國(guó)內(nèi)外LED相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

1. 國(guó)外LED相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀,LED標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀,LED國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀--LED行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 　　嚴(yán)格地講，不僅僅國(guó)內(nèi)沒(méi)有沒(méi)有專(zhuān)門(mén)命名為半導(dǎo)體照明的標(biāo)準(zhǔn),國(guó)外目前也沒(méi)有專(zhuān)門(mén)命名為半導(dǎo)體照明的標(biāo)準(zhǔn)，只有有關(guān)普通 LED的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和與普通光源有關(guān)的照明方面的標(biāo)準(zhǔn)。普通LED的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有： 　?。?）IEC60747-5 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits(1992) 　　IEC60747-5半導(dǎo)體分立器件及集成電路 　?。?）IEC60747-5-2 Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-2:Optoelectronic devices-Essential ratings and characteristics (1997-09) 　　IEC60747-5-2分立半導(dǎo)體器件及集成電路零部件5-2：光電子器件—分類(lèi)特征及要素(1997-09) 　?。?）IEC60747-5-3 Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-3 :Optoelectronic devices-Measuring methods(1997-08) 　　IEC60747-5-3分立半導(dǎo)體器件及集成電路零部件 5-3：光電子器件—測(cè)試方法(1997-08) 　　（4）IEC60747-12-3 Semiconductor devices－part12-3: optoelectronic devices –Blank detail specification for light-emitting diodes –Display application(1998-02) 　　IEC60747-12-3半導(dǎo)體分立器件12-3：光電子器件—顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)標(biāo)準(zhǔn)（1998-02） 　?。?）CIE127-1997 Measurement of LEDs(1997) 　　CIE127-1997 LED測(cè)試方法（1997） 　?。?） CIE/ISO standards on LED intensity measurements 　　CIE/ISO LED強(qiáng)度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) 　　國(guó)際照明委員會(huì)（CIE）1997年發(fā)表 CIE127-1997 LED測(cè)試方法，把LED 強(qiáng)度測(cè)試確定為平均強(qiáng)度的概念，并且規(guī)定了統(tǒng)一的測(cè)試結(jié)構(gòu)和探測(cè)器大小，這樣就為L(zhǎng)ED 準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)奠定了基礎(chǔ)。雖然CIE 127－1997 測(cè)試方法 并非國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，但它容易實(shí)施準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)，目前世界上主要企業(yè)都已采用。 但是隨著技術(shù)的快速發(fā)展，許多新的 LED技術(shù)特性 CIE127-1997 LED測(cè)試方法 沒(méi)有涉及。 　　目前，隨著半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，發(fā)達(dá)國(guó)家非常重視 LED測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的制訂。如美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)研究所（NIST）正在開(kāi)展LED測(cè)試方法的研究，準(zhǔn)備建立整套的LED測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，許多國(guó)外大公司的研究和開(kāi)發(fā)人員正在積極參與國(guó)家和國(guó)際專(zhuān)業(yè)化組織，制訂半導(dǎo)體照明測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。如2002年10月28日，美國(guó)Lumileds公司和日本Nichia宣布雙方進(jìn)行各自L(fǎng)ED技術(shù)的交叉授權(quán)，并準(zhǔn)備聯(lián)合制訂功率型LED標(biāo)準(zhǔn)，以推動(dòng)市場(chǎng)應(yīng)用。 　　2. 國(guó)內(nèi)LED相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀--LED國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 　　國(guó)內(nèi)目前沒(méi)有較全面的 LED及其照明器具國(guó)家和LED行業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，也沒(méi)有相應(yīng)的檢測(cè)系統(tǒng)。在生產(chǎn)中企業(yè)往往以樣管封存的參數(shù)為對(duì)比依據(jù)。不同性質(zhì)的相關(guān)生產(chǎn)廠(chǎng)家、用戶(hù)、研究所、高校經(jīng)常對(duì)此存在很大的爭(zhēng)議，這種在學(xué)術(shù)界內(nèi)部、企業(yè)界內(nèi)部及相互之間對(duì)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)識(shí)的不一致嚴(yán)重阻礙了產(chǎn)品的應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。雖然有一些企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)采購(gòu)了部分檢測(cè)設(shè)備，由于缺少專(zhuān)業(yè)的研究，導(dǎo)致設(shè)備水平低、儀器配套性差、檢測(cè)精度低，而且檢測(cè)結(jié)果相互之間不好對(duì)比，測(cè)試項(xiàng)目不能滿(mǎn)足用戶(hù)需要。國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)檢測(cè)機(jī)構(gòu)曾經(jīng)開(kāi)展過(guò)一些 LED的測(cè)試研究工作，但由于條件所限，尚不能形成完整的檢測(cè)評(píng)價(jià)系統(tǒng)，檢測(cè)水平與國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家有較大差距。 　　從八十年代初起，我國(guó)相繼制定了一些與發(fā)光二極管相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。 國(guó)內(nèi)現(xiàn)有與 LED測(cè)試有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)有： 　?。?） Sj2353.3-83半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法 　?。?） Sj2658－86 半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測(cè)試方法 　?。?）GB/T12561—1990發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范 　?。?）GB/T15651－1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路：光電子器件（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)） 　?。?）GB/T18904.3—2002半導(dǎo)體器件12-3:光電子器件顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范（采用IEC60747-12-3:1998） 　　（6） 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第 5 － 2 部分：光電子器件基本額定值和特性（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；制訂中） 　?。?）半導(dǎo)體分立器件和集成電路第 5 － 3 部分：光電子器件測(cè)試方法（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；制訂中） 　　（8） 半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法（中國(guó)光協(xié)光電器件分會(huì)標(biāo)準(zhǔn)； 2002 ）