首頁 > 學術(shù)論文

PECVD法制備多晶硅薄膜太陽能電池研究

來源:論文學術(shù)網(wǎng)
時間:2024-08-18 21:57:21
熱度:

PECVD法制備多晶硅薄膜太陽能電池研究【摘要】:太陽能電池是解決未來能源危機的重要解決辦法,目前有單晶硅、多晶硅太陽能電池,其中單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達到24%,多晶硅電

【摘要】:太陽能電池是解決未來能源危機的重要解決辦法,目前有單晶硅、多晶硅太陽能電池,其中單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達到24%,多晶硅電池的效率也達到了10%。這兩種太陽能電池占據(jù)了絕大多數(shù)的市場份額。但是,由于占太陽能電池主要成本的單晶硅、多晶硅的價格居高不下,導致太陽能電池生產(chǎn)成本較高。所以,人們找到了薄膜太陽能電池的發(fā)展方向。其中比較成熟的有非晶硅薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池、染料敏化太陽能電池等等。對于硅基薄膜太陽能電池,可分為非晶硅和多晶硅薄膜電池。非晶硅薄膜主要是利用等離子體化學氣相沉積(PECVD)的方法制備。以硅烷(SH4)、氫氣(H2)為主要反應(yīng)氣體,制備出氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜。又利用乙硼烷(B2H6)、磷烷(PH3)對非晶硅進行摻雜,得到P型和N型的半導體材料。非晶硅薄膜太陽能電池多長波段的太陽光有較好的吸收系數(shù),但是薄膜太陽能電池厚度一般只有幾百納米,所以單純PN結(jié)的非晶硅薄膜電池對光的吸收率并不高,為了解決這個問題,通常采用P-I-N(P型-本征型-N型)的結(jié)構(gòu)設(shè)計,這樣可以適當增加本征層(Ⅰ層)薄膜的厚度,來提高電池對光的吸收。但是由于非晶硅材料的無序性,載流子的遷移率、壽命和擴散長度都比單晶硅中要低很多,所以使非晶硅薄膜多晶化,能夠大大降低載流子在晶界的復合,有效增加載流子的壽命,從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。一般使用PECVD直接沉積多晶硅薄膜有很大困難,所以通常用金屬誘導非晶硅晶化、固相晶化和激光晶化等。 在本論文中,基于金屬誘導非晶硅晶化,然后利用晶化的多晶硅薄膜作為種晶層,用PECVD沉積硅薄膜,可直接得到多晶硅薄膜。主要工作分為兩部分: (1)利用金屬誘導使非晶硅薄膜晶化的方法,重點探索了金屬鋁(Al)和錫(Sn)對非晶硅晶化的影響。實現(xiàn)了在玻璃襯底上非晶硅的晶化。利用鋁誘導,退火處理2小時,在500℃實現(xiàn)了厚度約200nm的非晶硅薄膜晶化;利用金屬錫,非晶硅在400℃時開始晶化,到450℃溫度時已經(jīng)得到晶化率較高的多晶硅薄膜。得到較實用的制備種晶層的工藝參數(shù)。 (2)安裝調(diào)試實驗室第一臺等離子體化學氣相沉積設(shè)備(PECVD),摸索出了本臺設(shè)備的使用特點,初步制備了氫化非晶硅薄膜(a-Si:H),對薄膜的結(jié)構(gòu)和光敏性進行了測試分析,掌握了基本的工藝。初步制備PIN結(jié)構(gòu)的非晶硅薄膜電池,為制備非晶硅和多晶硅薄膜太陽能電池積累了一定方法。 【關(guān)鍵詞】:薄膜太陽能電池 非晶硅 金屬誘導多晶硅 等離子體化學氣相沉積
【學位授予單位】:浙江師范大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2013
【分類號】:TM914.4
【目錄】:
  • 摘要3-5
  • ABSTRACT5-7
  • 目錄7-9
  • 第一章 緒論9-16
  • 1.1 太陽能電池的發(fā)展和現(xiàn)狀9-15
  • 1.1.1 太陽能電池的研究背景9-10
  • 1.1.2 太陽能電池原理簡介10-11
  • 1.1.3 太陽能電池的發(fā)展11-13
  • 1.1.4 太陽能電池的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢13-15
  • 1.2 本論文的主要研究內(nèi)容15-16
  • 第二章 金屬誘導非晶硅晶化研究16-34
  • 2.1 金屬誘導非晶硅薄膜晶化概述16-18
  • 2.2 實驗方法和儀器簡介18-20
  • 2.2.1 樣品制備儀器18
  • 2.2.2 分析測試儀器18-20
  • 2.3 金屬鋁誘導非晶硅薄膜晶化20-25
  • 2.3.1 實驗方法21-23
  • 2.3.2 退火溫度對晶化的影響23-25
  • 2.4 錫誘導非晶硅晶化25-31
  • 2.4.1 實驗方法26-27
  • 2.4.2 退火溫度對晶化的影響27-31
  • 2.5 基于AIC制備多晶硅薄膜的初步研究31-33
  • 小結(jié)33-34
  • 第三章 浙江師范大學PECVD儀器設(shè)計和調(diào)試34-49
  • 3.1 等離子體化學相沉積系統(tǒng)簡介34-37
  • 3.1.1 PECVD原理簡介34-36
  • 3.1.2 PECVD沉積氫化非晶硅原理簡介36-37
  • 3.2 浙江師范大學PECVD設(shè)計方案37-38
  • 3.3 PECVD4000型薄膜沉積系統(tǒng)介紹38-48
  • 3.3.1 非晶硅薄膜的主要制備工藝43-44
  • 3.3.2 非晶硅薄膜材料的結(jié)構(gòu)44-45
  • 3.3.3 非晶硅薄膜材料的電學特性45-48
  • 小結(jié)48-49
  • 第四章 硅基薄膜太陽能電池的初步研究49-52
  • 4.1. PIN結(jié)構(gòu)非晶硅薄膜太陽能電池原理簡介49-50
  • 4.2 初步制備PIN結(jié)構(gòu)非晶硅薄膜太陽能電池50-51
  • 小結(jié)51-52
  • 第五章 工作總結(jié)及展望52-53
  • 參考文獻53-58
  • 研究生期間的主要工作58-59
  • 致謝59-61


您可以在本站搜索以下學術(shù)論文文獻來了解更多相關(guān)內(nèi)容

玻璃襯底多晶硅薄膜太陽電池的制備    崔海昱;涂潔磊;鄧菊蓮;王志剛;龍維緒;

部分重疊雙柵MOSFET特性的研究    韓名君;趙陽;柯導明;

CCD輸出二極管反向漏電機理的研究    易萍

晶界對AlGaN薄膜紫外探測器時間響應(yīng)特性的影響    王蘭喜;陳學康;王瑞;曹生珠;

6H-SiC熱氧化層高溫漏電及紅外光譜表征研究    曹群;牟維兵;楊翰飛;楊治美;龔敏;

鏈式氧化制備SiO_2膜的研究    張松;席曦;王振交;唐寧;季靜佳;李果華;

VB-GaAs晶體生長技術(shù)中摻Si濃度的控制    牛沈軍;王建利;蘭天平;

電化學C-V法對載流子濃度縱向分布的精確測量    李若凡;武一賓;楊瑞霞;馬永強;商耀輝;牛晨亮;

50 V LDMOS漏電容非線性研究    朱少博;孫偉鋒;李海松;陸生禮;

高效率808nm激光器的數(shù)值模擬研究    趙懿昊;陳宏泰;陳國鷹;楊紅偉;趙潤;彭海濤;

1N4626型齊納二極管的低噪聲關(guān)鍵技術(shù)研究    劉興輝;劉通;

功率MOSFET低溫工作特性分析    董志芳;

基于虛擬儀器技術(shù)的真實傳感器實驗    王云;李寶河;李長江;

Nb摻雜BaTiO3的電子結(jié)構(gòu)研究    涂才根;劉諾;張曦;

多重雜質(zhì)(Au、Ni)摻雜n型硅材料的熱敏特性    董茂進;陳朝陽;范艷偉;叢秀云;

疊層太陽電池中不同基質(zhì)硅量子點的特性研究    林娟;楊培志;

一種用于太陽被動跟蹤的光電角偏差探測裝置    賀曉雷;呂文華;李建英;于賀軍;

一種用于太陽被動跟蹤的光電角偏差探測裝置    賀曉雷;呂文華;李建英;于賀軍;

μc-Si (p)/c-Si(n)異質(zhì)結(jié)太陽電池的模擬計算與優(yōu)化    李力猛;韓兵;周炳卿;陳霞;郝麗媛;

納米金剛石薄膜紫外探測器研究    王蘭喜;陳學康;王云飛;郭晚土;吳敢;曹生珠;尚凱文;

HgCdTe環(huán)孔p-n結(jié)光伏探測器暗電流機制    李欣;王淑芬;毛京湘;趙晉云;

SOA非線性應(yīng)用關(guān)鍵參數(shù)的測量    程乘

硅基應(yīng)變引入方法與MOS器件相關(guān)基礎(chǔ)研究    楊洪東

溶膠—凝膠技術(shù)在紡織品多功能整理中的應(yīng)用    汪青

ZnO基透明導電膜的制備與摻雜研究    龔麗

超順磁性氧化鐵和LSMO/BCFO復合多鐵薄膜的制備及其物性研究    馬銘

氧化物薄膜憶阻器的材料選擇與行為機制研究    李海濤

氧化釓摻雜對氧化鉿高K柵介質(zhì)氧空位抑制作用及電學性能研究    季梅

射頻域巨介電/鐵氧體磁電雙性能材料與器件研究    賀穎

3C-SiC/Si異質(zhì)外延生長與肖特基二極管伏安特性的研究    陳達

高亮度大功率半導體激光器研究    喬忠良

高功率GaAs光電導開關(guān)設(shè)計技術(shù)研究    李寅鑫

硅、鍺切割片的損傷層研究    張秀芳

電子證據(jù)可靠性問題分析    崔震宇

Mn、Co、Al摻雜SiC薄膜制備及其光敏性質(zhì)研究    趙興亮

HIT太陽電池硅片處理及復合透明導電膜的研究    王淑珍

摻N的4H-SiC第一性原理研究    張智

電場對Bi-Sb-Te和Mg-Si-Sn熱電材料微觀結(jié)構(gòu)及其性能的影響    陳瑞雪

采用PLD方法在多種基底上生長ZnMgO三元薄膜及紫外探測器的制備    張俊

界面修飾對氧化鋅基薄膜晶體管性能的影響    曹欣悅

蝴蝶鱗片高吸光率機理分析及仿生結(jié)構(gòu)設(shè)計    商春輝

多晶硅薄膜太陽電池    張鳳鳴

多晶硅薄膜太陽電池襯底選擇的研究進展    崔海昱;謝建;劉祖明;廖華;姚朝輝;湯葉華;

多晶硅薄膜太陽電池    王文靜

極富發(fā)展前景的多晶硅薄膜太陽電池    李仲明

太陽能電池的種類    李萬河;

新能源材料    

太陽能價格追平火電三年可期    宋雪蓮;姚佳;

太陽能電池的開發(fā)趨勢    

新能源材料    

關(guān)于太陽能的市場應(yīng)用前景分析    李曉波;方玲;

2008年中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)回顧與展望    邱先磊;

薄膜太陽能:新生嬰兒快速成長    丘大可;

企業(yè)傳真    

友達太陽能垂直整合布局見雛型    

構(gòu)建生態(tài)宜居之都—從光伏建筑一體化開始    時方曉;陳曦;

用于HIT太陽能電池的本征非晶硅薄膜    宋佩珂;曾祥斌;張銳;趙伯芳;

薄膜太陽電池用TCO玻璃發(fā)展分析    郭衛(wèi);陳靜;

多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展淺析    魯瑾;祝大同;李清巖;

中性氣體流動對PECVD放電過程的影響    徐翔;馮杰;王友年;

銅銦硒(CIS)薄膜太陽能電池吸收層的硒化工藝優(yōu)化研究    王波;劉平;李偉;劉新寬;馬鳳倉;陳小紅;

銅銦鎵硒和銅鋅錫硫化合物半導體納米材料的制備    張庶;張曉琨;孫一靈;向勇;

薄膜太陽能電池的研究現(xiàn)狀和展望    徐軼;朱德貴;

光電子玻璃相關(guān)技術(shù)    

薄膜太陽能電池陶瓷襯底沉積工藝及性能的研究    黃勇;萬之堅;李海峰;

我國生產(chǎn)高端薄膜太陽能電池有了“利器”    記者 王春

非晶硅薄膜太陽能電池項目落戶北京平谷    通訊員 于雷鳴

非晶硅薄膜太陽能電池項目落戶平谷    于雷鳴

全球首條雙線雙結(jié)大面積薄膜太陽能電池項目在昌投產(chǎn)    記者 劉小榮

非晶硅薄膜太陽能電池項目開工    梅永生 王芳 姜木金

杜邦首度承認深圳薄膜太陽能電池廠不賺錢    記者 王佑

薄膜太陽能電池關(guān)鍵設(shè)備實現(xiàn)中國造    本報記者 汪葉舟

全球領(lǐng)先薄膜太陽能電池項目在南昌竣工    記者 胡曉軍 通訊員 邱垚

成本優(yōu)勢凸顯 薄膜太陽能電池產(chǎn)業(yè)提速    于化叢

超大型硅基薄膜太陽能電池下線    魏雙林

銅銦硒薄膜太陽能電池相關(guān)材料研究    萬磊

溶膠—凝膠法制備銅鋅錫硫(Cu_2ZnSnS_4)薄膜太陽能電池    蘇正華

納米半導體材料對新型薄膜太陽能電池性能影響的研究    郭薇

Cu_2ZnSnSe_4薄膜太陽能電池的制備及其p-n結(jié)能帶偏移的研究    李紀

柔性基底薄膜太陽能電池研究與試制    馮煜東

PECVD非晶硅薄膜制程工藝仿真建模    陸利新

玻璃基太陽能電池薄膜材料制備及其結(jié)構(gòu)和性能研究    徐慢

硅基和CIGS基ZnO薄膜生長及CIGS太陽能電池器件的研究    王應(yīng)民

對濺射法制備的銅銦鎵硒吸收層與摻鋁氧化鋅窗口層結(jié)構(gòu)與性能的研究    李欣益

基于二氧化鈦與聚苯胺太陽能電池的研究    劉自然

PECVD法制備多晶硅薄膜太陽能電池研究    井維科

薄膜太陽能電池窗口材料SnO_2的PECVD制備及其性能研究    羅志清

納米硅薄膜太陽能電池的制備和性能研究    葉楓

蝴蝶鱗片高吸光率機理分析及仿生結(jié)構(gòu)設(shè)計    商春輝

有機薄膜太陽能電池物理性質(zhì)的研究    王平

銅鋅錫硒薄膜太陽能電池相關(guān)材料的研究    韓磊

銅鋅錫硒薄膜太陽能電池研究    孟明明

硅基薄膜太陽能電池材料的制備與性能研究    尤天友

有機小分子薄膜太陽能電池器件電極緩沖層的機理研究    劉亞東

薄膜太陽能電池的遺傳算法優(yōu)化    王全志