CdTe清潔表面的微觀平整性研究

【摘要】：采用氬離子刻蝕加退火獲得了CdTe(111)A清潔表面。分析了角分辨光電子能譜和反射式高能電子衍射花樣。結(jié)果表明:晶面經(jīng)清潔處理后出現(xiàn)了局域臺階,而刻蝕力度局部的差別造成宏觀不平整。另外,表面沒有明顯的三維凸起等不平整的原子結(jié)構(gòu),在二維尺度上平整有序。 【作者單位】： 西北工業(yè)大學材料學院;
【關(guān)鍵詞】： 氬離子刻蝕 局域臺階 原子有序性 平整性
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： Cd Te是閃鋅礦型化合物半導體材料,因其光化學穩(wěn)定性好、發(fā)光效率高、發(fā)射光譜窄并且對稱[1-3]等優(yōu)點,被廣泛用于太陽能電池、γ和X射線分光儀、量子點材料及生物傳感器等[4-5],還成為了II-VI族半導體薄膜材料的理想襯底[6-7]。此外,Cd Te還被證實是產(chǎn)生量子自旋霍爾效應的母

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