太陽(yáng)能級(jí)硅激光刻槽埋柵電池的研究

【摘要】：探討了廉價(jià)太陽(yáng)能級(jí)硅材料對(duì)電池性能可能的影響，據(jù)此對(duì)激光刻槽埋柵電池的工藝加以?xún)?yōu)化．在此基礎(chǔ)上制作的大面積太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到１６．５９％． 【作者單位】： 北京師范大學(xué)低能核物理研究所!１００８７５ 北京 北京師范大學(xué)低能核物理研究所!１００８７５ 北京 北京市太陽(yáng)能研究所!１０００８３ 北京 北京市太陽(yáng)能研究所!１０００８３ 北京 北京市太陽(yáng)能研究所!１０００８３ 北京 北京市太陽(yáng)能研究所!１０００８３ 北京
【關(guān)鍵詞】： 太陽(yáng)能級(jí)硅 激光刻槽埋柵電池 氧雜質(zhì)
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 激光刻槽埋柵太陽(yáng)電池（ＢＣＳＣ）的概念提出于８０年代．由于其光電轉(zhuǎn)換效率高、工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、適于規(guī)模生產(chǎn)，兼具高效和低成本兩方面的優(yōu)勢(shì)，因而在實(shí)驗(yàn)室和產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域中都受到廣泛重視．目前，大規(guī)模生產(chǎn)的激光刻槽埋柵電池其單位功率成本已接近甚至低于常規(guī)絲網(wǎng)印刷電

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