兩步法電化學制備CuInSe_2太陽能電池吸收層材料

【摘要】：采用先沉積In2Se3薄膜,再沉積CuInSe2的兩步法電化學制備薄膜太陽能電池CuInSe2吸收層材料。通過XRD、SEM、EDX等分析手段檢測了材料形貌、結構以及組分等,結果表明薄膜組分比為CuIn1.7Se2.2,其中In和Se的含量相對化學計量比有所增加。循環(huán)伏安法研究表明CuInSe的沉積屬于誘導共沉積范疇。 【作者單位】： 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所
【關鍵詞】： CuInSe 電沉積 兩步法 薄膜
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 0引言太陽能是最吸引人的清潔能源之一。在各類太陽能電池中,新型薄膜銅銦(鎵)硒(CuIn(Ga)Se2)太陽能電池因為其吸收層材料CuIn(Ga)Se2具有高的光學吸收系數(shù)、直接帶隙半導體、與太陽光譜匹配好以及穩(wěn)定性好等優(yōu)點成為薄膜太陽能電池的研究重點[1]。制備CuIn(Ga)Se2方法有很多

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