Ni-AlN太陽(yáng)能選擇性吸收涂層中頻磁控濺射技術(shù)研究

【摘要】： 太陽(yáng)能選擇性吸收涂層制備技術(shù)是太陽(yáng)能熱利用的關(guān)鍵技術(shù)之一,目前存在高溫穩(wěn)定性差、工藝穩(wěn)定差、制備工藝復(fù)雜等問(wèn)題。將Ni-AlN材料體系和中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)結(jié)合起來(lái)有可能開(kāi)發(fā)出光學(xué)性能和高溫性能優(yōu)異的選擇性吸收涂層的低成本工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)。 本論文對(duì)中頻反應(yīng)磁控濺射工藝參數(shù)對(duì)TiN薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響進(jìn)行了研究,結(jié)果表明氮?dú)饬髁亢桶泄β蕦?duì)薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響較大。 對(duì)中頻反應(yīng)磁控濺射工藝參數(shù)對(duì)Al靶放電特性和制備的AlN薄膜顯微結(jié)構(gòu)的影響進(jìn)行了研究,結(jié)果表明:氮?dú)饬髁俊鍤饬髁?、靶功率和靶面磁?chǎng)對(duì)Al靶的放電特性有顯著影響;Al靶電壓隨著氮?dú)饬髁康脑黾佣鴾p小,當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁砍^(guò)臨界值后,Al靶電壓隨著氮?dú)饬髁吭黾佣陆档乃俣燃涌?減小氬氣流量和增加靶電流使Al靶開(kāi)始發(fā)生嚴(yán)重靶中毒所對(duì)應(yīng)的臨界氮?dú)饬髁坑兴黾?。隨著氮?dú)饬髁康脑龃?沉積的AlN薄膜含氮量不斷增加,其相組成由以單質(zhì)鋁相為主逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)橐訟lN相為主,薄膜的致密性有明顯改善;增大氬氣流量或減小靶電流使制備完全符合理想化學(xué)計(jì)量比的AlN薄膜的氮?dú)饬髁糠秶冃?AlN薄膜的相結(jié)構(gòu)由納米晶向非晶轉(zhuǎn)變;增大氬氣流量和靶電流有利于薄膜表面粗糙度和致密性的改善。 對(duì)Ni-AlN復(fù)合薄膜的共濺射沉積工藝和顯微結(jié)構(gòu)的研究表明:當(dāng)同時(shí)開(kāi)啟Ni靶和Al靶時(shí),Al靶表面開(kāi)始發(fā)生嚴(yán)重靶中毒所對(duì)應(yīng)的臨界氮?dú)饬髁坑兴黾? Ni-AlN復(fù)合薄膜表面的顆粒尺寸明顯小于相同條件下沉積的AlN薄膜;制備的Ni-AlN復(fù)合薄膜由非晶態(tài)的AlN和納米晶的Ni組成,N/Al比低于理想化學(xué)計(jì)量比,Ni含量明顯高于Al含量。 對(duì)梯度Ni-AlN選擇性吸收涂層結(jié)構(gòu)對(duì)其性能的影響進(jìn)行了研究,并與制備的梯度Al-AlN選擇性吸收涂層進(jìn)行了比較,結(jié)果表明:隨著Ni-AlN復(fù)合材料吸收亞層層數(shù)的增加,制備的選擇性吸收涂層的可見(jiàn)光反射率有所下降,在制備AlN減反射膜后,選擇性吸收涂層的可見(jiàn)光反射率明顯降低;隨著梯度Ni-AlN選擇性吸收涂層的濃度梯度減緩,選擇性吸收涂層的可見(jiàn)光反射率不斷減小;當(dāng)單層Ni-AlN復(fù)合材料吸收亞層的沉積時(shí)間為10min時(shí)制備的梯度Ni-AlN選擇性吸收涂層在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的反射率小于15%,且具有明顯的光譜選擇性。 【關(guān)鍵詞】：Ni-AlN 梯度 選擇性吸收涂層 太陽(yáng)能 中頻反應(yīng)磁控濺射
【學(xué)位授予單位】：中國(guó)地質(zhì)大學(xué)（北京）
【學(xué)位級(jí)別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2007
【分類號(hào)】：O484.1
【目錄】：

• 中文摘要5-6
• Abstract6-12
• 1 引言12-30
• 1.1 選題背景及研究意義12-14
• 1.2 太陽(yáng)能選擇性吸收涂層研究現(xiàn)狀14-26
• 1.2.1 太陽(yáng)能選擇性吸收涂層的基本概念14-16
• 1.2.2 選擇性吸收涂層的基本原理16-18
• 1.2.3 太陽(yáng)能選擇性吸收涂層的制備方法18-23
• 1.2.4 反應(yīng)磁控濺射過(guò)程中化合物膜的沉積23-26
• 1.3 論文的研究?jī)?nèi)容、目標(biāo)及主要貢獻(xiàn)26-30
• 1.3.1 研究?jī)?nèi)容與目標(biāo)26-27
• 1.3.2 論文章節(jié)安排27-28
• 1.3.3 論文主要貢獻(xiàn)和創(chuàng)新點(diǎn)28-30
• 2 實(shí)驗(yàn)裝置和實(shí)驗(yàn)方法30-44
• 2.1 薄膜制備方法30-35
• 2.1.1 中頻反應(yīng)磁控濺射設(shè)備30-34
• 2.1.2 基體材料及預(yù)處理34-35
• 2.1.3 薄膜沉積工藝35
• 2.2 薄膜分析檢測(cè)方法35-44
• 2.2.1 膜層厚度測(cè)試35-36
• 2.2.2 缺陷的定量分析36-37
• 2.2.3 結(jié)合強(qiáng)度測(cè)試37
• 2.2.4 掃描電子顯微分析37-38
• 2.2.5 X 射線衍射分析38-39
• 2.2.6 X 射線光電子能譜分析39-40
• 2.2.7 俄歇電子能譜分析40-41
• 2.2.8 薄膜的反射率測(cè)量方法41-44
• 3 TiN 薄膜的中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)研究44-60
• 3.1 引論44
• 3.2 TiN 薄膜的中頻磁控沉積工藝44
• 3.3 沉積工藝對(duì)TiN 薄膜沉積速率的影響44-48
• 3.4 沉積工藝對(duì)TiN 薄膜宏觀形貌的影響48-50
• 3.5 沉積工藝對(duì)TiN 薄膜微觀表面形貌的影響50-56
• 3.5.1 沉積工藝對(duì)TiN 薄膜表面缺陷數(shù)的影響50-52
• 3.5.2 沉積工藝對(duì)TiN 薄膜表面缺陷面積百分比的影響52-56
• 3.6 沉積工藝對(duì) TiN 薄膜結(jié)合力的影響56-60
• 4 AlN 薄膜的中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)研究60-82
• 4.1 引論60
• 4.2 氮?dú)饬髁康挠绊?/span>60-68
• 4.2.1 氮?dú)饬髁繉?duì)鋁靶放電特性的影響60-62
• 4.2.2 氮?dú)饬髁繉?duì)薄膜表面形貌的影響62-64
• 4.2.3 氮?dú)饬髁繉?duì)薄膜成分和化學(xué)結(jié)合狀態(tài)的影響64-67
• 4.2.4 氮?dú)饬髁繉?duì)薄膜相結(jié)構(gòu)的影響67-68
• 4.3 氬氣流量的影響68-75
• 4.3.1 氬氣流量對(duì)鋁靶放電特性的影響68-69
• 4.3.2 氬氣流量對(duì)薄膜表面形貌的影響69-70
• 4.3.3 氬氣流量對(duì)薄膜成分和化學(xué)結(jié)合狀態(tài)的影響70-73
• 4.3.4 氬氣流量對(duì)薄膜相結(jié)構(gòu)的影響73-75
• 4.4 靶電流的影響75-79
• 4.4.1 靶電流對(duì)鋁靶放電特性的影響75
• 4.4.2 靶電流對(duì)薄膜表面形貌的影響75-76
• 4.4.3 靶電流對(duì)薄膜成分和化學(xué)結(jié)合狀態(tài)的影響76-79
• 4.4.4 靶電流對(duì)薄膜相結(jié)構(gòu)的影響79
• 4.5 靶面磁場(chǎng)對(duì)鋁靶放電特性的影響79-82
• 5 Ni-AlN 復(fù)合薄膜的中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)研究82-92
• 5.1 引論82
• 5.2 鋁靶的放電特性82-84
• 5.3 鎳靶的放電特性84-85
• 5.4 Ni-AlN 復(fù)合薄膜的顯微結(jié)構(gòu)85-92
• 5.4.1 Ni-AlN 復(fù)合薄膜的表面形貌85-86
• 5.4.2 Ni-AlN 復(fù)合薄膜的成分和化學(xué)結(jié)合狀態(tài)86-89
• 5.4.3 Ni-AlN 復(fù)合薄膜的相結(jié)構(gòu)89-92
• 6 梯度Ni-AlN 選擇性吸收涂層研究92-100
• 6.1 引論92
• 6.2 Ni-AlN 復(fù)合材料吸收亞層層數(shù)對(duì)涂層反射率的影響92-93
• 6.3 Ni-AlN 選擇性吸收涂層濃度梯度對(duì)涂層反射率的影響93-98
• 6.4 梯度Al-AlN 選擇性吸收涂層98-100
• 7 成膜機(jī)理分析100-110
• 7.1 引論100
• 7.2 薄膜的成膜過(guò)程100-103
• 7.3 TiN 薄膜和AlN 薄膜的成膜過(guò)程分析103-107
• 7.4 Ni-AlN 復(fù)合薄膜的成膜過(guò)程分析107-110
• 結(jié)論110-112
• 研究結(jié)論110-111
• 對(duì)下一步工作的建議111-112
• 致謝112-114
• 參考文獻(xiàn)114-124
• 附錄124
• 論文發(fā)表情況124
• 個(gè)人簡(jiǎn)歷124

您可以在本站搜索以下學(xué)術(shù)論文文獻(xiàn)來(lái)了解更多相關(guān)內(nèi)容

光譜選擇性太陽(yáng)能吸收涂層的研究進(jìn)展    高祥虎;趙鑫;耿慶芬;劉剛;

太陽(yáng)光譜選擇性吸收復(fù)合涂層的制備與性能研究    萬(wàn)倩

磁控濺射法制備Cr-CrO太陽(yáng)能選擇吸收涂層研究    萬(wàn)維威

磁控濺射法制備Cr-Cr_2O_3干涉型太陽(yáng)能選擇吸收薄膜的研究    熊黎

反應(yīng)濺射制備AlN薄膜中沉積速率的研究    許小紅,武海順,張富強(qiáng),張聰杰,李佐宜

磁控共濺射Ni_3Al合金薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及電阻特性    李義兵;王小軍;周繼承;

黑鎳選擇性吸收涂層光學(xué)性能研究    胡文旭,魯百佐

Al-C-F/漸變SS-C/Al選擇性吸收表面    侯蘇平,殷志強(qiáng),史月艷

黑鎳涂層的制備與光學(xué)性能研究    胡文旭

太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層新型顏料的合成研究    劉勝峰

干涉型太陽(yáng)選擇性吸收涂層的光學(xué)性能設(shè)計(jì)    楊曉繼,殷志強(qiáng),史月艷

太陽(yáng)能制氫技術(shù)    鄭宏飛 ,王義春

干涉-吸收型太陽(yáng)光譜選擇性吸收表面    楊曉繼,史月艷,殷志強(qiáng)

鋁靶脈沖反應(yīng)濺射沉積氧化鋁薄膜中的遲滯回線的研究    茅昕輝,劉云峰,張浩康,陳國(guó)平

中頻磁控濺射制備AIN薄膜及其離子注入研究    黎明鍇

Ti/TiN多層膜離子束輔助沉積工藝、結(jié)構(gòu)及性能研究    任毅

帶洞口連續(xù)墻梁的非線性分析    王宗木，曹定秀

墻體材料成型模具表面處理現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)    法曾陽(yáng);談?wù)?

低碳鋼等離子表面冶金Mo-Cr合金層的研究    徐晉勇;唐萬(wàn)興;許敏;杜麗;高原;徐重;

稀土鋯合金顯微成分相的SEM+EDS分析    許宏飛;史利軍;殷濤;梁棟;

稀土鋯合金微觀斷口形貌的評(píng)價(jià)和表征    許宏飛;

NiSi_2外延單晶薄膜TEM分析樣品的制備方法——兩步局部化學(xué)減薄法    黃賢芳,關(guān)中凡,李一之,陳文艷,曾紹洪,柯行生

RHEED在計(jì)算Al_2O_3晶面間距中的應(yīng)用    王兆陽(yáng);胡禮中;

TEM電子束誘導(dǎo)硅表面氧化的分析    楊德仁,姚鴻年

熱鍍鋅沉沒(méi)輥系統(tǒng)長(zhǎng)壽化研究    田凱;

低碳鋼表面合金強(qiáng)化層組織及性能的研究    徐晉勇;宋宜梅;高原;余運(yùn)江;徐重;

磁控濺射鍍鉭及其性能的研究    單玉橋;于曉中;李力;田曉飛;

太陽(yáng)吸收比的計(jì)算方法    周小雯;殷志強(qiáng);

襯底溫度對(duì)磁控濺射氮化鋁薄膜組成的影響    張淑芳;方亮;付光宗;董建新;彭麗萍;

虛擬制造-無(wú)煙工業(yè)    范文慧;肖田元;張林宣;

采用中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)沉積氮化鋯薄膜    孫維連;楊鈺瑛;李新領(lǐng);

一種新型多功能離子注入／鍍膜系統(tǒng)介紹    孟凡浩;劉宣勇;

電弧離子鍍沉積參數(shù)對(duì)TiN薄膜性能的影響    楊文茂;李雪源;吳志勇;

太陽(yáng)能光譜選擇性吸收保護(hù)涂層    楊中周;于翔;肖國(guó)豐;付志強(qiáng);

高頻脈沖電鍍鎳鍍層在3．5％NaCl溶液中的耐蝕性    趙宇;楊玉國(guó);許韻華;宮曉靜;曹克寧;

表面活性劑在金屬注射成型工藝中的應(yīng)用研究    余浩;蔣顯全;

擴(kuò)散火焰形態(tài)及氣化爐內(nèi)熔渣沉積與傳熱規(guī)律研究    梁欽鋒

7YSZ/Al_2O_3/Ni-343多層熱障涂層的同步合成及其性能研究    宋建榮

碳納米纖維的高溫轉(zhuǎn)變及其同質(zhì)異構(gòu)結(jié)的特性研究    祁祥

大麻纖維的形態(tài)、結(jié)構(gòu)與吸濕性能及其成紗品質(zhì)的研究    張金秋

利用可控氣氛熱噴涂方法制備復(fù)合材料涂層的研究    宋丹

兩種含Gd鎂合金微觀組織演變機(jī)制及性能研究    郭全英

燃料電池用碳?xì)饽z載鉑基催化劑的制備與表征    郭志軍

5754鋁鎂合金微弧氧化膜的制備及其理化特性研究    于松楠

MOCVD法制備氧化鋅發(fā)光器件及薄膜晶體管的研究    趙旺

幾種光電材料的制備及性能研究    張洪亮

鎳鈦合金堵閉器鉭鍍層的制備與性能研究    王建軍

抗固體粒子沖蝕磨損CrN_x鍍層的性能研究    李偉光

Mn、Co、Al摻雜SiC薄膜制備及其光敏性質(zhì)研究    趙興亮

射頻反應(yīng)濺射法制備SnO_2薄膜及其工藝研究    郝龍

液氨處理前后麻織物的濕傳遞性能研究    戴春芬

A1基Pb-PAN復(fù)合鍍層的電沉積制備和性能研究    張冬

Ti基復(fù)合陽(yáng)極材料的制備及性能研究    姜妍妍

PVD技術(shù)制備鉑基摻鈰薄膜及其結(jié)構(gòu)研究    李艷

易門(mén)獅子山銅礦床地質(zhì)特征及鈷、銀賦存規(guī)律研究    姬麗娜

基于B/S等離子弧噴涂專家系統(tǒng)的研究    姚瑤

鋁溶膠的制備及影響因素的研究    謝安建,沈玉華,黃方志,費(fèi)菲

干涉型Al-N-O選擇性吸收表面的研究    謝光明,李金許,高漢三,尹萬(wàn)里

射頻反應(yīng)磁控濺射制備氧化鉻薄膜技術(shù)及性能    熊小濤,閻良臣,楊會(huì)生,王燕斌

表面工程與熱噴涂技術(shù)及其發(fā)展    徐濱士,李長(zhǎng)久,劉世參,馬世寧

鎢-氮化鋁太陽(yáng)能選擇性吸收表面的研制    謝光明,于鳳勤

TiO_2薄膜在玻璃材料上的親水性研究    汪宇炎;汪洋;

Ti-O薄膜中O含量對(duì)紫外光-可見(jiàn)光吸收的影響    萬(wàn)維威;何翔;孫奉?yuàn)?

研究蝕刻液穩(wěn)定性的一種方法    傅玉婷;巴俊洲;蔣亞雄;顏飛雪;

TiO_2光催化劑的可見(jiàn)光敏化研究    張峰,李慶霖,楊建軍,張治軍

電化學(xué)表面技術(shù)在太陽(yáng)能熱轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用    陳延禧,韓佐青,王士逯

氧化鉻薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理及力學(xué)性能表征    龐曉露

等離子噴涂法與Sol-Gel法復(fù)合制備中高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層的研究    李光磊

新型中高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層的制備與研究    王輝

氧化鋁溶膠的性質(zhì)與致密氧化鋁膜的制備工藝研究    王喜娜

Ti-O薄膜的制備及其性能研究    徐祿祥

中高溫太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層的研制    李金花

高溫高發(fā)射率紅外輻射涂層的制備與研究    陳武

TiNx太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜的研究    付淑英

太陽(yáng)能光熱轉(zhuǎn)化選擇性吸收涂層研究進(jìn)展    熊德華;陳煒;李宏;

太陽(yáng)能選擇性吸收薄膜研究進(jìn)展及展望    張霖;趙騰;陳大鵬;周佳南;干蜀毅;陳長(zhǎng)琦;

影響薄膜(涂層)硬度測(cè)試的因素    李河清,蔡珣,馬峰,陳秋龍

TiN/AlN納米多層膜的研究    李戈揚(yáng),施曉蓉,吳亮,許俊華,戎詠華,張惠娟

Ni_3Al薄膜涂層的制備與性能研究    胥偉華,孟祥康,朱沛臣,王凱良,袁長(zhǎng)勝,柯善哲,馮端

納米銅-鎳多層膜的耐磨性研究    李振明

氮化鋁薄膜結(jié)構(gòu)和表面粗糙度的研究    許小紅,武海順,張富強(qiáng),金志浩

AIN薄膜的成分、相結(jié)構(gòu)和氧化性能    夏立芳，王佐誠(chéng)，孫躍，馬欣新，陳士芳

高能離子束輔助沉積制備鈦納米膜    白彬;嚴(yán)東旭;梁紅偉;張厚亮;陸雷;

表面微觀形貌的顯微干涉檢測(cè)原理及干涉顯微鏡發(fā)展現(xiàn)狀    高志山,陳進(jìn)榜

離子束濺射工藝中的基片溫度及其控制方法    賈嘉,陳新禹

離子束混合形成氮化鈦膜的摩擦和光學(xué)性能    閻鵬勛，楊思澤

射頻功率對(duì)反應(yīng)磁控濺射法沉積的a-C:F薄膜的影響    江美福,寧兆元

反應(yīng)磁控濺射法制備的氟化類金剛石薄膜的XPS結(jié)構(gòu)研究    江美福,寧兆元

反應(yīng)磁控濺射法沉積的氟化類金剛石薄膜的結(jié)構(gòu)分析    江美福,寧兆元

氟化類金剛石薄膜的拉曼和紅外光譜結(jié)構(gòu)研究    江美福,寧兆元

中頻反應(yīng)磁控濺射制備氧化鋁薄膜的工藝探索    何國(guó)金,郭太良

氧化鐵鎳薄膜的制備與表征    黃金昭;徐征;李海玲;亢國(guó)虎;王文靜;

反應(yīng)磁控濺射法制備TiO_2薄膜    譚永勝;龔恒翔;方澤波;

磁控反應(yīng)濺射沉積AlN薄膜的制備工藝    朱昌;朱春燕;

雙靶反應(yīng)磁控濺射共沉積AlN薄膜粘結(jié)性能研究    朱家俊;周靈平;劉新勝;彭坤;李德意;李紹祿;

反應(yīng)磁控濺射制備的Cr-N薄膜的成相行為    趙韋人,李鳴楚,伍錦添,於元炯

反應(yīng)磁控濺射法沉積用于制備納米晶硅鑲嵌于SiO_2結(jié)構(gòu)的SiO_x(x＜2)薄膜可行性研究    方應(yīng)翠;吳臣國(guó);朱武;陳長(zhǎng)琦;

光學(xué)薄膜領(lǐng)域反應(yīng)磁控濺射技術(shù)的進(jìn)展    閆宏;趙福庭;

反應(yīng)磁控濺射制備二氧化鈦薄膜的光催化特性研究    章壯健;張永熙;董昊;楊錫良;陳華仙;沈杰;蔣益明;

反應(yīng)磁控濺射制備太陽(yáng)能選擇吸收膜需關(guān)注的問(wèn)題    劉兆斌;趙正中;梁云龍;任家生;

氧分壓對(duì)反應(yīng)磁控濺射ZrO_2薄膜光學(xué)透射率的影響    趙莎;徐可為;

反應(yīng)磁控濺射法制備的NiO_x薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能研究    周瑩;耿永友;顧冬紅;

反應(yīng)磁控濺射AlN薄膜性能的研究    朱春燕;朱昌;

WO_3薄膜的Li~+傳輸性能的研究    鄧檢;葉勤;于明澤;

影響反應(yīng)磁控濺射法制備VO_2薄膜的各種因素    陳長(zhǎng)琦;陳慶連;王君;方應(yīng)翠;王旭迪;

O／N比率對(duì)磁控濺射制備TiN_xO_y薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響    王建強(qiáng);沈輝;汪保衛(wèi);

射頻反應(yīng)磁控濺射制備高頻用Fe-N薄膜結(jié)構(gòu)與磁性的研究    李曉宇

太陽(yáng)電池減反射薄膜的研究    王賀權(quán)

反應(yīng)磁控濺射制備AlN薄膜及其發(fā)光性能研究    佟洪波

反應(yīng)磁控濺射法制備的氟化類金剛石薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究    江美福

嵌入式電極側(cè)向場(chǎng)激勵(lì)FBAR若干問(wèn)題的研究    馮斌

雙旋轉(zhuǎn)靶共濺法制備和研究摻鋁氧化鋅薄膜及其在硅薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用    朱紅兵

反應(yīng)磁控濺射ZnO薄膜在Si基片上的生長(zhǎng)行為    劉志文

氧化鉻薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理及力學(xué)性能表征    龐曉露

WO_3基氣敏傳感器薄膜材料的性質(zhì)及應(yīng)用研究    楊曉紅

氧化鋅基紫外光電薄膜及器件的技術(shù)研究    向嶸

反應(yīng)磁控濺射法制備玻璃基TiO_2/TiN/TiO_2多層薄膜的研究    李春領(lǐng)

反應(yīng)磁控濺射制備Al-Cu-N涂層的結(jié)構(gòu)及性能    郭軍

等離子體發(fā)射光譜及其在ZnO薄膜生長(zhǎng)中的應(yīng)用    李勇

電致變色WO_x和WO_x：Mo薄膜的制備及其特性研究    施萍萍

反應(yīng)磁控濺射制備VO_2薄膜及表面特征研究    陳慶連

磁控濺射法制備N、W共摻雜TiO_2薄膜及其光致親水性研究    劉欣

Gd_2O_3摻雜CeO_2電解質(zhì)薄膜的生長(zhǎng)及電學(xué)性能    王昊

磁控濺射制備氮化鈦及其復(fù)合薄膜材料的耐腐蝕性研究    王世紅

TaN微波功率薄膜電阻器的制備及性能研究    向陽(yáng)

Gd摻雜CeO_2電解質(zhì)薄膜的生長(zhǎng)與電學(xué)特性研究    馬小葉