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EL雪花狀漏電如何解決?
EL雪花狀漏電如何解決?:摘要:通過采用外量子測試、成分測試、可靠性測試等方法對太陽電池電致發(fā)光(EL) 漏電原因及漏電電池的可靠性進(jìn)行了簡要分析,結(jié)果顯示,產(chǎn)生漏電的原因主要是由
:摘要:通過采用外量子測試、成分測試、可靠性測試等方法對太陽電池電致發(fā)光(EL) 漏電原因及漏電電池的可靠性進(jìn)行了簡要分析,結(jié)果顯示,產(chǎn)生漏電的原因主要是由于硅片切割時引入了金屬雜質(zhì),導(dǎo)致少子壽命低,漏電電池片衰減率及組成組件后工作溫度均大于正常電池片。
0引言
目前規(guī)模生產(chǎn)的太陽電池的質(zhì)量主要是從外觀和電致發(fā)光(EL)兩方面做判定。EL不良率是影響生產(chǎn)線合格率的主要因素之一,其問題的解決一直是困擾生產(chǎn)線的難題,查找原因、改善和解決問題是生產(chǎn)線一直探究的方向。本文主要針對太陽電池測試中出現(xiàn)的雪花狀漏電問題展開分析,并對此類電池的可靠性進(jìn)行了評估。
1漏電電池片分析
對在太陽電池測試中出現(xiàn)雪花狀漏電的異常電池片進(jìn)行酸拋處理,用H2O、HCl、HNO3、HF按1:1:1:1的比例混合成酸液,將背電場、電極、減反膜、p-n結(jié)及絨面酸洗拋光后進(jìn)行如下測試。
1.1光致發(fā)光(PL)測試
將酸拋后的漏電電池硅片與正常硅片經(jīng)同一制絨槽制絨后進(jìn)行PL測試,測試結(jié)果如圖1、圖2所示。
對比圖1和圖2可知,酸拋后的漏電電池硅片并未出現(xiàn)發(fā)黑區(qū)域,也未見其他異常,因此可認(rèn)為酸拋后的漏電電池硅片PL測試合格。
1.2酸拋后的漏電電池硅片參數(shù)測試
漏電電池片酸拋后,對其進(jìn)行少子壽命、電阻率及厚度測試,具體數(shù)據(jù)如表1所示。
少子壽命達(dá)到合格的標(biāo)準(zhǔn)是大于1.2μs,但從表1測試數(shù)據(jù)來看,少子壽命存在不合格的情況,不良率為57.1%,不合格比例較高。
1.3硅片面少子壽命測試
圖3為漏電電池片經(jīng)酸拋后,測試其硅片的面少子壽命,均值為0.974μs;圖4為正常硅片面少子壽命,均值為1.553μs。由于漏電電池片所使用硅片的少子壽命低于1.2μs,因此不滿足合格標(biāo)準(zhǔn)。
1.4硅片晶向、位錯測試
1)晶向測試。晶向測試是利用X射線儀進(jìn)行晶向測定。其原理為:當(dāng)一束平行的單色X射線射入晶體表面時,X射線照在相鄰平面之間的光程差為其波長的整數(shù)倍時就會產(chǎn)生衍射。利用計(jì)數(shù)器探測衍射線,根據(jù)其出現(xiàn)的位置確定單晶的晶向。
2)位錯測試。位錯測試是利用化學(xué)擇優(yōu)腐蝕來顯示缺陷,試樣經(jīng)擇優(yōu)腐蝕液腐蝕后,在有缺陷的位置會被腐蝕成淺坑或丘,可采用目視法結(jié)合金相顯微鏡進(jìn)行觀察。
對3片漏電電池片酸拋后進(jìn)行晶向、位錯測試,數(shù)據(jù)如表2所示。
根據(jù)表2數(shù)據(jù)可知,晶向偏離度基本在1°以下,技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對晶向偏離度的要求通常為距離〈100〉晶向±3°,測試結(jié)果滿足要求,且檢測未發(fā)現(xiàn)位錯。這說明漏電原因不是晶界問題引起的。
1.5酸拋返工
將酸拋后的漏電電池片重新進(jìn)行生產(chǎn)線工藝加工,制成電池片后對其進(jìn)行EL測試。對比圖5、圖6可知,生產(chǎn)線返工再次做成電池片,測試其EL依然有漏電。但與第一次制成的電池片的EL測試結(jié)果對比后發(fā)現(xiàn),漏電點(diǎn)明顯減少,但漏電并未因改變制作流程而消失,只是有所減輕,說明問題主要存在于硅片表層。
2工藝排查分析
2.1電性能參數(shù)對比
將漏電電池片與正常電池片在同一測試條件下對比測試。表3為正常電池片與漏電電池片(未返工)的性能參數(shù)對比。
由表3可知,漏電電池片的并聯(lián)電阻較小、漏電電流基本都大于2A,說明此類電池片不合格。
2.2生產(chǎn)工藝過程分析排查
電池生產(chǎn)中產(chǎn)生漏電的因素主要包括:燒結(jié)溫度過高、硅片本身制絨過深、燒結(jié)時造成燒穿、擴(kuò)散很薄或無擴(kuò)散,從而導(dǎo)致正電極和背電場導(dǎo)通[1]。因此,可從制絨、擴(kuò)散和燒結(jié)工序做排查分析。
2.2.1制絨工藝
在顯微鏡下觀察漏電電池片與正常電池片的絨面,圖7為正常電池片的絨面,圖8為漏電電池片的絨面。顯微鏡測試得到正常和異常片的金字塔大小皆處于1.769~2.491μm之間,因此符合標(biāo)準(zhǔn)要求(標(biāo)準(zhǔn)為1.5~3.0μm)。絨面整體未表現(xiàn)出明顯異常,排除是制絨工藝造成的可能性。
2.2.2擴(kuò)散工序
1)測試酸拋前的漏電電池片和正常電池片的方阻差異,測試時探針壓在非柵線區(qū)。表4為電池片方阻測試數(shù)據(jù)。由表4可知,正常片和異常片的方阻值均分布在1.6~7.2Ω/□,生產(chǎn)線方阻測試的值通常在2.0~9.0Ω/□,對比后無明顯差異,可認(rèn)為漏電電池片的方阻正常。
2)查取生產(chǎn)監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)后發(fā)現(xiàn),生產(chǎn)線正常生產(chǎn)抽檢測試的擴(kuò)散方阻無異常。因此,針對擴(kuò)散均勻性較差的爐口進(jìn)行測試驗(yàn)證。取制絨后待擴(kuò)散的硅片放于擴(kuò)散爐爐口位置,測試其擴(kuò)散后的方阻,并測試成品電池的電性能、EL反向漏電情況。
表5為擴(kuò)散后的方阻測試數(shù)據(jù)。由表5可知,硅片擴(kuò)散后測得的方阻介于91~103Ω/□之間。
將爐口處的硅片制成電池后,測試電池的電性能,如表6所示。由表6可知,未出現(xiàn)漏電流Irev1、Irev2大于0.5A、并聯(lián)電阻偏小的情況。所以不是擴(kuò)散爐口位置出現(xiàn)的異常。
對電池片進(jìn)行EL反向測試,表7為電池片的反向漏電測試數(shù)據(jù),該數(shù)據(jù)皆小于0.5A。擴(kuò)散均勻度最差的爐口位置的硅片制成的電池片未出現(xiàn)雪花狀漏電現(xiàn)象,排除是擴(kuò)散工藝造成的可能性。
2.2.3燒結(jié)工藝
用同一片電池片驗(yàn)證生產(chǎn)線燒結(jié)爐工藝,取生產(chǎn)線編號為L2-1的電池片,測試其EL,分別在生產(chǎn)線L2-2、L1-1和L1-2進(jìn)行重復(fù)燒結(jié),EL反向漏電[2]如圖9所示。
從圖9可以看出,燒結(jié)對電池片造成的影響與生產(chǎn)線發(fā)現(xiàn)的異常漏電電池片的特征不同,由此可以排除燒是結(jié)工藝造成的可能性。
2.3量子效應(yīng)測試
圖10為漏電電池與正常電池的外量子效率對比圖。由圖10可知,在整個波段,漏電電池片的外量子效率都比較低,單從數(shù)據(jù)無法判斷出是哪個工序出現(xiàn)了異常。
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