比亞迪半導(dǎo)體推出1200V1040A高功率SiC模塊

近日，比亞迪半導(dǎo)體推出全新1200V1040ASiC功率模塊。

據(jù)了解，1200V1040ASiC功率模塊在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應(yīng)用于新能源汽車電機驅(qū)動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設(shè)計、高散熱設(shè)計及車規(guī)級驗證等技術(shù)難題，充分發(fā)揮了SiC功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢。

1200V1040ASiC功率模塊，采用了雙面燒結(jié)工藝，即SiCMOSFET上下表面均采用燒結(jié)工藝進行連接，具備更出色的工藝優(yōu)勢與可靠性。SiCMOSFET芯片下表面采用燒結(jié)工藝，相比傳統(tǒng)焊接工藝模塊，連接層導(dǎo)熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；芯片上表面采用燒結(jié)工藝，因燒結(jié)層具有的高耐溫特性，SiC模塊工作結(jié)溫可提升至175℃，試驗證明，其可靠性是傳統(tǒng)工藝的4倍以上。