高方阻太陽能電池用正面銀漿導電機理研究

【摘要】：分別研發(fā)了適用高方阻和低方阻晶硅太陽能電池的正面銀漿A和B,并將兩者應用到尺寸為156 mm×156 mm,方塊電阻分別為60Ω/sq、85Ω/sq的多晶硅電池片上。結果顯示兩種銀漿制備的60Ω/sq多晶硅電池片性能十分接近,而85Ω/sq多晶硅電池片性能差異明顯。在利用A、B兩種漿料制備的85Ω/sq多晶硅電池片中,B的Rs較A高8.15 mΩ,FF低8.1%,Eff低2.28%,接觸電阻率是A的5倍以上。并將A、B兩種銀漿印刷于已經(jīng)擴散、鍍膜的拋光單晶片上,燒結后再使用HNO3、HF依次腐蝕銀和玻璃,觀察玻璃、硅界面的狀態(tài)。結果表明A在硅上留下的腐蝕坑較B的數(shù)量多、分布均勻、腐蝕深度均一,且A的玻璃層厚度更小,對氮化硅的開孔率更高。 【作者單位】： 上海太陽能工程技術研究中心有限公司;
【關鍵詞】： 高方阻 傳輸線 接觸電阻 腐蝕坑 隧道效應
【基金】：上海市科學技術委員會優(yōu)秀技術帶頭人計劃課題“高效太陽電池用低阻高分辨率銀漿”(14XD1425200)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 1引言晶硅太陽能電池以其較高的轉化效率、長壽命以及低生產(chǎn)成本,在太陽能電池的總產(chǎn)量中仍占有主導地位。晶硅太陽能電池正面金屬化工藝主要采用絲網(wǎng)印刷來實現(xiàn)[1],銀厚膜銀漿作為絲網(wǎng)印刷的原料,在追求更高的電池效率的目標指引下,需要被不斷改進更新。晶硅電池片的方阻已由

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