我科研團(tuán)隊(duì)取得場(chǎng)效應(yīng)儲(chǔ)能芯片研究新進(jìn)展

【我科研團(tuán)隊(duì)取得場(chǎng)效應(yīng)儲(chǔ)能芯片研究新進(jìn)展】：6月4日，記者從武漢理工大學(xué)獲悉，該校麥立強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)在場(chǎng)效應(yīng)儲(chǔ)能芯片研究上取得新進(jìn)展，相關(guān)成果在《細(xì)胞》雜志子刊《化學(xué)》上發(fā)表。該團(tuán)隊(duì)在儲(chǔ)能芯片領(lǐng)域，設(shè)計(jì)構(gòu)筑了第一個(gè)單根納米線電化學(xué)儲(chǔ)能器件，實(shí)現(xiàn)單納米基元電化學(xué)儲(chǔ)能器件從0到1的突破，進(jìn)而研制出多點(diǎn)接觸型等10套單納米基元微納電化學(xué)器件。該研究工作提出調(diào)制材料費(fèi)米能級(jí)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能芯片性能倍增的新思路，通過設(shè)計(jì)構(gòu)筑場(chǎng)效應(yīng)儲(chǔ)能芯片，實(shí)現(xiàn)電化學(xué)工況下材料費(fèi)米面梯度的原位調(diào)控和性能提升。施加場(chǎng)效應(yīng)后，離子遷移速率提高10倍，材料容量提高3倍以上。該研究得到國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃和國家重大科研儀器研制項(xiàng)目的支持。