碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場需求望爆發(fā)

【碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場需求望爆發(fā)】：據(jù)報(bào)道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運(yùn)行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采用SiC MOSFET的兩款串式逆變器，設(shè)備的功率可達(dá)到200kW和400kW，設(shè)備效率高達(dá)99%，平均故障時(shí)間也有所縮短。光伏逆變器龍頭企業(yè)已開始采用碳化硅MOSFET功率器件替代硅器件，預(yù)計(jì)中長期內(nèi)，SiC將會成為太陽能光伏領(lǐng)域功率器件的主要制造原料，帶動產(chǎn)業(yè)鏈整體實(shí)現(xiàn)迭代升級。研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2025年SiC光伏逆變器占比將達(dá)到50%，增量市場需求望加速爆發(fā)。