EV GROUP和IBM簽署激光鍵合分離技術(shù)許可協(xié)議

IBM的“混合激光釋放”工藝技術(shù)將為EV Group的低溫激光鍵合分離設(shè)備及工藝組合提供補充，打造高度靈活的高產(chǎn)出率解決方案

奧地利圣弗洛里安，2018年3月14日——微機電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)以及半導體市場晶圓鍵合和光刻設(shè)備領(lǐng)先供應(yīng)商EV Group(EVG)和IBM(紐約證券交易所代碼：IBM)今日宣布，兩家公司同意簽署一份激光鍵合分離技術(shù)許可協(xié)議。EVG計劃將IBM取得專利的“混合激光釋放”(Hybrid Laser Release)工藝集成到EVG先進且經(jīng)過驗證的臨時鍵合和鍵合分離設(shè)備解決方案中，為大批量制造商提供更高靈活性，讓他們能夠?qū)嵤┙?jīng)過優(yōu)化的臨時鍵合和鍵合分離工藝流程。EVG的設(shè)備組合將支持來自IBM的更多工藝變種，讓客戶能夠從一系列鍵合、清洗和測量工藝中做出選擇，幫助滿足他們的臨時鍵合和鍵合分離要求及應(yīng)用。

由此一來，EVG將整合來自IBM的許可技術(shù)以及EVG的技術(shù)專長，打造一個先進的激光鍵合分離解決方案，包含UV和IR激光鍵合分離方法及設(shè)計(旨在支持使用玻璃或硅載體)以及對鍵合界面的檢查。IBM貢獻的技術(shù)能夠幫助EVG實施相關(guān)設(shè)計，滿足業(yè)界對臨時鍵合和鍵合分離的關(guān)鍵要求，其中包括高產(chǎn)出率、低晶圓應(yīng)力以實現(xiàn)高成品率、以及激光設(shè)備、加工和消耗品的低擁有成本。先進的EVG解決方案包含能夠保護芯片免受熱損傷和激光損傷的技術(shù)以及器件和載體晶圓的化學清洗技術(shù)。

EVG企業(yè)技術(shù)開發(fā)和知識產(chǎn)權(quán)總監(jiān)Markus Wimplinger表示：“與IBM簽署的這份協(xié)議讓EV Group能夠為我們的大批量生產(chǎn)客戶提供全面靈活的技術(shù)組合，讓他們以更高的靈活性、產(chǎn)出率和成本效益生產(chǎn)增值器件。”

IBM研究部門微系統(tǒng)技術(shù)和解決方案經(jīng)理John Knickerbocker博士表示：“使用玻璃或硅載體晶圓的激光鍵合分離技術(shù)能夠通過高產(chǎn)出率制造效率、低擁有成本以及一個小型化平臺進行原型制造。支持的一系列制作演示與應(yīng)用包括移動電話、醫(yī)療保健和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)微系統(tǒng)、傳感器和小型化組件處理、生物傳感器、生物芯片和診斷系統(tǒng)、以及人工智能解決方案。”

EVG的激光鍵合分離模塊采用了固態(tài)激光器和專有的光束整形光學元件，旨在實現(xiàn)經(jīng)過優(yōu)化的無應(yīng)力鍵合分離。它們專為集成公司的基準EVG®850DB自動鍵合分離系統(tǒng)(如圖所示)而設(shè)計，可用于各種應(yīng)用，包括扇出晶圓級封裝(FO-WLP)，存儲器堆疊與集成，技術(shù)封裝，光子學，化合物半導體和功率器件。

EVG的激光鍵合分離模塊旨在與公司的基準EVG®850DB自動鍵合分離系統(tǒng)進行集成，包含一個固態(tài)激光器和專有光束整形光學元件，旨在實現(xiàn)經(jīng)過優(yōu)化的無應(yīng)力鍵合分離。EVG的激光鍵合分離解決方案既具有低溫鍵合分離穩(wěn)定性，又具有高溫處理穩(wěn)定性，適用于一系列應(yīng)用。這包括扇出晶圓級封裝(FO-WLP)和其他溫度敏感工藝，例如存儲器堆疊與集成、晶片分割、異構(gòu)集成與生物技術(shù)/有機封裝和器件應(yīng)用、以及光子學、化合物半導體和功率器件。

關(guān)于EV Group(EVG)

EV Group( EVG )是半導體、微機電系統(tǒng)( MEMS )、化合物半導體、功率器件和納米技術(shù)設(shè)備制造領(lǐng)先的設(shè)備和工藝解決方案供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括：晶圓鍵合、薄晶圓加工、光刻/納米壓印(NIL)和計量(測量)設(shè)備，同時也生產(chǎn)涂膠機、清洗機和檢查設(shè)備。 EV Group成立于 1980 年，為遍布世界各地的全球客戶和合作伙伴提供服務(wù)與支持。