高倍聚光光伏技術(shù)最新進(jìn)展

　　高倍聚光技術(shù)的市場和產(chǎn)業(yè)在最近幾年取得很大進(jìn)展，以下是一些基本情況：

　　1.累積的安裝并網(wǎng)已經(jīng)達(dá)到330MWp。其中，超過3 0MWp的項(xiàng)目有：中國格爾木日芯公司的60MWp和80MWp項(xiàng)目，南非 soitec公司44MWp 的 Touwsr ivier 項(xiàng)目，美國科羅拉多Amonix 公司位于Alamosa的30MWp項(xiàng)目；

　　2.已經(jīng)證明的可靠性和現(xiàn)場數(shù)據(jù)超過 6 年；

　　3.全世界產(chǎn)能 500MW/年；

　　4.高倍聚光的研發(fā)和技術(shù)水平進(jìn)展：已經(jīng)認(rèn)證的電池效率世界記錄為46%，已經(jīng)確認(rèn)的模組（組件）效率世界記錄為36.7%，均由德國 FraunhoferISE 實(shí)驗(yàn)室獲得。100kW以上項(xiàng)目統(tǒng)計(jì)分析表明，平均電站效率已經(jīng)達(dá)到 74%-80%；

　　5.自2002年以來，高倍聚光芯片的光電轉(zhuǎn)換效率每年提高0.9%以上。

　　高倍聚光技術(shù)的特點(diǎn)

　　作為公共事業(yè)級的并網(wǎng)發(fā)電技術(shù)，高倍聚光已經(jīng)進(jìn)入了商業(yè)市場，這篇報告將就以下幾個方面全面回顧高倍聚光技術(shù)的最新進(jìn)展，包括市場、行業(yè)、研發(fā)和技術(shù)。

　　盡管這個行業(yè)在去年經(jīng)歷了一些發(fā)電項(xiàng)目投資上的困難以及一些關(guān)于這項(xiàng)技術(shù)在銀行融資上的議論，但項(xiàng)目安裝仍然在繼續(xù)，在成本下降和技術(shù)進(jìn)步方面看起來也還是樂觀的。

　　高倍聚光的基本原理是利用相對廉價的聚光光學(xué)系統(tǒng)來替代昂貴但是高效率的III-V半導(dǎo)體芯片，使得它在發(fā)電度電成本上與光熱技術(shù)和通常的平板（晶硅）系統(tǒng)具有競爭力，特別是在一些高輻射度的地區(qū)。高倍聚光特別適合于在陽光充足的地區(qū)（直射陽光 DNI > 2000 kWh/m2/a）建設(shè)大型發(fā)電項(xiàng)目，超過90%的高倍聚光發(fā)電（HCPV）系統(tǒng)采用高聚光比模組和雙軸跟蹤系統(tǒng)（統(tǒng)計(jì)至2014年11月）。

　　所謂高聚光比指的是聚光比在300~1000之間，采用III-V族半導(dǎo)體材料的多結(jié)芯片（如三結(jié)GaInP/InGaAs/Ge）。低倍聚光（LCPV）系統(tǒng)的聚光比一般小于100，通常使用高效的單晶硅芯片，采用單軸跟蹤系統(tǒng)或雙軸跟蹤系統(tǒng)，本文對此不作重點(diǎn)評述。

　　越來越多的高倍聚光系統(tǒng)采用的是高聚光比的模組，也就是使用高效的III-V半導(dǎo)體芯片，這種芯片的效率提升非常顯著，直接導(dǎo)致了聚光系統(tǒng)整體的成本下降。在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下，F(xiàn)raunhoferISE實(shí)驗(yàn)室的模組效率已經(jīng)達(dá)到了36.7%，而大多數(shù)的商業(yè)模組已經(jīng)超過了30%。 最近幾年，得益于芯片和光學(xué)效率的提升，高倍聚光的AC系統(tǒng)效率也都達(dá)到了25%-29%之間。同時由于帶跟蹤系統(tǒng)的緣故，高倍聚光系統(tǒng)在電力需求高峰的下午時段能夠保持可觀的電力輸出。

　　根據(jù)項(xiàng)目不同，高倍聚光的規(guī)模范圍從 kW到MW級都可以。由于一些跟蹤系統(tǒng)的立柱并不怎么占地方，項(xiàng)目地還可以做其他（如農(nóng)業(yè)）用途。

　　高倍聚光的另外一大優(yōu)點(diǎn)是，不像普通的晶硅系統(tǒng)，其電力輸出不太受環(huán)境溫度影響，在氣候炎熱的地區(qū)比較有安裝優(yōu)勢。

　　從生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)來看，高倍聚光的初始設(shè)備投資相對于其他光伏技術(shù)（如晶硅）是比較低的，盡管存在不同的高倍聚光設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝路線。美國可再生能源實(shí)驗(yàn)室（NREL）的詳細(xì)分析指出，采用菲涅耳透鏡和二次光學(xué)的技術(shù)路線，生產(chǎn)芯片和模組的設(shè)備投資為$0.56/Wp(DC), 其他設(shè)計(jì)形式還可能更低。大部分的高倍聚光系統(tǒng)生產(chǎn)廠家還把芯片和光學(xué)部分的生產(chǎn)外包，這樣的話，其生產(chǎn)設(shè)備投資還要低得多。

　　一些分析報告還顯示，自從進(jìn)入光伏市場以來，高倍聚光系統(tǒng)的安裝成本在持續(xù)下降。 2013年，F(xiàn)rauhofer ISE 的一份報告發(fā)現(xiàn)，安裝10MWp的高倍聚光項(xiàng)目，價格在 1.4歐元到 2.2 歐元每瓦。價格變化是因?yàn)椴捎貌煌募夹g(shù)路線和新的不同安裝地點(diǎn)造成的差異，基于這些項(xiàng)目計(jì)算得到的平準(zhǔn)化電力成本（LCOE）為0.1歐元/度到0.15歐元/度（對應(yīng)的輻射度DNI =2000 kWh/m2/a）和0.08歐元/度到0.12歐元/度（對應(yīng)的輻射度DNI =2500 kWh/m2/a）。高倍聚光的優(yōu)缺點(diǎn)見表1。

　　高倍聚光的芯片、模組和系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了幾十年，最早的聚光系統(tǒng)樣機(jī)出現(xiàn)在上個世紀(jì)60年代，準(zhǔn)確的說聚光光伏并不是一個新近才出現(xiàn)的光伏技術(shù)路線，但其真正進(jìn)入市場是在2000年代中期。

　　跟晶硅技術(shù)相比，在大規(guī)模光伏并網(wǎng)發(fā)電應(yīng)用市場上，高倍聚光還是個年輕的小角色（盡管其芯片技術(shù)在太空中已經(jīng)是非常成熟的應(yīng)用）。這暗示了聚光可靠性數(shù)據(jù)積累不足，也體現(xiàn)在價格和行業(yè)成熟度上，聚光光伏還未得到真正的重視。

　　這篇報告的目的也在于改變信息不對稱，為市場和公眾歸納和提供可靠性數(shù)據(jù)。報告的第一部分集中于市場和行業(yè)，希望投資者、政策制定者、行業(yè)同行以及希望擴(kuò)展研究范圍的研發(fā)人員與大眾能從中受益；第二部分則集中在研發(fā)和技術(shù)方面，主要為行業(yè)和研發(fā)的利益相關(guān)方提供參考。

　　市場和產(chǎn)業(yè)鏈

　　自2011年以來，許多高倍聚光公司關(guān)閉、破產(chǎn)，從高倍聚光轉(zhuǎn)向傳統(tǒng)的光伏（晶硅），或者被巨頭公司收購，一些公司仍保持對高倍聚光技術(shù)的追求，另一些則選擇了放棄。

　　對于新技術(shù)、新市場，這種重組是再正常不過的商業(yè)行為。

　　一般認(rèn)為，高倍聚光面臨的挑戰(zhàn)是平板光伏（晶硅）的價格競爭，而這個價格競爭來源于晶硅行業(yè)的大規(guī)模產(chǎn)能擴(kuò)張導(dǎo)致的組件成本下降。一些高倍聚光公司認(rèn)為，在陽光充沛（高DNI）的地區(qū)，高倍聚光技術(shù)在平準(zhǔn)化電力成本（LCOE）上對比平板光伏（晶硅）有競爭優(yōu)勢，但是在擴(kuò)大產(chǎn)能這條路上確實(shí)不太好走。

　　高倍聚光的設(shè)計(jì)多樣，但絕大多數(shù)采用基于菲涅耳透鏡的透射點(diǎn)聚焦系統(tǒng)。為了降低成本和熱管理要求，一些公司已經(jīng)采用更小的芯片和更高的聚光比。幾乎所有的高倍聚光（HCPV）公司都采用了500倍或1000倍的聚光比。盡管多數(shù)公司的技術(shù)路線趨于小型模組設(shè)計(jì)，一些標(biāo)準(zhǔn)的部件也能提供，但是人們還是繼續(xù)使用他們的客制化部件。一些光學(xué)供應(yīng)商對高倍聚光的前景仍有激情，也希望標(biāo)準(zhǔn)化的部件能有助于行業(yè)發(fā)展，可他們對是否存在穩(wěn)定的高倍聚光市場還是有所擔(dān)心。

　　最近的幾個大的負(fù)面消息，動搖了這個行業(yè)的信心。2012年，Amon ix公司——現(xiàn)在改為Arzon Solar, 關(guān)閉了美國拉斯維加斯的150MW工廠；2013年，SolFocus公司——一家提供反射式聚光系統(tǒng)的公司，陷于破產(chǎn)清算；今年早些時候（2014），Soitec 公司放棄了在美國加州的一個150MW項(xiàng)目，原因是開發(fā)商希望改為安裝平板晶硅系統(tǒng)；澳大利亞的Solar System公司——現(xiàn)在叫Silex，直接叫停了在澳大利亞的100MW安裝計(jì)劃；中國的一些主流高倍聚光公司，也選擇了退出或轉(zhuǎn)型，包括上市公司三安光電股份（日芯公司）。

　　現(xiàn)在還不清楚，這些事件對高倍聚光行業(yè)整體的影響有多大。

　　有意思的是，盡管高倍聚光模組的市場受到如此大的打擊，一些生產(chǎn)應(yīng)用于地面高倍聚光III-V芯片的廠家，卻繼續(xù)投入并改進(jìn)他們的產(chǎn)品。

　　Soitec公司也繼續(xù)在南非、中國和美國的高倍聚光項(xiàng)目安裝；值得一提的是，Sunpower公司有一個在中國內(nèi)蒙古安裝70MW低倍聚光項(xiàng)目的計(jì)劃。

　　另外，現(xiàn)在高倍聚光跟蹤器的可靠性相比以前也大大提高了，價格也下來了不少。

　　聚光光伏只是最近幾年才真正進(jìn)入光伏市場，一個叫CPV共同體的組織，最近才開始收集電站數(shù)據(jù)。第一個MW級聚光電站在2006年安裝于西班牙，從那時起，每年都有MW級的高倍聚光得到安裝，有些甚至超過20MW，其中的90%以上是高倍聚光（HCPV）帶雙軸跟蹤系統(tǒng)。2008年以前，大部分聚光光伏是采用晶硅芯片，但隨后III-V半導(dǎo)體芯片開始成為聚光光伏系統(tǒng)的標(biāo)配。低倍聚光（LCPV）仍然使用改進(jìn)的或是高效的晶硅芯片。

　　現(xiàn)在市場上不僅有大型的高倍聚光地面電站，也有一些小型的項(xiàng)目。自從西班牙的第一個1MW的項(xiàng)目運(yùn)行以后，世界各地陸陸續(xù)續(xù)開始修建了MW級別的聚光電站，分布在美國、中國、意大利、澳大利亞和南非。

　　與其他光伏技術(shù)相比，聚光光伏是一個非常小的市場。在2011年的時候，全世界還不到100MW的安裝量，但2014年一年就安裝了70MW。一些20MW左右的項(xiàng)目，也正在安裝或處于項(xiàng)目開發(fā)階段。

　　與常規(guī)光伏電站一樣，高倍聚光電站也是25年的質(zhì)保，所以電站必須非常可靠。

　　一個名為高倍聚光模組和裝配-設(shè)計(jì)規(guī)格和定型的標(biāo)準(zhǔn)（IEC62108）已經(jīng)在2007年頒布實(shí)施，作為進(jìn)入市場的強(qiáng)制性要求。今天，已經(jīng)有許多公司根據(jù)這個標(biāo)準(zhǔn)通過了產(chǎn)品檢驗(yàn)。同時，附加的UL和IEC標(biāo)準(zhǔn)（涵蓋功率和能量標(biāo)定、模組安全、跟蹤器、光學(xué)、芯片裝配等等）已經(jīng)頒發(fā)或正在制定之中。

　　展望：關(guān)于系統(tǒng)成本和平準(zhǔn)化電力成本

　　聚光系統(tǒng)的市場價格和成本信息很難取得。

　　這是由于市場比較小，活躍的公司并不多。這樣，學(xué)習(xí)曲線并不是那么可靠，系統(tǒng)成本和平準(zhǔn)化電力成本（LCOE或度電成本）的分析也具有很大的不確定性，除非市場上已經(jīng)有了足夠多的并網(wǎng)發(fā)電項(xiàng)目安裝量。

　　2013年，F(xiàn)raunhofer 發(fā)表了一個可再生能源的平準(zhǔn)化電力成本的深入研究。其中也包括了對高倍聚光的分析，根據(jù)的是基于公開發(fā)表的數(shù)據(jù)所作的假設(shè)。

　　加拿大的渥太華大學(xué)的一個小組也作過類似的報告。根據(jù)行業(yè)調(diào)查和文獻(xiàn)，聚光光伏的價格（含安裝），大多在1400歐元/千瓦和2200歐元/千瓦之間，根據(jù)不同的設(shè)計(jì)概念和新的地區(qū)差異而不同。

　　而根據(jù)技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析，我們計(jì)算得到聚光電站的平準(zhǔn)化電力成本，則為0.1歐元/度~0.15歐元/度（DNI輻射度2000kWh/m2/a的地區(qū)），0.08歐元/度~0.12歐元/度（DNI輻射度2500kWh/m2/a的地區(qū)）。

　　對于聚光光伏，未來市場發(fā)展有很大的不確定性，技術(shù)進(jìn)步帶來成本的下降的可能性也是存在的。分析表明，未來度電成本下降的潛力將繼續(xù)鼓勵技術(shù)的發(fā)展。如果保持聚光光伏電站的安裝，到2030年，聚光光伏將達(dá)到0.045歐元/度~0.075歐元/度, 系統(tǒng)價格（含安裝）將達(dá)到700歐元/千瓦~1100歐元/千瓦。

　　從圖1可以看到，在一些日照比較好的地區(qū)，高倍聚光的成本已經(jīng)和平板晶硅的成本可以比擬，或者更低。

　　展望：研發(fā)和技術(shù)

　　高光電轉(zhuǎn)換效率是促使高倍聚光度電成本具有競爭力的最大因素。因而，絕大多數(shù)的研發(fā)努力都放在如何提高效率，無論是在芯片、模組還是在系統(tǒng)水平上。

　　圖2顯示了自2000年以來芯片、模組和系統(tǒng)效率的提升，強(qiáng)調(diào)了研發(fā)努力的進(jìn)展。這些趨勢線是來自歐洲研發(fā)平臺的預(yù)期，這預(yù)計(jì)了聚光技術(shù)效率提升的巨大潛力。

　　效率問題：III-V族多結(jié)電池是聚光技術(shù)度電成本下降的主要推手。

　　從2002年以來，每年的效率提升在0.9%以上。Sharp公司和 Fraunhofer 實(shí)驗(yàn)室達(dá)到了今天的冠軍效率，分別為三結(jié)電池 44.4%和四結(jié)電池46.0%，46.5%的效率也已經(jīng)出現(xiàn)，但還未得到權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)的證實(shí)。

　　商業(yè)化產(chǎn)品的效率與實(shí)驗(yàn)室效率相當(dāng)接近，說明高倍聚光技術(shù)的商業(yè)化轉(zhuǎn)化非常迅速。根據(jù)一些公司的產(chǎn)品數(shù)據(jù)規(guī)格書，現(xiàn)在商業(yè)化聚光芯片的效率在38%~42%。

　　與其他光伏技術(shù)相比，聚光技術(shù)的高效率可以這樣來解釋。

　　首先，聚光芯片是元素周期表的III族和V族元素的化合物晶體制作，由不同的半導(dǎo)體材料按禁帶寬度由低到高順序堆砌而成的。這樣做不僅是減少了光子吸收過程中的熱損失，因不同能量的光子對應(yīng)不同半導(dǎo)體帶寬的材料吸收，更重要的是，跟單結(jié)結(jié)構(gòu)相比，在透射損失減少的同時，光子吸收范圍也大大增加。

　　同時，III-V族材料是直接帶半導(dǎo)體，光子吸收效率很高，可以把材料做得非常薄。對比硅材料，硅是間接半導(dǎo)體材料，吸收光子的能力比較低，硅片通常要作的比較厚。

　　具體來說，廣泛使用的III-V族聚光芯片結(jié)構(gòu)，是晶格匹配的GaInP/InGaAs/Ge，這種材料不僅地面聚光光伏使用，在太空上也已經(jīng)是成熟的應(yīng)用了。這種器件是利用產(chǎn)出效率很高的氣相外延生長設(shè)備(MOCVD)生產(chǎn)的，這種結(jié)構(gòu)中的材料是跟Ge晶格匹配的，因此這種結(jié)構(gòu)的材料晶體質(zhì)量非常高，2009年其光電效率達(dá)到了41.6%(AM1.5d，364倍聚光比)。采用不同組分的III-V半導(dǎo)體材料提供了非常大的材料設(shè)計(jì)靈活性，具體的材料設(shè)計(jì)討論超過了本報告的范圍。另請注意，低倍聚光光伏仍然采用單晶硅材料，而本報告主要討論高倍聚光的技術(shù)路徑。

　　原材料供應(yīng)問題：聚光芯片是采用了多種不同的元素，Ga(鎵)、In (銦)和Ge（鍺），在全球供應(yīng)上是有限的。

　　鎵和銦來自采礦副產(chǎn)品的還原，2013年的產(chǎn)量分別是280噸和770噸。2011年鍺的產(chǎn)量約為118噸。這是原始產(chǎn)品的產(chǎn)量，不包含回收和重復(fù)利用。

　　假定鍺襯底片的厚度為200微米，則理論使用量是0.1g/cm2，考慮30%的產(chǎn)出（鋸割、切片、破裂等損失），則實(shí)際使用量是0.4g/cm2，取決于各公司如何控制鋸割損失。只有少數(shù)公司能夠回收利用鋸割損失的鍺廢料，其他材料的損失比例則非常小。

　　這樣，在假定30%模組效率 和1000倍聚光比的條件下，1GW的高倍聚光所需要的Ge重量大約為4噸，不考慮回收的話最大不超過12噸。現(xiàn)在的材料供應(yīng)是不存在問題的，隨著效率提高和聚光比增加，材料用量還會減少。

　　在太陽能應(yīng)用以外，Ge也廣泛應(yīng)用于電子、紅外光學(xué)、光纖光學(xué)、聚酯催化劑等發(fā)展最快的應(yīng)用需求。因此，未來鍺的供應(yīng)量還需要繼續(xù)增加，如果聚光太陽能的應(yīng)用能達(dá)到較大規(guī)模的話。全球已知鍺的儲量約有35600噸，其中24600噸來自煤，剩余的來自鉛/鋅生產(chǎn)。作為一種副產(chǎn)品，看不出來有任何限制鍺產(chǎn)量的因素。

　　不過，不清楚的是，鍺的價格是否需要提高以刺激產(chǎn)量?；蛘撸鳛楦碑a(chǎn)品的鍺價格是否變化，而其變化又如何才不至于影響聚光光伏的經(jīng)濟(jì)性。

　　對于鎵和銦來說，聚光芯片生產(chǎn)所需要的量非常之少，即便是每年GW級的聚光光伏產(chǎn)能下，也不需要供應(yīng)鏈增加供給。

　　另外，如果不采用鍺襯底片，而是使用Ga As襯底片, Ga的用量會顯著增加。假定600微米的GaAs片，Ga用量不到0.2g/cm2（沒有考慮損耗），考慮30%產(chǎn)出并且不回收GaAs片，用量最高也不到0.5g/cm2。在有效回收，30%模組效率和1000倍聚光比條件下，每GW聚光光伏需要5.5噸Ga。

　　不考慮回收的情況下，最多也不超過17噸。在最壞情況下，以產(chǎn)能1GW/年計(jì)，聚光光伏的Ga用量，也只占了全球年供應(yīng)量的6%。

　　如果聚光光伏的芯片在低倍聚光下使用，或者完全不采用聚光，則Ge、Ga、In的原材料供應(yīng)問題將變得非常具有挑戰(zhàn)性。也就是說，采用高倍聚光技術(shù)可以大大減少半導(dǎo)體材料的使用量。以1000倍聚光比為例，在相同功率下，相當(dāng)于僅僅使用了千分之一的芯片用量，而轉(zhuǎn)換效率還更高——聚光芯片在高倍聚光條件下，其光電轉(zhuǎn)換效率比非聚光條件下的轉(zhuǎn)換效率還要高8%左右。

格爾木光伏電站聚光工程

　　>> 編譯后記

　　這是根據(jù)去年年底德國Fraunhofer實(shí)驗(yàn)室和美國可再生能源實(shí)驗(yàn)室共同就高倍聚光光伏技術(shù)的最新進(jìn)展發(fā)表的一個報告編譯而成的。最近幾年，在全世界晶硅（多晶硅和單晶硅）大規(guī)模擴(kuò)充產(chǎn)能和技術(shù)工藝進(jìn)步導(dǎo)致平板晶硅太陽能系統(tǒng)成本和價格急劇下降的大背景下，聚光光伏（地面高倍聚光）在太陽能發(fā)電市場上的推廣應(yīng)用被迅速抑制，一系列的破產(chǎn)倒閉和重組事件，也給這個光伏細(xì)分行業(yè)蒙上了重重陰影。

　　不過，可喜的是，作為一種研發(fā)歷史悠久并有著多年現(xiàn)場數(shù)據(jù)的發(fā)電項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，以及在太空上成熟應(yīng)用的技術(shù)，高倍聚光以其技術(shù)和性能的優(yōu)越性并沒有完全被放棄，一些公司和研究機(jī)構(gòu)在聚光芯片效率上每年都取得新進(jìn)展，模組和系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)也已經(jīng)制定或正在制定之中，大型聚光發(fā)電項(xiàng)目安裝還在繼續(xù)，不斷在提供和累積現(xiàn)場數(shù)據(jù)，為這個行業(yè)帶來希望的亮光。

　　中國在聚光光伏產(chǎn)業(yè)中，不僅能夠商業(yè)化生產(chǎn)聚光芯片，在模組和系統(tǒng)上也積累了大量的實(shí)際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，包括芯片的材料設(shè)計(jì)和商業(yè)化生產(chǎn)、接收器組裝、光學(xué)部件、跟蹤器等，已經(jīng)形成了完整的聚光光伏產(chǎn)業(yè)鏈，且發(fā)電項(xiàng)目裝機(jī)量在國際上也名列前茅。

　　從制造環(huán)節(jié)上看，聚光光伏的全產(chǎn)業(yè)鏈無污染和低能耗，聚光光伏系統(tǒng)的能源回報期只有6個月，是嚴(yán)格意義上的清潔能源。

　　從技術(shù)角度看，高倍聚光只在陽光充沛地區(qū)具有較強(qiáng)的價格競爭力。輸出電力曲線平緩，比較適合大規(guī)模發(fā)電側(cè)并網(wǎng)發(fā)電，在光伏發(fā)電的終端市場上應(yīng)占有一席之地。也就是說，根據(jù)技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用情景，不同的光伏發(fā)電技術(shù)各有其優(yōu)勢的細(xì)分市場。

　　從積極的角度和發(fā)展的眼光來看，中國如支持發(fā)展聚光光伏，可以增強(qiáng)我國在先進(jìn)半導(dǎo)體芯片技術(shù)方面的研發(fā)實(shí)力。而發(fā)展高端光學(xué)材料，提高光學(xué)設(shè)計(jì)水平，加強(qiáng)精密光學(xué)加工能力，符合國家從低端制造到高端智造的制造業(yè)轉(zhuǎn)型趨勢。發(fā)展大型聚光光伏發(fā)電，跟其他可再生能源一起，對中國的環(huán)境治理和碳排放控制也具有積極意義。