50-170 keV質(zhì)子照射對GaAs/Ge太陽能電池光譜響應(yīng)的影響

【摘要】：用固定能量(100 keV)不同注量(1×10~(11)-3×10~(12)cm~(-2))或固定注量(3×10~(12)cm~(-2))不同能量(50-170 keV)的質(zhì)子,照射GaAs/Ge太陽電池,獲得材料的光譜響應(yīng)特性隨質(zhì)子能量和注量的變化關(guān)系。結(jié)果表明,質(zhì)子輻照對材料的光學(xué)性能有破壞性的影響。這種破壞性源于質(zhì)子輻照引入的大量缺陷,使品格空間的完整性受到破壞,導(dǎo)致少子的擴散長度降低、表面復(fù)合速度增加。在質(zhì)子能量相同的條件下,電池光學(xué)性能衰降隨照射注量增大;在注量相同的條件下,輻射能量越高,太陽電池光學(xué)性能衰降越大。 【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 中國電子科技集團公司第十八研究所 中國電子科技集團公司第十八研究所 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【關(guān)鍵詞】： GaAs/Ge太陽電池 質(zhì)子輻射 光譜響應(yīng)
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃項目(G200551343)資助
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： GaAs半導(dǎo)體材料對太陽光譜的匹配性較好，太陽光譜的波長范圍恰好落在其400一800 nm的最佳光域，故GaAS太陽能電池優(yōu)于硅太陽能電池，在空間應(yīng)用中，GaAS太陽能電池還具有更好的抗輻射性能。因此，近些年來人們更多地關(guān)注GaAs太陽能電池研究l‘一刀。本文所用的GaAs/Ge太陽能

您可以在本站搜索以下學(xué)術(shù)論文文獻來了解更多相關(guān)內(nèi)容

帶電粒子輻射對GaAs/AlGaAs多量子阱光學(xué)性質(zhì)的影響    鄒睿,林理彬

GaAs/Ge太陽電池抗電子輻射研究    張新輝

Fe摻雜Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光譜與電學(xué)研究    常勇,褚君浩,唐文國,沈文忠,湯定元,葉潤清

GaAs(001)襯底上MOCVD生長的立方相GaN外延薄膜的光學(xué)性質(zhì)研究    孫小玲,楊輝,李國華,鄭聯(lián)喜,李建斌,王玉田,王占國

質(zhì)子輻照對GaAs/AlGaAs多量子阱材料光學(xué)性質(zhì)的影響    黃萬霞,林理彬,曾一平,潘量

Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低壓MOCVD生長與性質(zhì)    劉偉,顧書林,葉建東,朱順明,秦鋒,周昕,劉松民,胡立群,張榮,施毅,鄭有炓

表面修飾的CdO納米粒子的光譜特性    董文庭,朱從善

光學(xué)薄膜損傷的單光子吸收電離的電子雪崩模型    李丹,朱自強,邱服民,付雄鷹

鋁鎵銦磷的帶隙分析    連潔,魏愛儉,王青圃,李桂秋,張淑芝,張曉陽

帶電粒子輻射對GaAs/AlGaAs多量子阱光學(xué)性質(zhì)的影響    鄒睿,林理彬

碲鋅鎘(Cd_(1-y)Zn_yTe)晶體Zn組分的顯微熒光光譜研究    黃暉,潘順臣

共軛高分子非線性光學(xué)材料結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系的研究    鄭元慶,余守志,熊詩杰,顏巧藝,林銘芳,周賀英,張雯,陳峽忠

Simulation and Effect of 100KeV Proton and Electron Collective Irradiation on Electric Performance of GaAs/Ge Solar Cell    ZHAO Huijie, HE Shiyu (Space Materials and Environment Engineering Laboratory, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China.)

硅的表面刻蝕、光學(xué)性能以及硅鈷材料制備的激光拉曼光譜研究    劉峰名

有機無機復(fù)合電致發(fā)光和固態(tài)類陰極射線發(fā)光的研究    徐征

新型MIp～+-Al_（0.3）Ga_（0.7）As/p-n-n～+-GaAs結(jié)構(gòu)太陽電池電子及輻照效應(yīng)研究    涂潔磊

Si襯底上ZnSe，ZnTe薄膜及其量子阱的LP-MOCVD生長和光學(xué)特性    王曉華

ZnCdSe量子點的制備及其表征    單崇新

Ⅱ-Ⅵ族納米半導(dǎo)體的光學(xué)特性的研究    曹琦

FeS_2的電子結(jié)構(gòu)與光電性能理論模擬及其表面鈍化工藝研究    肖奇

幾種光電功能薄膜的光學(xué)和磁光性質(zhì)研究    郜小勇

電化學(xué)自組裝金屬氧化物及其復(fù)合結(jié)構(gòu)和光電器件的研究    劉英麟

ZnO薄膜和MgZnO合金薄膜的生長及其特性研究    張源濤

硅基納米材料的光學(xué)非線性研究    何江流

GaInAsSb/AlGaAsSb半導(dǎo)體激光器器件工藝及表征技術(shù)研究    簡貴胄

遂道結(jié)吸收損耗及其對新型大功率激光器特性影響的研究    李爽

離子注入6H-SiC引起的損傷及其光學(xué)性質(zhì)的研究    洪根深

6H-碳化硅（SiC）輻照特性的低溫光致發(fā)光研究    丁元力

硒化鎘（CdSe）單晶體及其核輻射探測器的制備    王雪敏

Cd_（1-x）Zn_xTe多晶薄膜的制備、性能研究與光伏應(yīng)用    邵燁

GaAs/AlGaAs多量子阱材料的輻照效應(yīng)研究    鄒睿

半導(dǎo)體量子阱微腔激光器激子效應(yīng)研究    楊光

PECVD方法制備的氧化鋅薄膜及量子點的光學(xué)性質(zhì)研究    支壯志

GaAs太陽電池輻照效應(yīng)的研究現(xiàn)狀    施小忠，李世清，鄢和平，丁棣華

5～20 MeV高能質(zhì)子輻照對空間實用GaAs/Ge太陽電池性能的影響    王榮,司戈麗,郭增良,張新輝,翟佐緒

空間太陽電池發(fā)展現(xiàn)狀及展望    王永東,崔容強,徐秀琴

GaAs/Ge太陽電池抗電子輻射研究    張新輝

光電池中的新參數(shù)    杜梅芳，劉忠厚

空間輻照環(huán)境對光學(xué)材料作用效應(yīng)的模擬研究    劉海,何世禹,劉金城,王懷義

GaAs太陽電池引入量子阱結(jié)構(gòu)后抗輻射性能的變化    劉運宏;王榮;孫旭芳;楊靖波;段立穎;

低高度內(nèi)輻射帶高能質(zhì)子空間分布位形的研究    樂貴明,葉宗海

CdTe太陽能電池的制備及電子輻照對電池影響的研究    夏庚培,鄭家貴,馮良桓,蔡偉,蔡亞平張靜全,黎兵,李衛(wèi),武莉莉

太陽電池內(nèi)部電阻對其輸出特性影響的仿真    鄭建邦;任駒;郭文閣;侯超奇;

高能質(zhì)子在硅材料中輸運的蒙特卡羅模擬    張文勇

質(zhì)子輻照對GaAs/AlGaAs多量子阱材料光學(xué)性質(zhì)的影響    黃萬霞,林理彬,曾一平,潘量

位移損傷劑量法評估空間GaAs/Ge太陽電池輻照損傷過程    吳宜勇;岳龍;胡建民;藍慕杰;肖景東;楊德莊;何世禹;張忠衛(wèi);王訓(xùn)春;錢勇;陳鳴波;

    

    

    

    

    

    

    

    

    

GaAs/Ge太陽電池質(zhì)子輻照研究    張新輝;王榮;

低能質(zhì)子和電子輻照GaAs/Ge太陽電池性能演化及損傷機理    趙慧杰

質(zhì)子和電子共同輻照下GaAs/Ge太陽電池電性能退化研究    信德磊