a-Si PIN太陽能電池中PI間緩沖層的作用
a-Si PIN太陽能電池中PI間緩沖層的作用【摘要】:本文測量了電池表觀禁帶寬度E_g~(app)與緩沖層厚度的關(guān)系,研究表明,緩沖層能改善V_(oc)的原因是加寬了電池的表觀帶
【關(guān)鍵詞】: 緩沖層 太陽能電池 光衰退 缺陷態(tài) 光生載流子 反向飽和電流 復(fù)合電流 電池性能 南開大學(xué) 層厚度
【正文快照】: 一、引言 a一si太陽能電池研究正處于一個(gè)持續(xù)時(shí)期,這可由近三年來小面積單結(jié)電池最高效率停留在12%仇刀,a一si基合金盛層電池最高效率徘徊在13.7%認(rèn)3j的數(shù)據(jù)得以看出。需要從材料、電池結(jié)構(gòu)和制備工藝等項(xiàng)目著手,把a(bǔ)一i電池的研究引向深入。 在Pl層之間引入適當(dāng)?shù)木彌_層(buff
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有n緩沖層SOI RESURF結(jié)構(gòu)的電場分布解析模型 方健,李肇基,張波
氮化工藝對GaN緩沖層生長的影響 孫萬峰;顧彪;徐茵;秦福文;馬世猛;
緩沖層厚度對透明導(dǎo)電薄膜ZnO∶Zr性能的影響(英文) 張化福;李雪;類成新;劉漢法;袁長坤;
橫??煽氐木哂芯彌_層和平凸波導(dǎo)(BL-PCW)結(jié)構(gòu)的1.5μm范圍的InGaAsP/InP激光器 Kazuo Sakai;劉春良;
非晶硅鍺單結(jié)電池的研究 王廣才,孫建,耿新華,孫云,李洪波,劉世國,陸靖谷
用小面可控緩沖層生產(chǎn)出高品質(zhì)AlGaN 陳裕權(quán);
空穴緩沖層CuPc對有機(jī)電致發(fā)光器件特性的影響 鄭代順,張旭,錢可元
ZnO緩沖層上定向ZnO納米桿陣列的制備 何輝;李金釵;廖蕾;盧紅兵;王多發(fā);
大功率集成器件——集成門極換流晶閘管IGCT 吳琳;王相森;吳春瑜;
供MESFET用的AsCl_3/Ga/H_2雙鼓泡瓶GaAs CVD系統(tǒng)的特性 H.M.Cox;李中南;
石墨緩沖層對有機(jī)電致發(fā)光器件性能的影響 姚寧;邢宏偉;穆慧慧;常立紅;崔娜娜;王英儉;張兵臨;
使用氧化鋅奈米層當(dāng)作緩沖層之氮化鎵發(fā)光二極體 陳隆建;張德全;鐘正邦;
退火條件和緩沖層對Si基β-FeSi_2發(fā)光二極管的影響 李成;賴虹凱;陳松巖;
利用Ba_(0.65)Ru_(0.35)TiO_3緩沖層制備高熱釋電系數(shù)的Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜 劉祚麟;吳傳貴;張萬里;劉興釗;李言榮;
MBE生長中緩沖層對InSb/GaAs質(zhì)量影響的研究 李占國;劉國軍;尤明慧;熊敏;李梅;李林;
高壓SOI-LIGBT特性研究 孫偉鋒;陳越政;錢欽松;
鍺硅半導(dǎo)體量子點(diǎn)及薄膜的制備研究 葉輝;張磊;張沖;皇甫幼睿;劉旭;
MOCVD ZnO緩沖層生長與退火研究 朱光耀;顧書林;朱順明;
以C_(60)為空穴緩沖層的電致發(fā)光器件 朱文清;鄭新友;張步新;吳有智;蔣雪茵;張志林;許少鴻;
InN薄膜MOCVD生長初期成核研究與應(yīng)力分析 張?jiān)?張榮;謝自力;劉斌;修向前;江若璉;韓平;顧書林;施毅;鄭有炓;
Corning
光纖端接的技巧
OLED技術(shù)剛起步 中國并未落后 四川虹視顯示技術(shù)有限公司 文東星 田朝勇
GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生長及其特性研究 趙智彪
有機(jī)發(fā)光二極管中載流子注入和傳輸機(jī)制的研究 張松濤
有機(jī)電致發(fā)光材料及器件的研究 歐谷平
有機(jī)電致發(fā)光器件中的能量與載流子調(diào)控問題研究 王福芝
脈沖激光沉積氧化鋅及其相關(guān)多層膜的研究 霍炳至
硅襯底GaN基藍(lán)光LED材料生長及器件研制 莫春蘭
通信光電子半導(dǎo)體材料異質(zhì)兼容的理論與實(shí)驗(yàn)研究 熊德平
鈦酸鉍系鐵電薄膜材料改性研究 吳云翼
有機(jī)電致發(fā)光器件的穩(wěn)定性研究 詹義強(qiáng)
關(guān)于改善硅基頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件性能的研究 陳淑芬
3C-SiC緩沖層對在6H-SiC上生長SiCGe的影響 許鈞
AlGaN日盲紫外探測器材料生長及表征 梁棟
GaN生長中氮化工藝及GaMnN薄膜生長研究 孫萬峰
采用緩沖層結(jié)構(gòu)的脈沖功率開關(guān)RSD研究 劉寶生
脈沖激光沉積GaN薄膜研究 席洪柱
GaN ECR-PEMOCVD生長表面RHEED圖像研究 郎佳紅
氧化鋅薄膜材料的MOCVD生長及其特性研究 閆小龍
采用液相化學(xué)法沉積ZnS緩沖層的研究 余正榮
新結(jié)構(gòu)低功耗IGBT的研究 高琰
GaN及GaN基薄膜的制備、表征和特性研究 盧意飛
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