數值模擬提高μc-Si:H(n)/c-Si(p)異質結太陽能電池的界面載流子傳輸質量

【摘要】：通過使用AFORS-HET軟件模擬透明導電膜(TCO)的功函數對能帶結構的影響,以及能帶失配的影響,載流子的運動和分布來分析和討論界面處載流子傳輸性能。結果表明界面處的能帶失配和透明導電膜的功函數強烈的影響載流子的傳輸質量和太陽能電池的性能。當導帶失配在μc-Si:H(n)/c-Si(p)界面低于0.3eV,透明導電膜的功函數在TCO/μc-Si:H(n)界面低于4.3eV并且導帶失配在c-Si(p)/BSF界面為0.25eV時,模擬具有紋理結構的TCO/μc-Si:H(n)/aSi:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)/TCO太陽能電池的Voc為775mV,Jsc為42.03mA/cm2,FF為75%,而效率達到了24.43%。這說明進一步深入的理解太陽能電池的界面?zhèn)鬏敊C理可以提高太陽能電池界面載流子傳輸質量和電池效率。 【作者單位】： 太原科技大學應用科學學院;
【關鍵詞】： 能帶失配 界面?zhèn)鬏斮|量 異質結 功函數
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 引言a-Si:H/c-Si或μc-Si:H/c-Si異質結太陽電池結合了薄膜硅的工藝優(yōu)勢與晶體硅電池的優(yōu)點,具有實現高效低成本硅太陽電池的發(fā)展前景,影響a-Si:H/c-Si或μc-Si:H/c-Si異質結性能的兩個關鍵界面參數是能帶補償和界面態(tài)[1-2]。由于基于a-Si:H的太陽能電池因其本身的光致衰退問

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