非晶硅太陽能電池

【摘要】：正 日本工業(yè)科學與技術(shù)局的龜工實驗室,用感應輝光放電法研制了一種含氫非晶硅薄膜太陽能電池。用此方法制得的非晶硅氫薄膜的性質(zhì)與組成、氣氛氣體的壓力和流速、高頻放電電流的電壓以及硅原子沉積的襯底溫度有關(guān)。 該實驗室還研究濺射法和輝光放電法。在最佳條件下制得的薄膜,其光電導(波長6328埃,光強300微瓦/厘米~2)約10~(-6)—10~(-4)歐姆~(-1)厘米~(-1)。 非晶硅中引入氫,除增加光敏性而外,還可以 【關(guān)鍵詞】： 硅太陽能電池 非晶硅 輝光放電法 高頻放電 光敏性 最佳條件 科學與技術(shù) 光電導 實驗室 襯底溫度
【正文快照】： 日本工業(yè)科學與技術(shù)局的電工實驗室,用感應輝光放電法研制了一種含氫非晶硅薄膜太陽能電池。用此方法制得的非晶硅氫薄膜的性質(zhì)與組成、氣氛氣體的壓力和流速、高頻放電電流的電壓以及硅原子沉積的襯底溫度有關(guān)。 該實驗室還研究濺射法和輝光放電法。在最佳條件下制得的薄膜,

您可以在本站搜索以下學術(shù)論文文獻來了解更多相關(guān)內(nèi)容

CO_2連續(xù)激光對單晶硅電池的輻照效應    邱冬冬;王睿;程湘愛;金華松;

    

    

    

    

    

    

    

    

    

非晶碳化硅材料微結(jié)構(gòu)描述    王文秀;牛莉莎;

硅太陽能電池在1319nm激光輻照下的熱激發(fā)載流子效應:一種對能量低于禁帶寬度光子的響應研究    江天;

非晶鎳鐵磁敏薄膜的巨磁阻抗效應    葉蕓;蔣亞東;

Cu-Zr/ZrN薄膜體系的低電阻率    白宣羽;汪淵;徐可為;范多旺;

Ge單晶薄膜在非晶Si層上的磁控濺射生長研究    楊宇;

晶態(tài)Si_3N_4/非晶SiO_2同軸納米線的電子顯微學研究    尤力平;冉廣照;

非晶硅材料的ESR測試    邢如連;何潤根;

巨磁阻抗效應的非對稱特性    鐘智勇;石玉;劉潁力;賈利軍;張懷武;

非晶硅微結(jié)構(gòu)的CTEM和HREM研究    王建農(nóng);劉昌靈;褚一鳴;林蘭英;楊大宇;

離子注入過程中銀納晶的原位透射電鏡研究    蔣昌忠;范湘軍;

騰飛 向著新的輝煌    王彥 胡宗京

中國電科欲打包新能源業(yè)務(wù)上市    記者 趙曉琳

非晶硅技術(shù)有望降低太陽能發(fā)電成本    葛飛記者 王春

北京市：非晶產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新示范基地揭牌    

產(chǎn)量和質(zhì)量同等重要    四川新光硅業(yè)副總經(jīng)理 蒲曉東

如東“非晶硅”引來“秋波”連連    丁亞鵬

中小尺寸需求推動LTPS高速增長 日廠仍居主導地位    記者 陳炳欣 北京

異軍突起的低溫多晶硅（上）    陳炳欣

導電塑料要革半導體的命    張亮

中環(huán)電子更新戰(zhàn)略高地標尺    記者 吳巧君　通訊員 陳昀

新穎液晶光閥及紫外光電二極管陣列的研究    沈大可

ZnO量子點中激子的基態(tài)特性及表面修飾對光學性質(zhì)的影響    王志軍

激光對硅太陽能電池和硅CCD的損傷效應研究    邱冬冬

多晶硅鑄錠工藝研究和數(shù)值模擬    戴鑫

P型ZnO薄膜的優(yōu)化制備及其應用    焦寶臣

硅基半導體中微觀缺陷和電子結(jié)構(gòu)對材料光電性能的影響    王宇鑫

熱絲化學氣相沉積制備微晶硅薄膜的研究    呂博嘉

摻Er：Al_2O_3和摻Er：nc-Si/SiO_2材料的制備與表征    肖海波

中頻感應熔煉條件下多晶硅定向凝固鑄錠研究    邢其智

PECVD多晶硅薄膜制備工藝和性能的研究    張會娟

硅鍺薄膜材料的RF-PECVD法制備及其在太陽電池中的應用    張洪