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多晶硅生產(chǎn)工藝現(xiàn)狀與未來趨勢(shì)

來源:新能源網(wǎng)
時(shí)間:2012-07-26 21:33:32
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多晶硅生產(chǎn)工藝現(xiàn)狀與未來趨勢(shì)隨規(guī)模化生產(chǎn),該技術(shù)仍有提升空間。 近年來,改良西門子法技術(shù)隨其產(chǎn)量的擴(kuò)張,其競(jìng)爭(zhēng)能力得以強(qiáng)化,主流工藝地位進(jìn)一步穩(wěn)固,未來20年甚至更多年仍將是主流技

隨規(guī)?;a(chǎn),該技術(shù)仍有提升空間。 近年來,改良西門子法技術(shù)隨其產(chǎn)量的擴(kuò)張,其競(jìng)爭(zhēng)能力得以強(qiáng)化,主流工藝地位進(jìn)一步穩(wěn)固,未來20年甚至更多年仍將是主流技術(shù)。改良西門子法因?yàn)楫a(chǎn)品純度高、生產(chǎn)成本低,可以滿足大規(guī)模、安全、環(huán)保生產(chǎn)要求,成為市場(chǎng)首選的主流工藝。從成本角度比較,瓦克和REC的成本已經(jīng)基本接近,顯示出該技術(shù)具備旺盛的生命力。下面介紹一下幾種主要的多晶硅的生產(chǎn)方法。 1改良西門子法——閉環(huán)式三氯氫硅氫還原法 改良西門子法是用氯和氫合成氯化氫(或外購(gòu)氯化氫),氯化氫和產(chǎn)業(yè)硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅,然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純,提純后的三氯氫硅在氫還原爐內(nèi)進(jìn)行CVD反應(yīng)生產(chǎn)高純多晶硅。

國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有的多晶硅廠盡大部分采用此法生產(chǎn)電子級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。 2硅烷法——硅烷熱分解法 硅烷(SiH4)是以四氯化硅氫化法、硅合金分解法、氫化物還原法、硅的直接氫化法等方法制取。然后將制得的硅烷氣提純后在熱分解爐生產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅。以前只有日本小松把握此技術(shù),由于發(fā)生過嚴(yán)重的爆炸事故后,沒有繼續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)。但美國(guó)Asimi和SGS公司仍采用硅烷氣熱分解生產(chǎn)純度較高的電子級(jí)多晶硅產(chǎn)品。 3流化床法 以四氯化硅、氫氣、氯化氫和產(chǎn)業(yè)硅為原料在流化床內(nèi)(沸騰床)高溫高壓下天生三氯氫硅,將三氯氫硅再進(jìn)一步歧化加氫反應(yīng)天生二氯二氫硅,繼而天生硅烷氣。 制得的硅烷氣通進(jìn)加有小顆粒硅粉的流化床反應(yīng)爐內(nèi)進(jìn)行連續(xù)熱分解反應(yīng),天生粒狀多晶硅產(chǎn)品。

由于在流化床反應(yīng)爐內(nèi)參與反應(yīng)的硅表面積大,生產(chǎn)效率高,電耗低與本錢低,適用于大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。唯一的缺點(diǎn)是安全性差,危險(xiǎn)性大。其次是產(chǎn)品純度不高,但基本能滿足太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的使用。 此法是美國(guó)聯(lián)合碳化合物公司早年研究的工藝技術(shù)。目前世界上只有美國(guó)MEMC公司采用此法生產(chǎn)粒狀多晶硅。此法比較適合生產(chǎn)價(jià)廉的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)4太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新工藝技術(shù) 除了上述改良西門子法、硅烷熱分解法、流化床反應(yīng)爐法三種方法生產(chǎn)電子級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅以外,還涌現(xiàn)出幾種專門生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新工藝技術(shù)。
1)冶金法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅 據(jù)資料報(bào)導(dǎo):日本川崎制鐵公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太陽(yáng)能電池廠(SHARP公司)應(yīng)用,現(xiàn)已形成800噸/年的生產(chǎn)能力,全量供給SHARP公司。 主要工藝是:選擇純度較好的產(chǎn)業(yè)硅(即冶金硅)進(jìn)行水平區(qū)熔單向凝固成硅錠,往除硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分后,進(jìn)行粗粉碎與清洗,在等離子體融解爐中往除硼雜質(zhì),再進(jìn)行第二次水平區(qū)熔單向凝固成硅錠,往除第二次區(qū)熔硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分,經(jīng)粗粉碎與清洗后,在電子束融解爐中往除磷和碳雜質(zhì),直接天生太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。
2)氣液沉積法生產(chǎn)粒狀太陽(yáng)能級(jí)多晶硅 據(jù)資料報(bào)導(dǎo)[1]以日本Tokuyama公司為代表,目前10噸試驗(yàn)線在運(yùn)行,200噸半貿(mào)易化規(guī)模生產(chǎn)線在2005-2006年間投進(jìn)試運(yùn)行。 主要工藝是:將反應(yīng)器中的石墨管的溫度升高到1500℃,流體三氯氫硅和氫氣從石墨管的上部注進(jìn),在石墨管內(nèi)壁1500℃高溫處反應(yīng)天生液體狀硅,然后滴進(jìn)底部,溫度回升變成固體粒狀的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。
3)重?fù)焦鑿U物提純法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅 據(jù)美國(guó)CrystalSystems資料報(bào)導(dǎo),美國(guó)通過對(duì)重?fù)絾尉Ч枭a(chǎn)過程中產(chǎn)生的硅廢物提純后,可以用作太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用的多晶硅,終極本錢價(jià)可看控制在20美元/Kg以下。
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