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太陽能多晶硅錠中硬質(zhì)夾雜及其形成

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時(shí)間:2024-08-18 18:38:57
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太陽能多晶硅錠中硬質(zhì)夾雜及其形成【摘要】:多晶硅錠中常出現(xiàn)的硬質(zhì)夾雜是造成硅片線切割生產(chǎn)中斷線的主要原因之一,同時(shí)影響到太陽能電池片的質(zhì)量。我們采用掃描電鏡-特征X射線能譜儀、3D

【摘要】:多晶硅錠中常出現(xiàn)的硬質(zhì)夾雜是造成硅片線切割生產(chǎn)中斷線的主要原因之一,同時(shí)影響到太陽能電池片的質(zhì)量。我們采用掃描電鏡-特征X射線能譜儀、3D數(shù)碼顯微鏡、傅立葉紅外光譜等手段對定向凝固多晶硅斷面、拋光面、溶解沉淀以及硅片中的游離碳含量進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,硅錠頂表層出現(xiàn)大量SiC和Si3N4夾雜,其數(shù)量隨深度迅速減小;硅錠內(nèi)部SiC十分稀少,尺寸也一般很小,但有時(shí)會出現(xiàn)大顆粒(~100μm)。硅片中游離碳含量遠(yuǎn)低于形成SiC所需臨界平衡C濃度。就以上結(jié)果對SiC形成原因進(jìn)行了討論,并提出了減少SiC夾雜的建議措施。 【作者單位】: 南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院/NCU-LDK太陽能研究中心 南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院/NCU-LDK太陽能研究中心 南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院/NCU-LDK太陽能研究中心 南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院/NCU-LDK太陽能研究中心
【關(guān)鍵詞】多晶硅 夾雜 SiC
【基金】:江西省教育廳研究生創(chuàng)新基金資助項(xiàng)目(YC07A035)
【分類號】:TN304
【正文快照】: 太陽能電池可能成為理想的可再生替代能源而得到各國重視。近幾年各國相繼出臺鼓勵(lì)政策,使得光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展。在1995~2005的10年里增長了17倍,最近5年的平均增長速度超過30%。太陽能電池中晶體硅太陽能電池占整個(gè)太陽能電池產(chǎn)量的90%,并且在未來的幾年內(nèi)晶硅電池仍然會是主

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