首頁 > 行業(yè)資訊

太陽能電池用硅單晶切割片(GB/T 26071—2010)

來源:新能源網(wǎng)
時間:2015-08-05 00:43:11
熱度:

太陽能電池用硅單晶切割片(GB/T 26071—2010)1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用硅單晶切割片(簡稱硅片)的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運輸、貯存及質(zhì)量證明書與

1范圍   本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用硅單晶切割片(簡稱硅片)的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運輸、貯存及質(zhì)量證明書與訂貨單內(nèi)容。   本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉法(CZ/Mcz)制備的地面太陽能電池用硅單晶切割片。   2規(guī)范性引用文件   下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。   GB/T 1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法   GB/T 1552硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法   GB/T 1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法   GB/T 2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃   GB/T 6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法   GB/T 6618硅片厚度和總厚度變化測試方法   GB/T 6620硅片翹曲度非接觸式測試方法   GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法   GB/T 14140硅片直徑測量方法   GB/T 14264半導(dǎo)體材料術(shù)語   GB/T 25076太陽電池用硅單晶   GB/T 26068硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法   3術(shù)語   3.1   GB/T 14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。   線痕sawmarks   在線切割過程中產(chǎn)生于硅片表面的切割痕跡。   4要求   4.1產(chǎn)品分類   硅片按導(dǎo)電類型分為P型、n型兩種類型;按外形可分為準(zhǔn)方形和圓形兩種。   4.2規(guī)格   準(zhǔn)方形硅片按其邊長分為125mm×l25mm、156mm×156mm,或由供需雙方商定規(guī)格。   圓形硅片按直徑或?qū)蔷€長度尺寸分為∅150 inm、∅156mm、∅165mm和∅200mm。   4.3技術(shù)參數(shù)   4.3.1硅片厚度及允許偏差   硅片厚度、厚度偏差等幾何尺寸參數(shù)應(yīng)符合表1的規(guī)定,如用戶有特殊要求時,由供需雙方商定。   4.3.2直徑及允許偏差   準(zhǔn)方形硅片的直徑及其允許偏差應(yīng)符合圖1和表2的要求。圓形硅片直徑和允許偏差應(yīng)符合表3規(guī)定。需方有特殊要求時,由供需雙方協(xié)商解決。   4.3.3電性麓參數(shù)   4.3.3.1硅片的導(dǎo)電類型、摻雜劑、少數(shù)載流子壽命和晶體完整性應(yīng)符合GB/T 25076的規(guī)定。   4.3.3.2太陽能用硅片電阻率范圍和徑向電阻率變化等電性能參數(shù)還應(yīng)符合表4的規(guī)定。   4.3.3.3電學(xué)性能參數(shù)如有特殊要求,由供需雙方商定。   4.3.4晶向偏離   4.3.4.1 準(zhǔn)方形和圓形硅片晶向偏離度不大于3°。   4.3.4.2準(zhǔn)方形硅片四個邊緣晶向為<100>±2°;準(zhǔn)方形硅片相鄰兩邊的垂直度為90°±0.3°。   4.3.5表面質(zhì)量   硅片表面質(zhì)量應(yīng)符合表5的要求。   5試驗方法   5.1 硅片的導(dǎo)電類型測量按GB/T 1550進(jìn)行。   5.2硅片的電阻率測量按GB/T 1552或GB/T 6616進(jìn)行。   5.3硅片的徑向電阻率變化測量按GB/T 11073進(jìn)行。   5.4硅片的晶向及晶向偏離度測量按GB/T 1555進(jìn)行。   5.5硅片的少數(shù)載流子壽命測量按GB/T 26068進(jìn)行。   5.6硅片的直徑測量按GB/T 14140進(jìn)行。   5.7硅片的外型尺寸檢驗用游標(biāo)卡尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行。   5.8硅片的表面質(zhì)量在430lx~650lx光強度的熒光燈或乳白燈下進(jìn)行。   5.9硅片厚度及總厚度變化按GB/T 6618的規(guī)定進(jìn)行。   5.10硅片翹曲度按GB/T 6620的規(guī)定進(jìn)行。   6檢驗規(guī)則   6.1檢查和驗收   6.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)(質(zhì)量)監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗,保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,并填寫產(chǎn)品質(zhì)量保證書。   6.1.2需方可對收到的產(chǎn)品按訂貨單進(jìn)行檢驗,若檢驗結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)(或訂貨單)的規(guī)定不符時,應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個月內(nèi)向供方提出,由供需雙方協(xié)商解決。   6.2組批   每批應(yīng)由相同尺寸和相同電阻率范圍硅片組成。   6.3檢驗項目   硅片檢驗的項目有:導(dǎo)電類型、晶向及晶向偏離、電阻率范圍、徑向電阻率變化、晶體完整性、少數(shù)載流子壽命、氧含量、碳含量、表面質(zhì)量、外形和幾何尺寸,其中晶體完整性、少數(shù)載流子壽命和氧、碳含量由供方提供單晶棒的檢測數(shù)據(jù)。   6.4抽樣及檢驗結(jié)果的判定   硅片抽樣按GB/T 2828.1正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行,具體的抽樣項目、檢查水平和合格質(zhì)量水4平見表6所示,或由供需雙方商定。   7標(biāo)志、包裝、運輸、貯存   7.1標(biāo)志、包裝   7.1.1產(chǎn)品用聚苯烯(泡沫)等具有防震動、防碰撞的包裝盒疊片包裝,然后將包裝盒裝入包裝箱,并在包裝盒、箱內(nèi)填滿具有減震作用的填充物,防止晶片和包裝盒松動。特殊的包裝要求由供需雙方商定。   7.1.2包裝箱外應(yīng)標(biāo)有“小心輕放”、“防腐”、“防潮”字樣或標(biāo)志,并注明:   a)需方名稱、地點;   b)產(chǎn)品名稱;   c)產(chǎn)品毛重、凈重;   d)產(chǎn)品件數(shù);   e)供方名稱。   7.2運輸、貯存   7.2.1產(chǎn)品在運輸過程中應(yīng)輕裝輕卸,嚴(yán)禁拋擲,且應(yīng)采取防震、防潮措施。   7.2.2產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥環(huán)境中。   7.3質(zhì)量保證書   每批產(chǎn)品應(yīng)附有產(chǎn)品質(zhì)量保證書,注明:   a)供方名稱;   b)產(chǎn)品名稱、規(guī)格;   c)產(chǎn)品批號;   d)產(chǎn)品片數(shù);   e) 各項檢驗結(jié)果及檢驗部門印記   f) 本標(biāo)準(zhǔn)編號;   g)出廠日期。   8訂貨單內(nèi)容   訂購本標(biāo)準(zhǔn)所列產(chǎn)品的訂貨單應(yīng)包括下列內(nèi)容   a)外形和尺寸;   b)型號;   c)數(shù)量;   d)本標(biāo)準(zhǔn)編號;   e)其他。