In_(1-x)Ga_xN/Si異質(zhì)結(jié)太陽能電池的光伏特性研究

【摘要】：通過器件模擬對(duì)n—In1-xGaxN/p—Si異質(zhì)結(jié)的光伏特性進(jìn)行了研究,并與c—Si同質(zhì)結(jié)薄膜電池的性能作了比較。在AM1.5的光照條件下,n—IGN/p—Si異質(zhì)結(jié)在最佳的電池設(shè)計(jì)、最佳的材料和最佳的操作參數(shù)條件下獲得的電池效率達(dá)到了27%。電池效率受到薄膜質(zhì)量的強(qiáng)烈影響,從電子親和勢、多數(shù)載流子的遷移率、少數(shù)載流子的壽命、薄膜厚度以及摻雜水平的變化可以得到說明。 【作者單位】： 華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所 華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所
【關(guān)鍵詞】： 太陽能電池 InGaN 光伏特性 光致發(fā)光
【基金】：廣州市LED工業(yè)研究開發(fā)基地、香港健隆投資有限公司研發(fā)項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 研究表明,GaN或A lN與InN固態(tài)溶液混合,其混合物的光學(xué)帶隙可以在非常大的范圍內(nèi)調(diào)整,即可以從電磁光譜的近紅外區(qū)域到紫外區(qū)域的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。對(duì)Si/InN異質(zhì)結(jié)太陽能電池優(yōu)越的光伏特性的報(bào)道[1,2],是假設(shè)InN有直接的光學(xué)帶隙,光子能量處在1.9 eV附近。這個(gè)值與在AM 0輻射

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