太陽能級多晶硅（GB/T 25074-2010）

1范圍 　　本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級多晶硅的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存及訂貨單（或合同）內(nèi)容等。 　　本標(biāo)準(zhǔn)適用于以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。產(chǎn)品主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)。 　　2規(guī)范性引用文件 　　下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 　　GB/T 1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法 　　GB/T 1551硅單晶電阻率測定方法 　　GB/T 1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法 　　GB/T 1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 　　GB/T 1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法 　　GB/T 4059硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法 　　GB/T 4060硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法 　　GB/T 4061硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法 　　GB/T 24574硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法 　　GB/T 24581低溫傅立葉變換紅外光譜法測量單晶硅中Ⅲ、Ⅴ族族雜質(zhì)含量的測試方法 　　SEMI MF1535用微波反射光電導(dǎo)衰減法非接觸測量硅片載流子復(fù)合壽命的測試方法 　　3要求 　　3.1分類 　　產(chǎn)品按外型分為棒狀、塊狀和顆粒狀，根據(jù)等級的差別分為三級。 　　3.2牌號 　　多晶硅牌號表示為： 　　4技術(shù)要求 　　4.1等級 　　太陽能級多晶硅的等級及相關(guān)技術(shù)要求應(yīng)符合表1的規(guī)定。每個等級的產(chǎn)品應(yīng)該同時滿足本等級的要求，若某指標(biāo)超出標(biāo)準(zhǔn)，則降為下一級。 　　4.2尺寸范圍 　　4.2.1破碎的塊狀多晶硅具有無規(guī)則的形狀和隨機(jī)尺寸分布，其線性尺寸最小為3mm，最大為200mm。塊狀多晶硅的尺寸分布范圍為： 　　a)3mm-25mm的最多占重量的15%; 　　b)25mm-100mm的占重量的15％一35%; 　　c)100mm-200mm的最少占重量的65%。 　　4.2.2顆粒狀硅粒度范圍為1mm-3mm。 　　4.2.3棒狀多晶硅的直徑、長度尺寸由供需雙方商定。 　　4.3表面質(zhì)量 　　4.3.1塊狀、棒狀多晶硅斷面結(jié)構(gòu)應(yīng)致密。 　　4.3.2多晶硅免洗或經(jīng)過表面清洗，都應(yīng)使其達(dá)到直接使用要求。所有多晶硅的外觀應(yīng)無色斑、變色，無目視可見的污染物和氧化的外表面。 　　4.3.3多晶硅中不允許出現(xiàn)氧化夾層。 　　5測試方法 　　5.1多晶硅導(dǎo)電類型檢驗(yàn)按GB/T 1550測試。 　　5.2多晶硅電阻率測量按GB/T 1551測試。 　　5.3少數(shù)載流子壽命測量按GB/T 1553或SEMI MF1535測試。 　　5.4多晶硅中氧濃度測量按GB/T 1557測試。 　　5.5多晶硅中碳濃度測量按GB/T 1558測試。 　　5.6多晶硅斷面夾層檢驗(yàn)按GB/T 4061測試。 　　5.7多晶硅中的Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)含量按照GB/T 24574或GB/T 24581測試。 　　5.8棒狀多晶硅的尺寸用游標(biāo)卡尺測量，塊狀多晶硅、粒狀多晶硅的尺寸分布范圍用過篩檢驗(yàn)，或由供需雙方商定的方法檢驗(yàn)。 　　5.9多晶硅的表面質(zhì)量用目視檢查。 　　6檢驗(yàn)規(guī)則 　　6.1檢查和驗(yàn)收 　　6.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方質(zhì)量監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。 　　6.1.2需方可對收到的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)。若檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定不符時，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。 　　6.2組批 　　產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一牌號，以類似工藝條件生產(chǎn)并可追溯生產(chǎn)條件的多晶硅組成。 　　6.3檢驗(yàn)項(xiàng)目 　　每批產(chǎn)品應(yīng)進(jìn)行基磷電阻率或施主雜質(zhì)濃度、基硼電阻率或受主雜質(zhì)濃度、少數(shù)載流子壽命、氧濃度、碳濃度、結(jié)構(gòu)、表面質(zhì)量和尺寸的檢驗(yàn)；基體金屬雜質(zhì)由供需雙方協(xié)商。 　　6.4供方取樣、制樣應(yīng)按GB/T 4059，GB/T 4060、 GB/T 4061進(jìn)行或由供需雙方協(xié)商。 　　6.5檢驗(yàn)結(jié)果判定 　　6.5.1多晶硅的等級由基磷電阻率或施主雜質(zhì)濃度、基硼電阻率或受主雜質(zhì)濃度、少數(shù)載流子壽命、氧濃度、碳濃度判定；基體金屬雜質(zhì)屬參考項(xiàng)目，由供需雙方協(xié)商。 　　6.5.2在判定項(xiàng)目中若檢驗(yàn)結(jié)果有一項(xiàng)不合格，則加倍取樣對該不合格的項(xiàng)目進(jìn)行復(fù)驗(yàn)。對復(fù)驗(yàn)結(jié)果仍不合格的產(chǎn)品，應(yīng)直接判定為不合格。 　　7包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存 　　7.1包裝 　　多晶硅應(yīng)裝人潔凈的聚乙烯包裝袋內(nèi)，密封；免洗料裝人雙層聚乙烯包裝袋內(nèi)，然后再將包裝袋裝人包裝箱或包裝桶內(nèi)。塊狀多晶硅包裝規(guī)格為每袋凈重為5000g或10000g。棒狀硅多晶每根單獨(dú)包裝，并用箱子固定、封裝。包裝時應(yīng)防止聚乙烯包裝袋破損，以避免產(chǎn)品外來沽污，并按最佳方法提供良好保護(hù)。 　　7.2標(biāo)志 　　包裝箱（桶）外應(yīng)標(biāo)有“小心輕放”及“防腐、防潮”字樣或標(biāo)志，并標(biāo)明： 　　a)供方名稱； 　　b）產(chǎn)品名稱； 　　c)產(chǎn)品牌號； 　　d)產(chǎn)品數(shù)量； 　　e)產(chǎn)品凈重。 　　7.3運(yùn)輸 　　產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震措施。 　　7.4貯存 　　產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥環(huán)境中。 　　7.5質(zhì)量證明書 　　每批產(chǎn)品應(yīng)附有質(zhì)量證明書，注明： 　　a)供方名稱； 　　b）產(chǎn)品名稱、牌號； 　　c)產(chǎn)品批號； 　　d）產(chǎn)品毛重、凈重； 　　e)各項(xiàng)檢驗(yàn)結(jié)果及檢驗(yàn)部門印記； 　　f)本標(biāo)準(zhǔn)編號； 　　g）出廠日期。 　　8訂貨單內(nèi)容 　　本標(biāo)準(zhǔn)所列產(chǎn)品的訂貨單內(nèi)應(yīng)包括下列內(nèi)容： 　　a)產(chǎn)品名稱； 　　b）狀態(tài)； 　　c）規(guī)格； 　　d）重量； 　　e)本標(biāo)準(zhǔn)編號； 　　f）其他。