方俊鋒AM：19.84%效率，貧鉛表面拋光用于高效倒置CsPbI3鈣鈦礦太陽能電池

【方俊鋒AM：19.84%效率，貧鉛表面拋光用于高效倒置CsPbI3鈣鈦礦太陽能電池】：CsPbI3鈣鈦礦開發(fā)高效穩(wěn)定的單結和串聯(lián)結構光伏器件方面具有廣闊的前景。然而，實現(xiàn)提供良好穩(wěn)定性并與串聯(lián)設備兼容的倒置電池仍然是一個挑戰(zhàn)，而且深入的見解仍然難以理解。中國科學院寧波材料技術與工程研究所方俊鋒等人研究發(fā)現(xiàn)CsPbI3的表面成分本質上是貧鉛的，并且相關的陷阱是具有局部狀態(tài)的p 型。這些深能級p陷阱在CsPbI3/PCBM界面處引起劣質電子轉移和嚴重的非輻射復合，導致開路電壓 損失和填充因子 顯著降低。拋光處理明顯提高了倒置CsPbI3光伏器件的FF和Voc，效率從12.64%提高到19.84%。此外，優(yōu)化后的器件在輸出運行1000小時后仍保持95%的初始效率。