五部門關(guān)于開展2024年新能源汽車下鄉(xiāng)活動(dòng)的通知
基于電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)的功率模塊
基于電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)的功率模塊 來(lái)越多的領(lǐng)先電動(dòng)汽車制造商正在將碳化硅(SiC MOSFET )功率場(chǎng)效應(yīng)管 用于牽引逆變器,其中有些還采用了非傳統(tǒng)的分立器件封裝。但是,目前很難
來(lái)越多的領(lǐng)先電動(dòng)汽車制造商正在將碳化硅(SiC MOSFET )功率場(chǎng)效應(yīng)管 用于牽引逆變器,其中有些還采用了非傳統(tǒng)的分立器件封裝。但是,目前很難找到針對(duì)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的 SiC 功率模塊來(lái)適配不同的應(yīng)用。更進(jìn)一步,將快速開關(guān)的 SiC 功率模塊與柵極驅(qū)動(dòng)器、去耦及水冷等整合為驅(qū)動(dòng)總成,還要面對(duì)一些新的挑戰(zhàn)。因此,經(jīng)過完全優(yōu)化和高度集成的智能功率模塊解決方案,可以為客戶節(jié)省大量的開發(fā)時(shí)間和工程資源。
本文介紹了一種用于電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、或電力逆變器的新型三相 1200V SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)。該 IPM 提供了一種多合一的解決方案,含有柵極驅(qū)動(dòng)器和三相全橋 SiC MOSFET 功率電路,可用于水冷功率系統(tǒng)。本文簡(jiǎn)要介紹了該功率模塊的關(guān)鍵電氣和熱特性,討論了其安全操作區(qū)域;最后,說明了柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵特性, 及其安全可靠的驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的綜合能力。
MOSFET 智能功率模塊
三相全橋水冷 SiC MOSFET 智能功率模塊 CXT-PLA3SA12450AA 是一個(gè)可擴(kuò)展平臺(tái)系列的首個(gè)產(chǎn)品,該三相 1200V/450A SiC MOSFET IPM 具有導(dǎo)通損耗低(Ron 為 3.25mΩ)、開關(guān)損耗低(7.8mJ 開啟和 8mJ 關(guān)斷)等特點(diǎn)(在 600V/300A 時(shí),參見表 1)。相對(duì)于最新的 IGBT 電源模塊 ,其損耗至少降低了三分之二。新模塊通過輕巧的 AlSiC 針翅底板進(jìn)行水冷,結(jié)至流體的熱阻為 0.15℃/W。該智能功率模塊的額定結(jié)溫高達(dá) 175℃,可以承受高達(dá) 3600V(50Hz,1min)的隔離電壓。
表 1:CXT-PLA3SA12450AA 的主要特性
熱穩(wěn)定性和安全的工作區(qū)域
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,額定的最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動(dòng)器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長(zhǎng)時(shí)間工作的增強(qiáng)的耐熱能力。如前所述,該智能功率模塊通過輕巧的 AlSiC 針翅底板冷卻,每相的結(jié)至流體熱阻為 0.15℃ /W,當(dāng)流速為 10L/Min(推薦的冷卻液 為 50%乙二醇,50%水),允許的流體最高流入端溫度可達(dá) 75℃。
最大連續(xù)漏極電流 (Id)與 CXT-PLA3SA12450AA 的外殼溫度之間的關(guān)系(根據(jù)最大 Tj 時(shí)的導(dǎo)通電阻,熱阻和最大工作結(jié)溫計(jì)算)如圖 2 所示。
最大連續(xù)漏極電流(Id)被視為比較功率模塊的額定功率的標(biāo) 準(zhǔn)參數(shù),而品質(zhì)因數(shù)(FoM,F(xiàn)igure of Merit)則揭示了 RMS 相電流與開關(guān)頻率的關(guān)系,如圖 3 所示;該曲線是針對(duì) 600V 的 DC 總線電壓、90℃的外殼溫度、175℃的結(jié)溫和 50%占空比計(jì)算的。
該 FoM 曲線對(duì)于了解模塊的適用性更為有用。CISSOID 的智能功率模塊平臺(tái)具有系列可擴(kuò)展性,例如,從圖 3 還可推斷(虛線)出未來(lái)的 1200V/600A 模塊的安全工作范圍。
圖 2:最大連續(xù)漏極電流降額(Id)與 CXT-PLA3SA12450AA 的外殼溫度之間的關(guān)系 。
圖 3:FoM 曲線, 1200V/450A SiC 功率模塊(CXTPLA3SA12450AA)的相電流(Arm s)與開關(guān)頻率(條件:VDC= 600V,Tc = 90℃,Tj 《175℃,D = 50%),和預(yù)測(cè)未來(lái)的 1200V/600A 模塊(CXT-PLA3SA12600AA,正在開發(fā)中)相比較
三相 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器
CXT-PLA3SA12450AA 三相柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì),源自已經(jīng)得到充分測(cè)試驗(yàn)證的 CMT-TI T8243 和 CMT-TI T0697 單相柵極驅(qū)動(dòng)器板,分別設(shè)計(jì)用于 62mm 1200V/300A 和快速開關(guān) XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模塊(請(qǐng)參見圖 4)。三相柵極驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過優(yōu)化,可以直接安裝在 CXTPLA3SA12450 功率模塊的頂部,這歸功于更為緊湊的變壓器設(shè)計(jì)或略微調(diào)整的爬電距離設(shè)定。CXT-PLA3SA12450AA 柵極驅(qū)動(dòng)器還包括直流總線電壓監(jiān)視功能。
對(duì)于 CMT-TI T8243 和 CMT-TI T0697,柵極驅(qū)動(dòng)器板的最高工作環(huán)境溫度為 125℃。板上所有的元器件 均經(jīng)過精心選擇和確認(rèn),以保證在此溫度下的運(yùn)行。這些設(shè)計(jì)還依靠 CISSOID 的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器芯片組和針對(duì)低寄生電容(典型值為 10pF)進(jìn)行了優(yōu)化的電源變壓器模塊,以最大程度地降低高 dv/dt 和高工作溫度下的共模反射電流。
圖 4:用于快速切換 XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模塊的 CMT-TI T0697 柵極驅(qū)動(dòng)器板
CXT-PLA3SA12450AA 柵極驅(qū)動(dòng)器仍有足夠的余量來(lái)支持功率模塊的可擴(kuò)展性。該模塊的總柵極電荷為 910nC。在開關(guān)頻率為 25KHz 時(shí),平均柵極電流等于 22.75mA。這遠(yuǎn)低于板載隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的 95mA 最大電流能力。因此,無(wú)需修改柵極驅(qū)動(dòng)器板,就可以直接驅(qū)動(dòng)未來(lái)柵極電流容量和柵極電荷更高、驅(qū)動(dòng)功率更大的功率模塊。
使用并列的多柵極電阻架構(gòu),以適應(yīng)實(shí)際最大 dv/dt 可在 10~20 KV/?s 的范圍內(nèi)(負(fù)載相關(guān))。柵極驅(qū)動(dòng)器的本身的設(shè)計(jì),足夠抵抗高達(dá) 50KV/?s 的 dv/dt(感性負(fù)載),從而在 dv/dt 魯棒性方面提供了足夠的余量。
柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)功能
柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)功能對(duì)于確保功率模塊的安全運(yùn)行至關(guān)重 要。在 驅(qū) 動(dòng) 快 速 開 關(guān) 的 SiC MOSFET 時(shí) 尤 其 如 此。CXTPLA3SA12450 柵極驅(qū)動(dòng)器提供以下保護(hù)功能:
欠壓鎖 定保護(hù)(UV LO):CXT-PLA3SA12450AA 柵極驅(qū)動(dòng)器監(jiān)視初級(jí)和次級(jí)電壓,并在低于編程要求電壓時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)保護(hù)、報(bào)告故障。
防重疊保護(hù):避免同時(shí)開啟高側(cè)和低側(cè)功率電路,以防止半橋 短路 。
防止次級(jí)短路:隔離的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器可以逐周期地進(jìn)行電流 限制,從而防止柵極驅(qū)動(dòng)器發(fā)生任何短路(例如,柵極 - 源極 短路)。
毛刺濾波器 :抑制輸入 PWM 信號(hào)上的毛刺,這些毛刺經(jīng)常是 由于共模電流引起的。
有源米勒鉗位(AMC):關(guān)斷后實(shí)現(xiàn)負(fù)柵極電阻的旁路,以保 護(hù)功率 MOSFET 免受寄生反射的影響。
去飽和檢測(cè):在打開時(shí),在消隱時(shí)間之后檢查功率 MOSFET 漏源電壓是否低于閾值。
軟關(guān)斷:在出現(xiàn)故障的情況下,將緩慢關(guān)閉功率晶體管 ,以最 大程度地降低由于高 di/dt 而引起的過沖。
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