國務(wù)院關(guān)于印發(fā)《2024—2025年節(jié)能降碳行動方案》的通知
用于高性能紅外探測的光伏場效應(yīng)晶體管
用于高性能紅外探測的光伏場效應(yīng)晶體管紅外探測技術(shù)在夜視、健康監(jiān)測、光通信和三維物體識別等領(lǐng)域具有很高的應(yīng)用價值。理想的紅外探測器必須具有快速響應(yīng)、高響應(yīng)率和低功耗等特點。而硅的帶隙
紅外探測技術(shù)在夜視、健康監(jiān)測、光通信和三維物體識別等領(lǐng)域具有很高的應(yīng)用價值。理想的紅外探測器必須具有快速響應(yīng)、高響應(yīng)率和低功耗等特點。而硅的帶隙約 1.1 eV,無法吸收波長大于 ~1100 nm 的光子,因此不能直接用于紅外波段的光探測?;谶@個原因,眾多研究人員努力探索一種結(jié)合最新的紅外傳感技術(shù),實現(xiàn)與硅集成的紅外探測功能。
【成果簡介】
美國多倫多大學(xué)電子與計算工程系的Edward H. Sargent(通訊作者)等人制備了一種用硅實現(xiàn)電荷輸運的光伏場效應(yīng)晶體管,由于加入了量子點光吸收體,該晶體管可以實現(xiàn)對紅外光的響應(yīng)。器件工作時,光伏效應(yīng)產(chǎn)生于硅和量子點的界面處,結(jié)合硅的高跨導(dǎo)特性,可以使器件具有高增益(1500 nm波長處,>104 電子/光子)、快時間響應(yīng)(小于10微秒)、可調(diào)的寬光譜響應(yīng)性等優(yōu)良特性。相比之前報道的硅基紅外探測器,本工作中制備的光伏場效應(yīng)晶體管在1500 nm 波長處靈敏度提高了5個數(shù)量級。更重要的是,他們所用的量子點是采用室溫溶液法制備的,無需傳統(tǒng)半導(dǎo)體(鍺和III-V族半導(dǎo)體等)所需的高溫外延生長過程。因此,膠體量子點可被用于硅基紅外探測器件,與現(xiàn)有的外延半導(dǎo)體器件相比具有獨特優(yōu)勢。
【圖文簡介】
圖1 PVFET 的結(jié)構(gòu)和物理原理
a SiCQD PVFET的三維模型;
b 器件工作時的電路示意圖;
c 1300nm波長光激勵下,器件的計算機輔助技術(shù)(TCAD)模擬發(fā)現(xiàn)光生載流子僅在CQD光柵處產(chǎn)生;
d 1300nm波長光激勵下,器件的計算機輔助技術(shù)(TCAD)模擬研究了黑暗處的空穴密度。光信號產(chǎn)生光伏,導(dǎo)致硅溝道的耗盡區(qū)收縮,進而使空穴密度和溝道電導(dǎo)增加;
e 平衡狀態(tài)下的能帶示意圖;
f 不同情況下的空穴密度研究。
圖2 PVFET 的數(shù)值結(jié)算和理論分析
a 不同器件的增益-暗電流模型;
b 不同旗艦的增益-頻率曲線;
c PVFET、光電導(dǎo)元件和光-FET的增益-頻率關(guān)系模型。
圖3 PVFET的表征
a SiCQD PVFET的光譜增益;
b 入射光功率的響應(yīng)函數(shù);
c 器件工作時的響應(yīng)率。
圖4 SiCQD PVFET的響應(yīng)時間
a 上升和下落邊緣表明很快和很慢的組分;
b 上升和下落邊緣的快組分的閉合;
c PVFET在100-kHz調(diào)制信號下的響應(yīng)。
【小結(jié)】
這種SiCQD PVFET具有高增益、寬譜響應(yīng)(包含紅外波段)、高響應(yīng)速度和包含暗電流等優(yōu)點。其性能可以通過先進的硅工藝進一步提升。該工作亮點在于,將成熟的硅電子工藝和CQDs的突出優(yōu)勢相結(jié)合,發(fā)明出兩者兼有并互補的新型器件結(jié)構(gòu)。該工作對于理解基于光伏效應(yīng)和跨導(dǎo)增益的探測機制有很大的杠桿促進作用。
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