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有機(jī)太陽能電池的理論模擬及旋涂/靜電噴霧法制備

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時(shí)間:2024-08-18 21:27:39
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有機(jī)太陽能電池的理論模擬及旋涂/靜電噴霧法制備【摘要】:隨著人類對(duì)能源的需求和消耗不斷增加,研發(fā)清潔、綠色且低成本的新能源具有重要意義。有機(jī)太陽能電池(OSC)生產(chǎn)成本低、可制備成

【摘要】:隨著人類對(duì)能源的需求和消耗不斷增加,研發(fā)清潔、綠色且低成本的新能源具有重要意義。有機(jī)太陽能電池(OSC)生產(chǎn)成本低、可制備成柔性和便攜式器件,并具有卷對(duì)卷生產(chǎn)的潛力,是新能源領(lǐng)域最富發(fā)展前景的研究方向之一。為進(jìn)一步提高OSC器件效率,并促進(jìn)有機(jī)太陽能電池的實(shí)用化進(jìn)程,當(dāng)前對(duì)OSC器件的研究主要集中在四個(gè)方面:開發(fā)具有寬光譜、高載流子遷移率的活性材料;通過理論模擬優(yōu)化器件結(jié)構(gòu);采用電極修飾材料提高電荷傳輸和收集效率;研究能夠制備柔性基底/大面積器件的生產(chǎn)制備方法。本文主要對(duì)OSC器件的理論模擬、電極修飾,以及靜電噴霧法制備進(jìn)行了研究。 對(duì)OSC器件的光電轉(zhuǎn)換過程建立理論模型進(jìn)行仿真模擬,將理論仿真結(jié)果與器件實(shí)驗(yàn)結(jié)果相結(jié)合,將有助于理解器件工作機(jī)理,優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),指導(dǎo)器件實(shí)驗(yàn)的方向。理論模擬方面,本文通過理論模型和數(shù)值模擬對(duì)器件進(jìn)行分析與設(shè)計(jì)。首先根據(jù)光學(xué)模型和電學(xué)模型,設(shè)計(jì)出能夠?qū)SC器件中電磁場(chǎng)分布和器件效率進(jìn)行仿真計(jì)算的軟件系統(tǒng)。通過理論模擬對(duì)平面異質(zhì)結(jié)有機(jī)太陽能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),從理論上得到了給體、受體和陰極緩沖層的優(yōu)化厚度,以及器件中光強(qiáng)分布隨各層薄膜厚度的變化規(guī)律。通過與器件實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比較,分析了基于CuPc/C60的雙層異質(zhì)結(jié)OSC器件性能與結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。所用的分析方法具有創(chuàng)新性,該方法及所設(shè)計(jì)的軟件系統(tǒng)可應(yīng)用于具有不同材料、不同結(jié)構(gòu)活性層的OSC器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和性能仿真,對(duì)于OSC器件工作機(jī)理的理解和實(shí)驗(yàn)結(jié)果預(yù)測(cè)都具有重要意義。 采用旋涂法制備器件活性層,并首次采用Zn4O(AID)6材料作為基于P3HT:PCBM的本體異質(zhì)結(jié)器件的陰極修飾層,實(shí)驗(yàn)證明該材料可有效提高器件效率達(dá)70%。將實(shí)驗(yàn)結(jié)果與光學(xué)模擬結(jié)果相結(jié)合,分析了該陰極修飾層能夠提高器件效率的原因。結(jié)果表明Zn4O(AID)6可用來對(duì)OSC器件的陰極進(jìn)行修飾,同時(shí),理論模擬可作為探究OSC器件工作機(jī)理的有效工具。 同旋涂法相比,靜電噴霧(ES)法具有工藝過程可控、可實(shí)現(xiàn)自組裝納米結(jié)構(gòu)、成本低、材料浪費(fèi)少等優(yōu)點(diǎn),且易于制備大面積和柔性基底的器件,對(duì)未來OPV的實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化具有重大意義。利用靜電噴霧法制備有機(jī)太陽能電池活性層,并對(duì)所用的溶劑體系進(jìn)行了優(yōu)化。首次以醋酸作為添加劑,用靜電噴霧法制備有機(jī)太陽能電池器件中P3HT:PCBM活性層。通過對(duì)活性層形貌和器件性能進(jìn)行表征分析,結(jié)果表明以醋酸做為添加劑制備的器件優(yōu)于其他添加劑,并得到了最佳配比的溶劑體系,制備出器件的效率(2.99±0.08%)與旋涂法制備的器件效率(3.12±0.09%)接近,顯著高于在空氣中旋涂制備活性層的器件效率(2.44±0.12%)。對(duì)ES法制備的器件和旋涂法制備的器件進(jìn)行了穩(wěn)定性比較,結(jié)果表明ES制備的器件在空氣中更加穩(wěn)定。 系統(tǒng)研究了靜電噴霧法的工藝過程對(duì)活性層形貌和器件性能的影響。首先推導(dǎo)出了靜電噴霧的霧滴蒸發(fā)過程的Damkh ler參數(shù)顯式表達(dá)式。然后,通過調(diào)節(jié)ES過程的流量和基板溫度,改變與溶劑揮發(fā)速度有關(guān)的Damkh ler參數(shù),控制活性層形貌。得到了為形成有利于光伏效應(yīng)的活性層,Damkh ler參數(shù)應(yīng)滿足的條件,以及相應(yīng)的ES工藝參數(shù)。并對(duì)ES法制備的活性層厚度進(jìn)行了優(yōu)化研究。在溶劑系統(tǒng)和工藝參數(shù)優(yōu)化的條件下,在空氣中用ES法制備出的器件效率(3.09±0.11%)與旋涂法在氮?dú)猸h(huán)境制備的器件效率接近。研究結(jié)果表明ES法可以取代旋涂法來制備OSC器件,并且可以通過對(duì)ES工藝過程參數(shù)的調(diào)節(jié)來有效控制活性層形貌。最后,利用靜電噴霧法制備出具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)活性層的OSC器件,其中具有多層結(jié)構(gòu)活性層的器件效率達(dá)3.23±0.08%,具有梯度濃度分布活性層的器件效率達(dá)3.39±0.11%。結(jié)果表明ES能夠方便地制備具有多層分層結(jié)構(gòu)或梯度濃度分布的活性層,形成更有利于電荷的傳輸和收集的活性層結(jié)構(gòu),從而提高器件效率。 本論文將理論模擬與器件制備實(shí)驗(yàn)相結(jié)合,通過研究OSC器件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化、電極修飾和靜電噴霧制備方法,在提高器件效率和開發(fā)實(shí)用化生產(chǎn)制備方法方面得到了創(chuàng)新性的成果,為制備高效率、柔性基底和大面積有機(jī)太陽能電池的研究奠定了理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。 【關(guān)鍵詞】:有機(jī)太陽能電池 數(shù)值模擬 結(jié)構(gòu)優(yōu)化 靜電噴霧 活性層形貌
【學(xué)位授予單位】:南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號(hào)】:TM914.4
【目錄】:
  • 摘要5-7
  • Abstract7-13
  • 專用術(shù)語注釋表13-16
  • 第一章 緒論16-33
  • 1.1 研究背景16-18
  • 1.2 有機(jī)太陽能電池發(fā)展歷史18-19
  • 1.3 有機(jī)太陽能電池工作機(jī)理19-26
  • 1.3.1 有機(jī)太陽能電池光電轉(zhuǎn)換過程19-22
  • 1.3.2 有機(jī)太陽能電池器件結(jié)構(gòu)22-25
  • 1.3.3 有機(jī)太陽能電池器件的性能表征25-26
  • 1.4 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀綜述26-30
  • 1.4.1 活性材料27
  • 1.4.2 界面修飾與器件結(jié)構(gòu)27-28
  • 1.4.3 理論模擬與器件優(yōu)化設(shè)計(jì)28-29
  • 1.4.4 器件制備與靜電噴霧法在有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用29-30
  • 1.5 本論文的研究思路與主要工作30-33
  • 第二章 材料以及器件制備和測(cè)試表征33-47
  • 2.1 材料33-36
  • 2.1.1 給體材料33-34
  • 2.1.2 受體材料34-35
  • 2.1.3 界面修飾材料35-36
  • 2.2 器件制備36-42
  • 2.2.1 基片制備與清洗36-37
  • 2.2.2 基片預(yù)處理37
  • 2.2.3 旋涂37-38
  • 2.2.4 靜電噴霧38-41
  • 2.2.5 真空蒸鍍41-42
  • 2.3 器件測(cè)試與表征42-46
  • 2.3.1 電流–電壓(J–V)特性測(cè)量42-43
  • 2.3.2 IPCE 測(cè)量43
  • 2.3.3 吸收光譜的測(cè)量43-44
  • 2.3.4 原子力顯微鏡(AFM)44
  • 2.3.5 X 射線衍射(XRD)44-45
  • 2.3.6 薄膜厚度的測(cè)量45
  • 2.3.7 光學(xué)顯微鏡(OM)45-46
  • 2.4 本章小結(jié)46-47
  • 第三章 理論模型及其數(shù)值解法47-65
  • 3.1 理論模型47-54
  • 3.1.1 光學(xué)模型47-50
  • 3.1.2 電學(xué)模型50-54
  • 3.2 數(shù)值解法54-64
  • 3.2.1 方程的離散化54-57
  • 3.2.2 泊松方程和擴(kuò)散–漂移方程求解57-64
  • 3.3 本章小結(jié)64-65
  • 第四章 有機(jī)太陽能電池的理論模擬與雙層異質(zhì)結(jié)器件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化65-87
  • 4.1 研究背景65-66
  • 4.2 器件模擬66-73
  • 4.2.1 光學(xué)模擬66-69
  • 4.2.2 電學(xué)模擬69-73
  • 4.3 雙層異質(zhì)結(jié)器件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化73-86
  • 4.3.1 器件結(jié)構(gòu)73-74
  • 4.3.2 活性材料的光吸收特性及模擬方法74-75
  • 4.3.3 實(shí)驗(yàn)方法75
  • 4.3.4 結(jié)果與討論75-86
  • (1)干涉峰值位置75-78
  • (2)陰極緩沖層厚度的影響78-81
  • (3)電磁場(chǎng)分布81-82
  • (4)JSC模擬計(jì)算82-84
  • (5)實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬結(jié)果的對(duì)比84-86
  • 4.4 本章小結(jié)86-87
  • 第五章 新型陰極緩沖層對(duì)體異質(zhì)結(jié)有機(jī)太陽能電池性能的影響87-94
  • 5.1 研究背景87
  • 5.2 實(shí)驗(yàn)方法87-88
  • 5.3 結(jié)果與討論88-93
  • 5.3.1 Zn4O(AID)6層厚度對(duì)器件性能的影響88-90
  • 5.3.2 能級(jí)分析90-91
  • 5.3.3 等效電路分析91-92
  • 5.3.4 光學(xué)模擬92-93
  • 5.4 本章小結(jié)93-94
  • 第六章 靜電噴霧法制備有機(jī)太陽能電池及溶劑體系的優(yōu)化與比較94-109
  • 6.1 靜電噴霧法制備有機(jī)薄膜的工藝條件探索94-98
  • 6.1.1 溶液導(dǎo)電性94-96
  • 6.1.2 溶液濃度96-97
  • 6.1.3 噴嘴到基板之間距離97
  • 6.1.4 流量97-98
  • 6.2 器件制備實(shí)驗(yàn)方法98-99
  • 6.3 溶劑體系的優(yōu)化與比較99-107
  • 6.3.1 溶劑體系的優(yōu)化99-101
  • 6.3.2 靜電噴霧法制備的活性層形貌分析101-103
  • 6.3.3 衍射譜和光譜分析103-105
  • 6.3.4 靜電噴霧法制備的 OSC 器件 J–V 特性105-106
  • 6.3.5 靜電噴霧法制備的 OSC 器件與旋涂法制備的 OSC 器件穩(wěn)定性比較106-107
  • 6.4 本章小結(jié)107-109
  • 第七章 靜電噴霧參數(shù)對(duì)活性層形貌和器件性能的影響及相關(guān)機(jī)理研究109-129
  • 7.1 研究背景109-110
  • 7.2 實(shí)驗(yàn)方法110-111
  • 7.3 蒸發(fā)過程的 Damkh ler 參數(shù)111-112
  • 7.4 結(jié)果與討論112-121
  • 7.4.1 靜電噴霧過程中 Damkh ler 參數(shù)的調(diào)節(jié)112-114
  • 7.4.2 Damkh ler 參數(shù)對(duì)薄膜形貌的影響114-115
  • 7.4.3 Damkh ler 參數(shù)對(duì)薄膜光吸收和微觀形貌的影響115-118
  • 7.4.4 Damkh ler 參數(shù)對(duì)器件性能的影響118-121
  • 7.4.5 對(duì)于 Damkh ler 參數(shù)的補(bǔ)充說明121
  • 7.5 靜電噴霧法制備的活性層厚度對(duì)器件性能的影響121-123
  • 7.6 靜電噴霧法制備復(fù)雜結(jié)構(gòu)的活性層及器件性能123-127
  • 7.6.1 多層結(jié)構(gòu)的活性層及器件123-126
  • 7.6.2 梯度濃度的活性層結(jié)構(gòu)126-127
  • 7.7 本章小結(jié)127-129
  • 第八章 總結(jié)與展望129-132
  • 8.1 本論文總結(jié)129-130
  • 8.2 下一步工作展望130-132
  • 參考文獻(xiàn)132-145
  • 附錄1 程序清單145-156
  • 附錄2 攻讀博士學(xué)位期間撰寫的論文156-157
  • 附錄3 攻讀博士學(xué)位期間申請(qǐng)的專利157-158
  • 附錄4 攻讀博士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目158-159
  • 致謝159


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