全球首款批量裝車！比亞迪三相全橋SiC功率模塊揭秘

碳化硅（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點。而比亞迪早已開始布局，如今已是國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應用SiC器件的半導體公司。

據(jù)了解，在SiC器件領域，比亞迪半導體已實現(xiàn)SiC模塊在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規(guī)?；瘧?，其自主研發(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊，是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn)在電機驅動控制器中大批量裝車的SiC三相全橋模塊。

比亞迪半導體碳化硅功率模塊是一款三相全橋拓撲結構的灌封全碳化硅功率模塊，主要應用于新能源汽車電機驅動控制器，主要擁有以下特點：

采用納米銀燒結工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)軟釬焊料焊接工藝，提升了高溫可靠性，充分發(fā)揮SiC高工作結溫性能。相比傳統(tǒng)焊接產(chǎn)品，可靠性壽命提升5倍以上，連接層熱阻降低95％；

SiC芯片正面互聯(lián)采用先進的Cu clip bonding工藝，提高了SiC模塊的過流能力，增強了散熱性能，降低了芯片的溫升；

采用超聲波焊接工藝連接絕緣基板金屬塊與外部電極，減小模塊雜散電感，并增強過流及散熱能力；

采用氮化硅AMB（活性金屬釬焊）陶瓷覆銅基板，大幅降低熱阻，良好的散熱提升了芯片使用壽命；

此外，比亞迪半導體SiC模塊可滿足20KHz以上的使用頻率，使車主暢想靜音駕駛。

SiC功率模塊亮點頻顯，不難發(fā)現(xiàn)，其超低的開關及導通損耗、超高的工作結溫等特性，在實現(xiàn)系統(tǒng)高效率和高頻化方面起到了決定性作用。SiC功率模塊不僅僅帶來電控效率、續(xù)航能力的提升，同時使功率密度增加至少一倍，輸出功率可達250KW以上，且同功率水平下，模塊體積較IGBT縮小一半以上。

比亞迪表示，該該碳化硅功率模塊已于2020年搭載比亞迪車型“漢EV”上市，大幅提升了電驅的性能表現(xiàn)，整車實現(xiàn)百公里加速3．9s。

作者：陳馳來源：快科技