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甲烷部分氧化反應(yīng)過程的DFT研究

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時(shí)間:2024-08-18 21:20:48
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甲烷部分氧化反應(yīng)過程的DFT研究【摘要】:CH4部分氧化制取合成氣是近年來C1化學(xué)的熱點(diǎn)研究課題之一,本文采用計(jì)算機(jī)分子模擬技術(shù)對該過程中的若干關(guān)鍵過程進(jìn)行了計(jì)算與分析。為提高計(jì)算

【摘要】:CH4部分氧化制取合成氣是近年來C1化學(xué)的熱點(diǎn)研究課題之一,本文采用計(jì)算機(jī)分子模擬技術(shù)對該過程中的若干關(guān)鍵過程進(jìn)行了計(jì)算與分析。 為提高計(jì)算的準(zhǔn)確度,本文建立了一個(gè)包含13個(gè)Ni原子的周期性表面,一定程度上消除了邊界效應(yīng)的影響,并采用嵌入法引入反應(yīng)物,通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化計(jì)算確定吸附位及空間結(jié)構(gòu)。 首次系統(tǒng)地研究了CHx(x=0~4)在Ni(1 1 1)表面的吸附和解離過程,計(jì)算出了CHx(x=0~4)在Ni(1 1 1)表面吸附的位置、空間結(jié)構(gòu)和能量,并使用LST/QST方法找到了CHx(x=1~4)的解離路徑和過渡態(tài),計(jì)算出各解離步驟的活化能和解離能,并進(jìn)行了必要地分析。同時(shí),采用Mulliken電荷分析方法對計(jì)算結(jié)果的正確性予以校驗(yàn)。 提出了CH4部分氧化反應(yīng)過程中CO的兩條可能生成途徑,分析并計(jì)算了兩條途徑的反應(yīng)路徑及活化能。依據(jù)過渡態(tài)理論,首次提出Ni表面吸附的CHads和Oads相互作用并生成COads和Hads是CO生成的主要途徑。 驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)結(jié)果對計(jì)算所得結(jié)論給予一定的支持,累積收集的反應(yīng)產(chǎn)物的分析結(jié)果表明,CH4在整體型海綿鎳催化劑上發(fā)生解離,并且是多步解離。使用后催化劑的環(huán)境掃描電子顯微鏡圖象表明,在沒有O2存在的條件下,Ni表面很快就被CH4的解離產(chǎn)物所覆蓋。 本研究以量子化學(xué)理論為基礎(chǔ),應(yīng)用密度泛函理論(DFT),建立了周期性的分子模型(vaccum slab),對CH4在Ni(1 1 1)表面的吸附和解離過程進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,深入分析并完善了CH4部分氧化反應(yīng)產(chǎn)物的生成機(jī)理,并進(jìn)行了初步的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證工作,可為今后的研究工作提供一定的理論指導(dǎo)。 【關(guān)鍵詞】:甲烷 解離 密度泛函理論 量子化學(xué) 部分氧化
【學(xué)位授予單位】:天津大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2004
【分類號】:O621.2
【目錄】:
  • 前 言8-9
  • 文獻(xiàn)綜述9-19
  • 天然氣制合成氣的現(xiàn)狀9-13
  • 蒸汽重整(SRM)10
  • 非催化部分氧化(NC-POM)工藝10-11
  • 聯(lián)合重整工藝(CRM)11
  • 自熱重整工藝(ATR)11-12
  • 甲烷部分氧化制合成氣(POM)12-13
  • 反應(yīng)機(jī)理13-16
  • 燃燒-重整機(jī)理13-14
  • 直接氧化機(jī)理14-16
  • 有關(guān)甲烷部分氧化反應(yīng)機(jī)理的分子模擬研究16-17
  • 本課題目的及意義17-19
  • 量子力學(xué)基礎(chǔ)及DmoL3基本原理19-32
  • 從經(jīng)典力學(xué)到量子力學(xué)19-22
  • 德布羅意關(guān)系式20
  • 量子力學(xué)的基本假設(shè)20-22
  • 量子化學(xué)22-24
  • 薛定諤方程22-23
  • HF方程23-24
  • Xa方程24
  • DFT方法24
  • 分子模擬的方法24-27
  • DmoL3基本原理27-32
  • 總能的構(gòu)成27-28
  • 交換相關(guān)能的近似28
  • 普通自旋密度函數(shù)28-29
  • 密度梯度的擴(kuò)展29
  • 總能的表達(dá)29
  • Kohn-Sham等式29-30
  • 擴(kuò)展基函數(shù)中的分子軌道的優(yōu)點(diǎn)30
  • SCF程序30
  • 數(shù)值積分30
  • 周期基函數(shù)30-31
  • Mulliken電荷分析31-32
  • 分子模型及計(jì)算方法32-36
  • 分子模型的建立32-33
  • 催化劑Ni(1 1 1)表面的建立32
  • 甲烷及其它表面物種的嵌入32-33
  • 計(jì)算方法33-36
  • 基函數(shù)的選擇33
  • 基組的設(shè)定33-34
  • 球軌道終止和k-point的設(shè)定34-36
  • CH4部分氧化吸附過程研究36-50
  • CHx在Ni(1 1 1)表面的吸附36-46
  • CH4在Ni(1 1 1)表面的吸附36-39
  • CH3在Ni(1 1 1)表面的吸附39-40
  • CH2在Ni(1 1 1)表面的吸附40-42
  • CH在Ni(1 1 1)表面的吸附42-44
  • C在Ni(1 1 1)表面的吸附44-45
  • 小結(jié)45-46
  • 其它表面物種的吸附位置46-50
  • O在Ni(1 1 1)表面的吸附46-47
  • CO在Ni(1 1 1)表面的吸附47-48
  • H和H2在Ni(1 1 1)表面的吸附48-50
  • CH4部分氧化反應(yīng)的機(jī)理研究50-65
  • CH4在Ni(1 1 1)表面的解離50-56
  • CH4的解離50-52
  • CH3的解離52-54
  • CH2的解離54-55
  • CH的解離55-56
  • CO生成機(jī)理研究56-62
  • Cads與Oads的反應(yīng)路徑57-58
  • CHads與Oads反應(yīng)路徑58-61
  • 小結(jié)61-62
  • H2的生成62-65
  • CH4在Ni表面的解離實(shí)驗(yàn)65-73
  • 實(shí)驗(yàn)?zāi)康募皩?shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)65
  • 實(shí)驗(yàn)原料及規(guī)格65
  • 實(shí)驗(yàn)裝置65-66
  • 裝置介紹65-66
  • 主要儀器設(shè)備66
  • 分析方法66-68
  • 分析儀器66-68
  • 分析條件68
  • 實(shí)驗(yàn)條件68
  • 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論68-73
  • 實(shí)驗(yàn)方法68-69
  • 實(shí)驗(yàn)步驟69
  • 實(shí)驗(yàn)結(jié)果69-70
  • 結(jié)果討論70-73
  • 結(jié)論73-74
  • 符號表74-76
  • 參考文獻(xiàn)76-81
  • 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文81-82
  • 附錄一 Mulliken電荷分析數(shù)據(jù)82-85
  • 附錄二 在線分析色譜圖85-87
  • 附錄三 SCF 程序流程圖87-88
  • 致謝88


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帥志剛當(dāng)選國際量子分子科學(xué)院院士    洪明亮張治國

和風(fēng)細(xì)雨化紛爭    王書林 李云萍

太原理工大學(xué)一科研成果達(dá)國際先進(jìn)水平    侯運(yùn)生 丁文婷

鉛山籍學(xué)者帥志剛成為國際量子分子科學(xué)院最年輕院士    本報(bào)記者 姜春

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