微晶硅材料高速生長及其在太陽能電池中的應(yīng)用
微晶硅材料高速生長及其在太陽能電池中的應(yīng)用【摘要】:高氣壓耗盡RF-PECVD在高速生長優(yōu)質(zhì)微晶硅材料和太陽能電池方面具有巨大的優(yōu)勢。采用這種沉積方法,本征微晶硅材料的生長速度提高
【關(guān)鍵詞】: 高速生長 微晶硅電池 高壓耗盡
【基金】:國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(973)項目(200028202,200028203) 南開大學(xué)博士啟動基金(J02033) 國家教育部光電子信息技術(shù)科學(xué)重點實驗室資助的課題(2005-18)
【分類號】:TN304.12;TM914.4
【正文快照】: 1引言二十多年來,非晶硅(a-Si:H)薄膜太陽電池由于成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn),得到了迅速發(fā)展和廣泛的應(yīng)用[1-2]。但是由于其光學(xué)帶隙達(dá)1.7eV,使得材料本身對太陽輻射光譜的長波區(qū)域不敏感,限制了非晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。此外,非晶硅材料本身的S-W效應(yīng)[3]使得電池性能不穩(wěn)定
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