硅太陽能電池中深能級的研究
硅太陽能電池中深能級的研究【摘要】:硅太陽能電池發(fā)展至今,其制造成本相對比較低廉,制備工藝也已經(jīng)趨于完善和成熟。并且,硅太陽能電池不僅具有晶體硅材料長壽命和高轉換效率的特性,還具備
【學位授予單位】:大連理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2013
【分類號】:TM914.41
【目錄】:
- 摘要4-5
- Abstract5-8
- 引言8-9
- 1 硅太陽能電池的發(fā)展9-15
- 1.1 早期硅太陽能電池9-11
- 1.2 空間太陽能電池11
- 1.3 紫電池11-12
- 1.4 黑電池12-13
- 1.5 頂層表面鈍化太陽能電池13-15
- 2 硅太陽能電池基礎理論15-25
- 2.1 硅太陽能電池的工作原理15-17
- 2.1.1 太陽光譜的特性與硅太陽能電池中載流子的產(chǎn)生與復合15-16
- 2.1.2 硅太陽能電池的性能描述16-17
- 2.2 硅太陽能電池的制造方法17-19
- 2.2.1 硅片的制造17-18
- 2.2.2 硅太陽能電池的制造方法18-19
- 2.3 硅太陽能電池的基礎特性19-21
- 2.3.1 光靈敏度與量子效率19-20
- 2.3.2 太陽能電池的等效電路20-21
- 2.3.3 溫度特性21
- 2.4 硅太陽能電池的應用21-25
- 2.4.1 住宅用光伏發(fā)電系統(tǒng)的硅太陽能電池組件21-22
- 2.4.2 大型光伏發(fā)電系統(tǒng)設置組件22-23
- 2.4.3 聚光型太陽能電池23-24
- 2.4.4 航天太陽能電池24-25
- 3 深能級瞬態(tài)譜(DLTS)測試技術25-41
- 3.1 深能級瞬態(tài)譜測試的理論基礎25-33
- 3.1.1 陷阱中心25-26
- 3.1.2 陷阱中心對自由載流子的影響26-28
- 3.1.3 瞬態(tài)電容28-32
- 3.1.4 實際與討論32-33
- 3.2 Boxcar技術33-36
- 3.3 電荷型深能級瞬態(tài)譜技術(QDLTS)36-39
- 3.4 DLTS測試樣品的制備39-41
- 3.4.1 歐姆接觸40
- 3.4.2 肖特基接觸40-41
- 4 實驗測試與數(shù)據(jù)分析41-54
- 4.1 實驗室搭建DLTS測試系統(tǒng)41-46
- 4.1.1 實驗設備41-44
- 4.1.2 DLTS測試系統(tǒng)44-46
- 4.2 多晶硅太陽能電池的DLTS檢測46-50
- 4.2.1 溫度掃描下的C-t曲線46-48
- 4.2.2 DLTS曲線圖48-50
- 4.3 多晶硅太陽能電池的DLTS數(shù)據(jù)處理與信號分析50-54
- 4.3.1 陷阱中心的俘獲截面與能級位置50-51
- 4.3.2 陷阱中心的深度分布51-52
- 4.3.3 電場效應52-53
- 4.3.4 德拜效應53-54
- 結論54-55
- 參考文獻55-58
- 附錄A “率窗”選擇器程序58-60
- 攻讀碩士學位期間發(fā)表學術論文情情況60-61
- 致謝61-62
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