在石墨烯薄膜之間結(jié)合導(dǎo)電PEDOT以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電容式儲(chǔ)能

【在石墨烯薄膜之間結(jié)合導(dǎo)電PEDOT以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電容式儲(chǔ)能】：通過引入導(dǎo)電聚合物抑制氧化石墨烯薄膜的片狀堆積被證明是開發(fā)基于石墨烯的電化學(xué)儲(chǔ)能電極的有效途徑。本文，陜西師范大學(xué)雷志斌教授團(tuán)隊(duì)在《ACS Appl. Nano Mater.》期刊發(fā)表名為“Incorporating Conducting PEDOT between Graphene Films for Stable Capacitive Energy Storage”的論文，研究提出一種簡單的方法，通過在GO片之間加入聚：聚來制備聚/GO混合薄膜。由于更多的電化學(xué)活性位點(diǎn)和有利的離子通道，PEDOT/rGO薄膜實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)的電容性能，包括更大的比性能257Fg-1，在0.2-10 Ag-1中更高的速率能力54%，以及卓越的循環(huán)穩(wěn)定性，在10 000次循環(huán)中保持97%的電容。用PEDOT/rGO薄膜組裝的全固態(tài)電容器在大彎曲角度下也表現(xiàn)出良好的電容性能和優(yōu)異的柔韌性。結(jié)果表明，PEDOT/rGO薄膜電極在配置柔性儲(chǔ)能設(shè)備方面具有很大的潛力。