39-41
  • 3.4.1 歐姆接觸40
  • 3.4.2 肖特基接觸40-41
  • 4 實驗測試與數(shù)據(jù)分析41-54
  • 4.1 實驗室搭建DLTS測試系統(tǒng)41-46
  • 4.1.1 實驗設備41-44
  • 4.1.2 DLTS測試系統(tǒng)44-46
  • 4.2 多晶硅太陽能電池的DLTS檢測46-50
  • 4.2.1 溫度掃描下的C-t曲線46-48
  • 4.2.2 DLTS曲線圖48-50
  • 4.3 多晶硅太陽能電池的DLTS數(shù)據(jù)處理與信號分析50-54
  • 4.3.1 陷阱中心的俘獲截面與能級位置50-51
  • 4.3.2 陷阱中心的深度分布51-52
  • 4.3.3 電場效應52-53
  • 4.3.4 德拜效應53-54
  • 結論54-55
  • 參考文獻55-58
  • 附錄A “率窗”選擇器程序58-60
  • 攻讀碩士學位期間發(fā)表學術論文情情況60-61
  • 致謝61-62


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