甲烷流量對高摻硼金剛石多晶薄膜形態(tài)生長的影響
甲烷流量對高摻硼金剛石多晶薄膜形態(tài)生長的影響【摘要】:在不同的甲烷流量下,用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(HFCVD)在N型(100)單晶硅片上制備了摻硼金剛石薄膜.用掃描電子顯微鏡(SE
【關(guān)鍵詞】: 摻硼金剛石 熱絲CVD 掃描電子顯微鏡 拉曼光譜
【分類號】:O484.42
【正文快照】: 純的金剛石薄膜是價(jià)帶被電子完全占據(jù)而導(dǎo)帶完全沒有被占據(jù)的禁帶寬度達(dá)到5.5eV的寬禁帶半導(dǎo)體,具有高的電子與空穴遷移率.通過摻硼,金剛石薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)镻型半導(dǎo)體,硼受主原子電離能為0.37eV[1];摻硼濃度達(dá)到一定量時(shí),金剛石薄膜從半導(dǎo)體性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)轭惤饘傩再|(zhì),甚至在低溫下還出
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激光拉曼光譜在CVD金剛石薄膜質(zhì)量表征中的應(yīng)用 匡同春,劉正義
用鍍有鈦過渡層的鉬襯底制備無裂紋自支撐金剛石膜 李浩;李成明;呂反修;唐偉忠;陳廣超;鮑學(xué)進(jìn);劉政;
采用DC Arc Plasma JetCVD方法沉積微/納米復(fù)合自支撐金剛石膜 戴風(fēng)偉;陳廣超;蘭昊;J.Askari;宋建華;李成明;佟玉梅;李彬;黑立富;呂反修;
金剛石膜成分、微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的表征 彭仕魁,匡同春 ,成曉玲,白曉軍
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基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的水質(zhì)監(jiān)測拉曼光譜系統(tǒng)的研究 王保存
山東蒙陰褐色金剛石的顏色與晶格缺陷關(guān)系研究 武改朝
熱絲CVD法制備a-Si_(1-x)C_x薄膜的光電性能研究 程彬;沈鴻烈;吳天如;丁滔;肖少文;陸婷;
不同重力取向?qū)饎偸∧どL的影響 楊潔;申彩霞;劉旺盛;王成新;劉洪武;
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