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Ni/Al_2O_3催化劑對高純HCl中微量CO_2甲烷化反應(yīng)的催化性能

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時間:2024-08-18 18:43:48
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Ni/Al_2O_3催化劑對高純HCl中微量CO_2甲烷化反應(yīng)的催化性能【摘要】:用浸漬法制備了以Al2O3為載體、Ni為活性組分的Ni/Al2O3二氧化碳甲烷化催化劑,在等溫固定

【摘要】:用浸漬法制備了以Al2O3為載體、Ni為活性組分的Ni/Al2O3二氧化碳甲烷化催化劑,在等溫固定床反應(yīng)器中研究了在Ni/Al2O3催化劑作用下,高純氯化氫中微量CO2甲烷化反應(yīng)效果,并考察了溫度、壓力、氯化氫體積空速以及H2/CO2摩爾比對CO2轉(zhuǎn)化率的影響,同時研究了催化劑活性、穩(wěn)定性及其再生性能。結(jié)果表明,在溫度為250℃、壓力為4.0MPa、氯化氫空速為100h-1、H2/CO2摩爾比為500∶1條件下,CO2甲烷化反應(yīng)效果最好,其轉(zhuǎn)化率可達(dá)到90%左右,對于高純氯化氫中微量CO2的脫除起到很好的效果;催化劑在溫度高于300℃時,反應(yīng)不久后會迅速失活;催化劑再生性能只能部分恢復(fù)到新鮮水平。 【作者單位】: 北京化工大學(xué)化工資源有效利用國家重點(diǎn)實(shí)驗室;北京華宇同方化工科技開發(fā)有限公司;
【關(guān)鍵詞】高純氯化氫 二氧化碳甲烷化 鎳/氧化鋁催化劑
【分類號】:X701;O643.32
【正文快照】: 引言高純氯化氫是集成電路生產(chǎn)中硅片蝕刻、鈍化和外延等工藝的重要材料,也可用于金屬冶煉、光導(dǎo)通訊和科學(xué)研究等領(lǐng)域[1]。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,對氯化氫純度的要求越來越高,要求用于單晶硅片氣相拋光和外延機(jī)座腐蝕的電子級氯化氫不僅應(yīng)具有99.999%以上的純度[2],而且

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