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風(fēng)機(jī)葉片真空吸塑成型(VRAM)工藝的研究

來(lái)源:新能源網(wǎng)
時(shí)間:2018-09-04 23:26:36
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風(fēng)機(jī)葉片真空吸塑成型(VRAM)工藝的研究  摘 要簡(jiǎn)要介紹了一種新型風(fēng)機(jī)葉片成型工藝——真空吸塑成型(VRAM)工藝,并對(duì)適用于該工藝的樹(shù)脂體系和復(fù)合材料

  摘 要簡(jiǎn)要介紹了一種新型風(fēng)機(jī)葉片成型工藝——真空吸塑成型(VRAM)工藝,并對(duì)適用于該工藝的樹(shù)脂體系和復(fù)合材料進(jìn)行了綜述。

  0 前 言

  在樹(shù)脂傳遞模塑(RTM)工藝和真空輔助RTM工藝(VARTM)發(fā)展過(guò)程中,真空吸塑成型(VRAM)工藝的開(kāi)發(fā)成功可謂具有里程碑的意義。這一技術(shù)的應(yīng)用不僅增加了樹(shù)脂的傳遞動(dòng)力,而且排除了模具及樹(shù)脂中的氣泡和水分,并且為樹(shù)脂在模腔中的流動(dòng)打工了通道,形成了完整的通路;更重要的是VRAM工藝完全利用真空,從而有效避免了在RTM和VARTM工藝中因注射產(chǎn)和的強(qiáng)大壓力所引起的沖刷纖維現(xiàn)象的發(fā)生,不但大大降低了成本,而且明顯提高了復(fù)合材料的性能。對(duì)于大尺寸、大厚度的復(fù)合材料制件(尤其是對(duì)于大厚度的船舶、汽車和飛機(jī)等結(jié)構(gòu)件)而言,若采用以往的復(fù)合材料成型工藝,則大型模具的選材難、成本貴且制造十分困難;而采用VRAM工藝則是一種十分有效的成型方法,由該工藝制造的復(fù)合材料制件具有成本低、空隙率小、無(wú)需外加壓力、成型過(guò)程中產(chǎn)生的揮發(fā)氣體少且最終產(chǎn)品性能好等諸多優(yōu)點(diǎn),并且該工藝具有很大的靈活性。

  環(huán)氧樹(shù)脂結(jié)構(gòu)中含有羥基、醚鍵和活性極大的環(huán)氧基團(tuán),可與相鄰界面產(chǎn)生電磁吸附或化學(xué)鍵,因而在復(fù)合材料體系中環(huán)氧樹(shù)脂與增強(qiáng)材料間的界面粘接強(qiáng)度較高;另外環(huán)氧基團(tuán)又能在固化劑作用下發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)生成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的大分子,因而且有較高的內(nèi)聚強(qiáng)度;此外,環(huán)氧樹(shù)脂體系還具有較高的力學(xué)性能和耐熱性能、良好的工藝性、穩(wěn)定性且固化收縮率小等諸多優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于綜合性能要求較高的領(lǐng)域。

  因此,環(huán)氧樹(shù)脂以其較低的價(jià)格和優(yōu)良的性能,長(zhǎng)期以來(lái)一直是大型風(fēng)力發(fā)電葉片的首選樹(shù)脂,而聚酯樹(shù)脂只是葉片長(zhǎng)度較短時(shí)才使用。未來(lái)葉片材料的發(fā)展趨勢(shì)是采用碳纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料,尤其是隨著功率的增大,要求葉片長(zhǎng)度相應(yīng)增加,必須采用碳纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料。

  1 風(fēng)機(jī)葉片VRAM工藝

  將VRAM技術(shù)用于大型葉片生產(chǎn)(葉片長(zhǎng)度》40m)時(shí),具有效率高、成本低和質(zhì)量好等特點(diǎn),是目前國(guó)際領(lǐng)先的一種大型構(gòu)件成型新工藝。采用VRAM工藝制備風(fēng)力發(fā)電轉(zhuǎn)子葉片的工藝流程如圖1所示,由圖1可知,在設(shè)計(jì)好的模具型腔中預(yù)先放置經(jīng)合理設(shè)計(jì)、剪裁或經(jīng)機(jī)械化預(yù)成型的增強(qiáng)材料,夾緊密封好模具,完全真空可以保證樹(shù)脂能很好地充滿到增強(qiáng)材料和模具內(nèi)部的每一個(gè)角落,而后加熱使復(fù)合材料固化,最后脫模得到成型制品。采用VRAM工藝制備風(fēng)力發(fā)電轉(zhuǎn)子葉片的關(guān)鍵在于①優(yōu)選浸滲用的基體樹(shù)脂,尤其要保證樹(shù)脂的最佳粘度及其流動(dòng)特殊性。②模具設(shè)計(jì)必須合理,尤其要注重模具上樹(shù)脂吸入孔的位置和流道分布,以確?;w樹(shù)脂能均衡地充滿到模腔內(nèi)的任何地方。③工藝參數(shù)要最佳化,必須事先進(jìn)行相關(guān)實(shí)驗(yàn)研究,以確保VRAM技術(shù)的工藝參數(shù)達(dá)到最佳化。

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