太陽(yáng)能硅片游離磨料電解磨削多線(xiàn)切割表面完整性研究

【摘要】：游離磨料多線(xiàn)切割是目前加工太陽(yáng)能硅片的主要方法。然而,該方法切痕較深,損傷層較厚,進(jìn)一步增大硅片尺寸、減小硅片厚度難度很大。游離磨料電解磨削多線(xiàn)切割,復(fù)合了機(jī)械磨削和電化學(xué)加工方法,通過(guò)在加工過(guò)程中給硅錠和切割線(xiàn)施加電場(chǎng)產(chǎn)生陽(yáng)極鈍化或腐蝕,可以有效降低切割負(fù)載,提高切割效率,改善硅片的表面質(zhì)量。以156 mm×56 mm(8寸)、電阻率(1~3?·cm)P型多晶硅片切割為例,初步試驗(yàn)結(jié)果表明,采用相同的切割參數(shù)和原材料,相對(duì)于游離磨料多線(xiàn)切割,電解磨削多線(xiàn)切割硅片的彎曲度降低了3μm,分布區(qū)間集中在0~9μm之間;采用20%的Na OH溶液腐蝕硅片,表面的隱裂和深溝槽較少出現(xiàn),說(shuō)明硅片的表面損傷程度減輕,有利于減少后續(xù)制絨減薄量。該方法和現(xiàn)有游離或固結(jié)磨料多線(xiàn)切割技術(shù)兼容性好,設(shè)備改造成本低,工程應(yīng)用前景十分廣闊。 【作者單位】： 南京航空航天大學(xué)機(jī)電學(xué)院;南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 太陽(yáng)能硅片 游離磨料 多線(xiàn)切割 電解磨削 表面完整性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51175259)
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.4;TN304.12
【正文快照】： 0前言*隨著能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益嚴(yán)峻,太陽(yáng)能電池的開(kāi)發(fā)和利用越來(lái)越受到世界各國(guó)的重視。硅片是制造晶硅太陽(yáng)能電池的核心材料,其品質(zhì)的高低直接影響到后續(xù)電池片的制造成本以及光電轉(zhuǎn)換效率[1]。硅片的表面完整性是衡量硅片品質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù),表1所示為當(dāng)前主流的多晶

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