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半導(dǎo)體周期處于什么階段?還缺芯嗎?

來源:新能源汽車網(wǎng)
時(shí)間:2022-04-06 18:14:52
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半導(dǎo)體周期處于什么階段?還缺芯嗎?半導(dǎo)體的研究框架分為兩個(gè)階段:2018年之前,和2018年之后。2018年之前,全球包括中國大陸都遵循一個(gè)半導(dǎo)體研究框架:基于供需的庫存周期與創(chuàng)新

半導(dǎo)體的研究框架分為兩個(gè)階段:2018年之前,和2018年之后。

2018年之前,全球包括中國大陸都遵循一個(gè)半導(dǎo)體研究框架:基于供需的庫存周期與創(chuàng)新周期的雙波疊加模型。

2018年之后,中國大陸半導(dǎo)體研究的底層邏輯已經(jīng)發(fā)生重大變化,已經(jīng)脫離了全球傳統(tǒng)框架,決定國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要矛盾已經(jīng)從供需變成了國產(chǎn)替代。 為此我們提出了半導(dǎo)體研究的

三波疊加:

1、短期看:價(jià)格周期,又稱為庫存周期,由供給主導(dǎo),一般為2年左右

2、中期看:創(chuàng)新周期,一般由3~5年的底層創(chuàng)新驅(qū)動,比如4G、5G、智能手機(jī)、智能電車

3、長期看:國產(chǎn)替代,這是中國半導(dǎo)體公司的最主要矛盾和未來增長的核心驅(qū)動力,預(yù)計(jì)將維持10年左右。

結(jié)論是: 

一、按照庫存周期律:由于臺積電/三星/Intel都在先進(jìn)工藝14/7/5在最近兩年投入巨額capex,而以大陸為主的晶圓廠主要擴(kuò)產(chǎn)在成熟工藝,所以根據(jù)供需的匹配關(guān)系,后續(xù)芯片庫存將陸續(xù)出現(xiàn)三個(gè)拐點(diǎn):

1)先進(jìn)工藝12寸的芯片(14/7/5nm),將在2022年上半年逐步出現(xiàn)緩解,原因是全球巨額CAPEX+手機(jī)/電腦需求疲軟。

2)成熟工藝12寸的芯片(28/45/65nm),將在2022年下半年逐步出現(xiàn)緩解,但是跟智能電車相關(guān)需求的拐點(diǎn)會晚半年~1年。

3)成熟工藝8寸的芯片(130/90/mos/IGBT/SiC),將在2023年逐步出現(xiàn)緩解,因?yàn)槟茉锤锩男枨筮€處于早期,產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)度因?yàn)樵O(shè)備交期延期而延后。

二、按照創(chuàng)新周期律:2008年~2018年十年的智能手機(jī)大周期又分成了3/4G大周期和5G小周期等多個(gè)創(chuàng)新周期疊加,目前創(chuàng)新已經(jīng)由手機(jī)轉(zhuǎn)移到電車為抓手的能源革命,又分為兩個(gè)階段:油車電動化+電車智能化。

1、電動化:電動化最大的增量是電控,電控中最大壁壘和成本來自于功率半導(dǎo)體。

1)傳統(tǒng)硅基:IGBT和傳統(tǒng)MOS,將持續(xù)在中低壓和傳統(tǒng)場景占據(jù)主導(dǎo)地位。由于缺芯疊加行業(yè)景氣度加速,新能源相關(guān)的IGBT和MOSFET將迎來機(jī)遇期。

2)碳化硅:SiC將在高壓平臺和高端應(yīng)用場景發(fā)力。外延、襯底、制造、設(shè)備、IDM領(lǐng)域都將迎來行業(yè)景氣+國產(chǎn)替代+份額提升的三重推動。

2、智能化:

1)傳統(tǒng)座艙:本質(zhì)是手機(jī)的衍生,是非實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)在三屏合一趨勢下的場景擴(kuò)張,傳統(tǒng)SoC廠商將繼續(xù)主導(dǎo)座艙市場,目前主要玩家還是集中于海外巨頭。

2)智能駕駛:本質(zhì)上全新的異質(zhì)計(jì)算架構(gòu),實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)將結(jié)合FPGA+GPU+ASIC+CPU異構(gòu)芯片,共同實(shí)現(xiàn)無人駕駛,目前對半導(dǎo)體供需影響還處于早期階段。

三、按照國產(chǎn)替代:2020年~2030年是我國又一次大級別的產(chǎn)業(yè)升級,從傳統(tǒng)的OEM/拼裝/貼牌,到核心半導(dǎo)體元器件的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,2018年之后的科技封鎖加速了這個(gè)過程,國產(chǎn)化逐步深化,分為四個(gè)階段:

1)國產(chǎn)1.0:2019年5月,限制華為終端的上游芯片供應(yīng),目的是卡住芯片下游成品,直接刺激了對國產(chǎn)模擬芯片、國產(chǎn)射頻芯片、國產(chǎn)存儲芯片、國產(chǎn)CMOS芯片的傾斜采購,這是第一步。

2)國產(chǎn)2.0:2020年9月,限制海思設(shè)計(jì)的上游晶圓代工鏈,目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴(yán)重依賴美國的半導(dǎo)體設(shè)備(PVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、測試機(jī)等),海思只能轉(zhuǎn)移到備胎代工鏈,直接帶動了中芯國際等國產(chǎn)晶圓廠和封測廠的加速發(fā)展。

3)國產(chǎn)3.0:2020年12月,中芯國際進(jìn)入實(shí)體名單,限制的是芯片上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。想要實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全,必須做到對半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料的逐步突破,由于DUV不受美國管轄,此階段的關(guān)鍵是針對刻蝕等美系技術(shù)的替代。

4)國產(chǎn)4.0:零部件、原材料、EDA/IP,面對繼續(xù)的科技封鎖,在半導(dǎo)體前道核心工藝設(shè)備/材料的自給化加強(qiáng)的基礎(chǔ)上,會衍生到設(shè)備上游零部件和材料上游原材料。

半導(dǎo)體設(shè)備:將在2022年實(shí)現(xiàn)1-10的放量,優(yōu)先關(guān)注成熟工藝國產(chǎn)化設(shè)備(130/90/65/40/28nm)。

芯片材料:將在設(shè)備后,接力進(jìn)行0-1的突破,優(yōu)先推薦黃光區(qū)材料和具備材料上游制備能力的相關(guān)公司。

EDA/IP:將登陸資本市場,成為底層硬科技的全新品類。

設(shè)備零部件:國產(chǎn)化的縱向推進(jìn)使得產(chǎn)業(yè)地位凸顯,板塊將迎來歷史級的發(fā)展窗口。

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