太陽(yáng)能光電材料CuInSe_2的研究進(jìn)展

【摘要】：綜述了太陽(yáng)能光電材料CuInSe_2的研究歷史和現(xiàn)狀,主要討論了CuInSe_2的光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)、及其摻雜對(duì)禁帶寬度的影響,介紹了薄膜的制備方法特別是硒化法,最后綜述了目前存在的問題及其發(fā)展趨勢(shì)。 【作者單位】： 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
【關(guān)鍵詞】： CuInSe_ 光電材料 太陽(yáng)能電池 制備方法
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.59976035) 教育部?jī)?yōu)秀青年教師基金 教育部博士點(diǎn)基金資助
【分類號(hào)】：TB34
【正文快照】： 0引言 能源和環(huán)境問題是當(dāng)前人類面臨的兩大主要問題,而太陽(yáng)能是解決以卜兩大問題最有效的途徑。因此許多學(xué)者致力于太陽(yáng)能電池的研究,以此作為開發(fā)太陽(yáng)能資源的新技術(shù)。自從1954年用直拉硅單晶(CZ)開發(fā)出第一個(gè)太陽(yáng)能電池—硅太陽(yáng)能電池以來,太陽(yáng)能技術(shù)發(fā)展迅速,轉(zhuǎn)化效率也

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