用Ⅱ—Ⅵ族化合物薄膜異質(zhì)結(jié)作太陽能電池的窗口

【摘要】：具有良好的 n—型導(dǎo)電性的Ⅱ—Ⅵ族化合物薄膜常常被用作異質(zhì)結(jié)太陽能電池中的收集器窗口層。本文報(bào)導(dǎo)了 CdS,(Zn,Cd)S,和 ZnO 薄膜的制備和特性.CdS 和(Zn,Cd)S 薄膜是用二元化合物的真空蒸鍍法制備的.可以采用高源溫度來獲得由 S 空位所形成的本征摻雜.估計(jì)了施主濃度隨蒸鍍溫度的變化。采用共蒸鍍鎵載銦的方法來提供本征的摻雜。適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)沉積條件和 Ga 的摻雜濃度,可以得到良好導(dǎo)電的 x0.5的(Zn_xCd_(1-x))S 膜。ZnO 膜可以用反應(yīng)蒸鍍法來制備,也可以在 O_2氣氛中濺射 Zn 或?yàn)R射 ZnO 靶來制備。在無非本征摻雜的情況下可以獲得400Ω~(-1)cm~(-1)的導(dǎo)電率.本文還討論了具有Ⅰ—Ⅲ—Ⅵ_2吸收體的各種異質(zhì)結(jié)的特性.本文還對 CuGaSe_2異質(zhì)結(jié)相對于帶的不連續(xù)性在理論上所得到的開路電壓和實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了比較. 【關(guān)鍵詞】： 異質(zhì)結(jié)太陽能電池 薄膜太陽能電池 化合物薄膜 高導(dǎo)電率 摻雜濃度 吸收體 制備 不連續(xù)性 真空蒸鍍法 非本征
【正文快照】： 摘要 具有良好的n一型導(dǎo)電性的l一班族化合物薄膜常常被用作異質(zhì)結(jié)太陽能電池中的收集器窗口層。本文報(bào)導(dǎo)了CdS,(Zn,Cd)S,和Zno薄膜的制備和特性。CdS和(Zn,Cd)S薄膜是用二元化合物的真空蒸鍍法制備的.可以采用高源溫度來獲得由S空位所形成的本征摻雜.估計(jì)了施主濃度隨蒸鍍溫

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