非晶/微晶相變域硅薄膜及其太陽(yáng)能電池

【摘要】：采用甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(VHF_PECVD)法,成功制備出從非晶到微晶過(guò)渡區(qū)域的硅薄膜.樣品的微結(jié)構(gòu)、光電特性及光致變化的測(cè)量結(jié)果表明這些處于相變域的硅薄膜兼具非晶硅優(yōu)良的光電性質(zhì)和微晶硅的穩(wěn)定性.用這種兩相結(jié)構(gòu)的材料作為本征層制備了p_i_n太陽(yáng)能電池,并測(cè)量了其穩(wěn)定性.結(jié)果在AM1.5(100mW cm2)的光強(qiáng)下曝光800—5000min后,開(kāi)路電壓略有升高,轉(zhuǎn)換效率僅衰退了2.9%. 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 凝聚態(tài)物理中心 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 凝聚態(tài)物理中心 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 凝聚態(tài)物理中心 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 凝聚態(tài)物理中心 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 凝聚態(tài)物理中心 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 凝聚態(tài)物理中心
【關(guān)鍵詞】： 相變域硅薄膜 光電特性 太陽(yáng)能電池
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):G2000028201)資助的課題.~~
【分類號(hào)】：O471;TM914.4
【正文快照】： 1.引言非晶硅薄膜具有低溫工藝、耗材少、便于大面積制備及高光敏性等優(yōu)點(diǎn),已被廣泛應(yīng)用于光伏領(lǐng)域.但SW效應(yīng)[1]一直是制約其發(fā)展的一個(gè)重要障礙.一般認(rèn)為非晶硅的光致衰退與其無(wú)規(guī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)有關(guān),因此要想消除亞穩(wěn)變化就必須改善薄膜的無(wú)規(guī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu).這種結(jié)構(gòu)的改善最終將導(dǎo)致

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