小米SU7被曝電機故障率高，是英飛凌的鍋，還是特斯拉的舊傷？

大到汽車拋錨、“剎車故障”，小到一顆螺絲釘、一塊座椅污漬。小米SU7上市至今，幾乎都是被放大鏡，甚至顯微鏡在關(guān)注著。流量的力量，被小米SU7展示得淋漓盡致。以至于智己汽車在“蹭流量”時，因為誤將小米SU7的前電機標注為非SiC碳化硅，而引來群嘲。但有關(guān)SiC碳化硅在小米汽車上的使用爭議，卻并沒有消停。近期，又有關(guān)于小米SU7所使用的SiC碳化硅芯片良品率低，導致車輛安全隱患的消息被曝出。如果真是如此，為其背鍋的應該是小米汽車，還是供應商體系呢？

LOOKAR驅(qū)動系統(tǒng)是核心矛盾，“鍋”扣不到供應商頭上？

從網(wǎng)傳報道中，我們可以發(fā)現(xiàn)，矛盾較為集中在小米SU7的驅(qū)動系統(tǒng)部分。正如5月份，福建某車友購入的小米SU7，在表顯里程僅39km的情況下，遭遇驅(qū)動系統(tǒng)故障的案例。由于SiC碳化硅材料在擊穿電壓、開關(guān)頻率以及熱特性等方面，具有明顯優(yōu)勢。所以在純電動車高壓平臺上，已經(jīng)開始普及SiC碳化硅芯片的使用。甚至即便不是800V級別的高壓平臺，但為了提高驅(qū)動系統(tǒng)的效率，并降低能耗，諸如小米、特斯拉等等，也會在400V電壓平臺車型上使用SiC碳化硅芯片。

那么“鍋”會來自SiC碳化硅芯片的供應商嗎？根據(jù)已知信息，小米SU7的頂配雙電機版，采用的是英飛凌的SiC碳化硅芯片產(chǎn)品，而單電機版本，則是使用來自聯(lián)合汽車電子的方案。英飛凌自然是SiC碳化硅芯片領(lǐng)域的龍頭企業(yè)之一，乍聽起來，矛頭似乎要指向聯(lián)合汽車電子？問題是網(wǎng)曝的信息，恰好是優(yōu)先將矛頭指向小米SU7的頂配雙電機版。至于單電機版的SiC碳化硅芯片，反倒成了“次要矛盾”。

當然，這還可以有另一個解釋。眾所周知，小米SU7只有頂配雙電機四驅(qū)版是采用的高壓平臺。而所有的單電機后驅(qū)版，都是采用的400V電壓平臺。所以，有沒有一種可能性，是高電壓導致英飛凌的SiC碳化硅芯片更為不穩(wěn)定？但正如前面所說，英飛凌的SiC碳化硅芯片產(chǎn)品，屬于行業(yè)領(lǐng)先地位。不僅采購車企眾多，且800V高壓平臺眼下也不是什么新鮮物。如果其產(chǎn)品優(yōu)良率明顯低于車規(guī)級需求，那問題不應該留到小米SU7才被曝出。

照此邏輯推算，問題的矛盾點又回到小米汽車本身。比如車輛MCU調(diào)校能力，也可以類比為電腦的主板和BIOS調(diào)校出了問題。如此，也就怪不到芯片本身上來。但在所謂下結(jié)論之前，另一個案例，也許可以提供更多參考。

LOOKAR特斯拉前車之鑒，“病根”在性能太激進？

早在2022年，特斯拉就一次性在國內(nèi)備案了涉及超過12.7萬輛Model 3車型的召回計劃。覆蓋了從2019年初，至2022年初的部分進口，以及國產(chǎn)相關(guān)車型。彼時特斯拉給出的原因是，車輛后電機逆變器功率半導體元件，可能存在微小的制造差異，造成逆變器不能正?？刂齐娏?，可能造成車輛無法啟動，或在行駛時失去動力。該解釋直指后電機部分，彼時特斯拉的后電機就是率先采用了SiC碳化硅芯片，而前電機則是采用常規(guī)的IGBT半導體元件。所以，特斯拉當年雖未明說，但業(yè)內(nèi)還是將矛頭指向SiC碳化硅芯片的一致性問題。

有意思的是，這一輪小米汽車身上涉及的英飛凌，正是與意法半導體一起，作為特斯拉SiC碳化硅半導體供應商的兩大巨頭之一。當然，這也同樣不意味著要把矛頭指回英飛凌一家。當年沒把這件事捋清楚，很大程度上也是受限于彼時全球半導體材料產(chǎn)能困難。顯然不是特斯拉與供應商之間互相推鍋的時候。但時至今日，如果還浮現(xiàn)出相關(guān)安全隱患的端倪，那就不得不把事情掰扯清楚。

最簡單的邏輯，通過反向控制變量思路。既然驅(qū)動系統(tǒng)芯片供應商、電壓平臺等，在兩個“案例”中，都非固定值。再刨去小米與特斯拉，相互時隔2年多，在MCU調(diào)校上，犯下類似錯誤的可能性。剩下兩者的共同點，其實就是用上SiC材料的驅(qū)動電機。再具體一點，特斯拉與小米，在事件曝光的時間段，都是超高轉(zhuǎn)速電機的行業(yè)佼佼者。如此推算下來，大約可以概括為，超高轉(zhuǎn)速電機+SiC碳化硅芯片=不穩(wěn)定，這樣一個粗略的方程式。我們還可以再往下拆解一步，在直流電機以及相對固定電壓背景下，高轉(zhuǎn)速工況也就可以等同于高電流需求。那么，最終的答案就應該是，超高轉(zhuǎn)速（超高電流）+SiC碳化硅芯片=不穩(wěn)定。

LOOKAROTA能緩解，根除還要等供應商給力

那這個問題要如何解決呢？我們可以先參考一下特斯拉當年是怎么做的。彼時特斯拉采用的車企最喜聞樂見，同時消費者也相對省心的OTA解決方案。通過遠程升級優(yōu)化電機控制軟件，并對其進行監(jiān)控，從而在出現(xiàn)相關(guān)故障后，對后逆變器進行更換。很顯然，所謂“優(yōu)化電機控制軟件”，換一個更熟悉一點的形容，也就是“降頻”。當然，電機性能不可能像3C數(shù)碼產(chǎn)品那樣，涉及降頻就“揮刀自宮”。但犧牲一定極限性能，以此延長SiC碳化硅芯片的壽命，顯然是必須的。

回到小米SU7身上，如果也遭遇到類似問題，特斯拉當年的OTA辦法，也是可以被抄作業(yè)的存在。但想要根除這一問題，還是得落回到另一個關(guān)鍵因素，也就是提升SiC碳化硅芯片的良品率和質(zhì)量。畢竟，高轉(zhuǎn)速電機是純電動車的必然發(fā)展方向。包括小米在內(nèi)，已經(jīng)把門檻提升至2萬轉(zhuǎn)以上。后續(xù)跟進的小米V8s電機，甚至可以將轉(zhuǎn)速推高至27200rpm。既然驅(qū)動技術(shù)在進步，那么半導體技術(shù)也就只能選擇跟上節(jié)奏。

問題是，身為業(yè)內(nèi)巨頭，同時也是小米高性能半導體材料供應商的英飛凌，從來就不是一家IDM企業(yè)。其實這也符合半導體食物鏈的一般操作，只是后起之秀Wolfspeed“不太守規(guī)矩”，覆蓋了從原材料襯底，到芯片制造的全流程?；氐接w凌身上，既然自己不造襯底，身為行業(yè)巨頭，那就得增加碳化硅晶圓的采購渠道，保證自己的出貨量和成本。近年來，英飛凌豐富了包括多家中國供應商在內(nèi)的襯底供應體系。

而英飛凌的一貫做法是，對所有襯底供應采取黑盒處理。也就是說，采購方無法得知自己的貨源，到底是來自哪家的襯底供應。即便刨除不同供應商，在品質(zhì)方面可能發(fā)生的波動。在眼下6英寸襯底還是絕對主流的情況下，車企得到的SiC碳化硅芯片，是否有可能來自加工良品率更高的8英寸襯底，都是模糊狀態(tài)。

不過，根據(jù)英飛凌留下的“后門”，核心客戶還是有可能獲得挑選襯底來源的優(yōu)待。這對小米V8s電機而言，顯然是個好消息。畢竟，根據(jù)裝車節(jié)奏，該電機將會在明年（2025年）問世。而英飛凌此前披露的有關(guān)8英寸碳化硅晶圓的面世節(jié)奏，幾乎與之同步。倒推回來，也很難說兩家企業(yè)在這方面是否本身就存在默契。相較最終選擇弱化SiC碳化硅應用的特斯拉，小米汽車看來是要在更高轉(zhuǎn)速的驅(qū)動性能上，持續(xù)豪賭。

作者丨阮嵩

       原文標題 : 小米SU7被曝電機故障率高，是英飛凌的鍋，還是特斯拉的舊傷？