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甲烷流量對高摻硼金剛石多晶薄膜形態(tài)生長的影響

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時(shí)間:2024-08-18 19:14:40
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甲烷流量對高摻硼金剛石多晶薄膜形態(tài)生長的影響【摘要】:在不同的甲烷流量下,用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(HFCVD)在N型(100)單晶硅片上制備了摻硼金剛石薄膜.用掃描電子顯微鏡(SE

【摘要】:在不同的甲烷流量下,用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(HFCVD)在N型(100)單晶硅片上制備了摻硼金剛石薄膜.用掃描電子顯微鏡(SEM)和拉曼光譜(Raman)對薄膜檢測的結(jié)果表明,隨著甲烷流量的增加,摻硼金剛石薄膜的二次形核增加,晶粒尺寸減小,晶界變得模糊,結(jié)晶性下降,非金剛石相增多,過高的甲烷流量導(dǎo)致?lián)脚鸾饎偸∧さ那驙钌L. 【作者單位】: 大連理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;大連理工大學(xué)三束材料表面改性實(shí)驗(yàn)室;大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】摻硼金剛石 熱絲CVD 掃描電子顯微鏡 拉曼光譜
【分類號】:O484.42
【正文快照】: 純的金剛石薄膜是價(jià)帶被電子完全占據(jù)而導(dǎo)帶完全沒有被占據(jù)的禁帶寬度達(dá)到5.5eV的寬禁帶半導(dǎo)體,具有高的電子與空穴遷移率.通過摻硼,金剛石薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)镻型半導(dǎo)體,硼受主原子電離能為0.37eV[1];摻硼濃度達(dá)到一定量時(shí),金剛石薄膜從半導(dǎo)體性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)轭惤饘傩再|(zhì),甚至在低溫下還出

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